METODO DE SINTESIS DE UN COMPUESTO DE FORMULA MN+1AXN, PELICULA DEL COMPUESTO Y SU USO.

Un método para sintetizar o desarrollar un compuesto que tiene la fórmula general Mn+1AXn (16) donde M es al menos un metal de transición,

n es 1, 2, 3 o mayor, A es al menos un elemento del grupo A y X es carbono, nitrógeno o ambos, en el que el método comprende la etapa de exponer un sustrato a los componentes vaporizados desde al menos una fuente sólida (13, 14, 15) con lo que dichos componentes, o dichos componentes en combinación con al menos un componente gaseoso, reaccionan entre sí para producir el compuesto Mn+1AXn (16), caracterizado porque el sustrato comprende una capa de siembra (11), sobre la que el compuesto Mn+1AXn (16) se sintetiza o se desarrolla, que se produce ex situ, in situ o mediante una combinación de ambas etapas ex situ e in situ.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ABB AB.

Nacionalidad solicitante: Suecia.

Dirección: ABB AB<IID>00938006<IRF>9352EP/PT/LA<ADR>,721 83 VASTERAS.

Inventor/es: ISBERG,PETER, PALMQUIST,JENS-PETTER, JANSSON,ULF,UPPSALA UNIVERSITET, HULTMAN,LARS, BIRCH,JENS, SEPPANEN,TIMO.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 14 de Noviembre de 2007.

Clasificación PCT:

  • C23C14/06 QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento. › caracterizado por el material de revestimiento (C23C 14/04 tiene prioridad).
  • C30B23/02 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 23/00 Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
  • C30B28/12 C30B […] › C30B 28/00 Producción de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada. › directamente a partir del estado gaseoso.
  • C30B29/10 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Compuestos inorgánicos o composiciones inorgánicas.
METODO DE SINTESIS DE UN COMPUESTO DE FORMULA MN+1AXN, PELICULA DEL COMPUESTO Y SU USO.

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