Aparato de detección de luz de alta velocidad.
Aparato óptico que comprende:
un sustrato (102, 402) semiconductor de silicio [reivindicación 14];
una capa (106, 406) de germanio-silicio acoplada al sustrato semiconductor, incluyendo la capa de germaniosilicio una región de sensor óptico [p. 8, 1. 28-29] [reivindicación 1] configurada para absorber fotones (112, 412) y para generar foto-portadores a partir de los fotones absorbidos, en el que una composición de la capa de germanio-silicio difiere de una composición del sustrato semiconductor;
uno o más primeros conmutadores (108, 110, 408, 410) controlados por una primera señal (122, 132, 422, 432) de control, estando configurados los uno o más primeros conmutadores para recoger al menos una parte de los foto-portadores en base a la primera señal de control; y
uno o más segundos conmutadores (108, 110, 408, 410) controlados por una segunda señal (122, 132, 422, 432) de control, estando configurados los uno o más segundos conmutadores para recoger al menos una parte de los foto-portadores en base a la segunda señal de control, en el que la segunda señal de control es diferente de la primera señal de control,
en el que los uno o más primeros conmutadores comprenden:
una primera región (128, 138, 428, 438) dopada tipo p en la capa de germanio-silicio, en la que la primera región dopada tipo p es controlada por la primera señal de control; y
una primera región (126, 136, 426, 436) dopada tipo n en la capa de germanio-silicio o en el sustrato semiconductor, en la que la primera región dopada tipo n está acoplada a un primer circuito (124, 134, 424, 434) integrado de lectura;
en el que los uno o más segundos conmutadores comprenden:
una segunda región (128, 138, 428, 438) dopada tipo p en la capa de germanio-silicio, en la que la segunda región dopada tipo p es controlada por la segunda señal de control; y
una segunda región (126, 133, 426, 436) dopada tipo n en la capa de germanio-silicio o en el sustrato semiconductor, en la que la segunda región dopada tipo n está acoplada a un segundo circuito (124, 134, 424, 434) integrado de lectura.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2016/060493.
Solicitante: Artilux Inc.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 101 Jefferson Drive Menlo Park, CA 94025 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: NA,YUN-CHUNG, LIANG,CHE-FU.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01S7/481 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01S LOCALIZACION DE LA DIRECCION POR RADIO; RADIONAVEGACION; DETERMINACION DE LA DISTANCIA O DE LA VELOCIDAD MEDIANTE EL USO DE ONDAS DE RADIO; LOCALIZACION O DETECCION DE PRESENCIA MEDIANTE EL USO DE LA REFLEXION O RERRADIACION DE ONDAS DE RADIO; DISPOSICIONES ANALOGAS QUE UTILIZAN OTRAS ONDAS. › G01S 7/00 Detalles de sistemas según los grupos G01S 13/00, G01S 15/00, G01S 17/00. › Características constructivas, p. ej. disposiciones de elementos ópticos.
- G01S7/486 G01S 7/00 […] › Receptores.
- H01L27/144 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Dispositivos controlados por radiación.
- H01L27/146 H01L 27/00 […] › Estructuras de captadores de imágenes.
- H01L31/10 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.
- H04N5/369 H […] › H04 TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS. › H04N TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION. › H04N 5/00 Detalles de los sistemas de televisión (Detalles de los dispositivos de análisis o sus combinaciones con la producción de la tensión de alimentación H04N 3/00). › arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos.
PDF original: ES-2770024_T3.pdf
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