Dispositivo fotosensible de múltiples profundidades de escena, sistema del mismo, método de expansión de profundidad de escena, y sistema de obtención de imágenes ópticas.

Un dispositivo de detección de la luz de múltiples profundidades de campo,

que comprende al menos dos capas de pixeles de detección de la luz capaces de inducir una fuente de luz, en donde al menos dos capas de pixeles de detección de la luz se disponen una en la parte superior de la otra en un intervalo de una distancia preestablecida, de manera que diferentes señales de luz de una lente a una distancia específica del dispositivo de detección de la luz se enfocan a diferentes capas de pixeles de detección de la luz,

en donde las diferentes señales de luz comprenden señales de luz a diferentes distancias, o señales de luz con diferentes longitudes de ondas,

caracterizado porque

al menos dos capas de pixeles de detección de la luz comprenden al menos una de una capa de píxeles de detección de la luz con recubrimiento químico y una capa de píxeles de detección de la luz semiconductora, en donde la capa de píxeles de detección de la luz con recubrimiento químico comprende un pixel de detección de la luz de punto cuántico ; y

en donde la capa de píxeles de detección de la luz semiconductora comprende un diodo de detección de la luz CMOS, una compuerta de detección de la luz CMOS, un diodo de detección de la luz CCD, una compuerta de detección de la luz CCD, o una compuerta de detección de la luz o diodo de detección de la luz CMOS o CCD que tiene una función de transferencia de carga bidireccional.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/CN2011/076338.

Solicitante: Boly Media Communications (Shenzhen) Co., Ltd.

Inventor/es: HU,XIAOPING.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L27/146 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Estructuras de captadores de imágenes.
  • H04N5/232 H […] › H04 TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS.H04N TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION. › H04N 5/00 Detalles de los sistemas de televisión (detalles de la exploración o su combinación con la producción de las tensiones de alimentación H04N 3/00; adaptados especialmente para la televisión en color H04N 9/00; servidores especialmente adaptados para la distribución de contenido H04N 21/20; Dispositivos de cliente específicamente adaptados para la recepción de, o interacción con, contenidos H04N 21/40). › Dispositivos para el control de las cámaras de televisión, p. ej. control a distancia (H04N 5/235   tiene prioridad).
  • H04N5/335 H04N 5/00 […] › que utiliza sensores de imagen de estado sólido [SIES] (H04N 5/32, H04N 5/33  tiene prioridad).
  • H04N5/369 H04N 5/00 […] › arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos.
  • H04N5/3745 H04N 5/00 […] › que tiene componentes adicionales incorporados dentro de un píxel o conectados a un grupo de píxeles en un matriz de sensores, p. ej., memorias, convertidores A / D, amplificadores de píxel, circuitos compartidos o componentes compartidos.

PDF original: ES-2645020_T3.pdf

 

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