EQUIPO DE EPITAXIA POR HAZ MOLECULAR.

Equipo de epitaxia que comprende un recinto de epitaxia al vacío que contiene un soporte de substrato y,

al menos, una célula de evaporación al vacío del material de epitaxia cerrada por un diafragma que presenta, al menos, un orificio y que comunica con el recinto de epitaxia por una brida de unión, que comprende, además, una placa colocada frente al citado diafragma perforado, caracterizado porque la citada placa es móvil de modo que la distancia de la placa a la superficie exterior del diafragma es variable y presenta una sección correspondiente a la sección del citado diafragma: formándose el haz molecular a nivel de una zona que rodea la placa.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ADDON.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 19, RUE DES ENTREPRENEURS,78420 CARRIERES-SUR-SEINE.

Inventor/es: BOUCHA B, PIERRE, STEMMELEN, FRANCK.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 29 de Mayo de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C30B23/02 QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 23/00 Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado. › Crecimiento de un lecho epitaxial.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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