PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UNA CELULA SOLAR DE DOS COLORES Y TRES TERMINALES.

COMPRENDE: A) MONTAR UN SUSTRATO CONDUCTIVO EN UN APARATO DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO; B) RARIFICAR EL APARATO A UNA PRESION ENTRE 1D10C6 Y 1D10C8 TORR; C) CALENTAR EL SUSTRATO A UNA TEMPERATURA ENTRE 500JC Y 650JC; D) ESTABLECER UN CAUDAL DE UN COMPUESTO CON (AS) Y UN CAUDAL DE UN COMPUESTO CON (GA); E) AJUSTAR EL COMPUESTO CON (AS), UN COMPUESTO CON (SB) Y DOPANTES DE TIPO N Y DE TIPO P, PARA FORMAR UNA CAPA DE GAAS1-YSBY SOBRE EL SUSTRATO; F) TERMINAR EL FLUJO DEL COMPUESTO CON (SB); G) AJUSTAR EL CAUDAL DE LOS COMPUESTOS DE TIPO N Y DE TIPO P DE AS, PARA FORMAR UNA PRIMERA UNION DE CORTOCIRCUITACION EN LA CAPA DE GAAS1-YSBY; H) AUMENTAR EL CAUDAL DEL COMPUESTO CON (AS) CON VARIACION DE DOPANTES, PARA FORMAR UNA CAPA DE HOMOUNION DE GAAS SOBRE LA CAPA DE UNION DE CORTOCIRCUITACION; I) AJUSTAR LOS CAUDALES DE LOS DOPANTES DE TIPO N Y DE TIPO P, PARA FORMAR UNA SEGUNDA UNIONDE CORTOCIRCUITACION EN LA CAPA DE GAAS; Y J) REDUCIR EL FLUJO DEL COMPUESTO CON (AS) E INTRODUCIR UN COMPUESTO CON FOSFORO, CON VARIACION DE DOPANTES, PARA FORMAR UNA CAPA DE HOMOUNION DE GAAS1-XPX SOBRE LA SEGUNDA CAPA DE UNION DE CORTOCIRCUITACION.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CHEVRON RESEARCH COMPANY..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 525 MARKET STREET, SAN FRANCISCO, CALIFORNIA 94105, U.S.A..

Fecha de Solicitud: 16 de Abril de 1984.

Fecha de Publicación: 1 de Marzo de 1985.

Fecha de Concesión: 14 de Diciembre de 1984.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L31/068 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.

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