Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado [3]

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CIP: C30B23/00, Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado [3]

Entorno:
  • Crecimiento de monocristales a partir de vapores [3]

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Inventos patentados en esta categoría

1.-

Un aparato para el crecimiento cristalino, de manera que el aparato comprende: una cámara de aporte , configurada para contener un material de aporte ; una cámara de crecimiento ; un paso para el transporte de vapor desde la cámara de aporte hasta la cámara de crecimiento ; un soporte , dispuesto dentro de la cámara de crecimiento y configurado para soportar un cristal seminal ; y un espacio de separación , definido entre la cámara de crecimiento y el soporte ; de tal modo que el coeficiente de dilatación térmica del soporte es mayor que el coeficiente de dilatación térmica de la cámara de crecimiento, y de forma que los materiales y dimensiones del soporte y de la cámara de crecimiento se han...

2.-

Un aparato para la deposición de vapor de una materia fuente sublimada en forma de una películadelgada sobre un sustrato de un módulo fotovoltaico (FV), comprendiendo dicho aparato: una cabeza de deposición; un receptáculo dispuesto en dicha cabeza de deposición, estando configurado dichoreceptáculo para la recepción de una materia fuente granular; un colector calentado de distribución dispuesto por debajo de dicho receptáculo , configuradodicho colector calentado de distribución para calentar dicho receptáculo hasta un gradosuficiente como para sublimar la materia fuente dentro de dicho receptáculo ; y, una placa de distribución que...

3.-

Un aparato proceso para el crecimiento de cristal a partir de fase vapor para producir múltiples monocristalesen un ciclo de crecimiento, que comprende: - por lo menos una cámara de fuente , - una pluralidad de tubos de crecimiento satélites dispuestos alrededor de por lo menos una cámara de fuente ; - una pluralidad de medios de pasaje adaptados para el transporte de vapor desde la cámara de fuente hacia lostubos de crecimiento , en el cual por lo menos una cámara de fuente está térmicamente desacoplada de lostubos de crecimiento .

4.- CARBURO DE SILICIO SEMIAISLANTE SIN DOMINIO DE VANADIO.

. Solicitante/s: CREE, INC.. Inventor/es:

Monocristal volumétrico semiaislante de carburo de silicio que tiene una resistividad de al menos 5.000 O-cm a temperatura ambiente, una concentración de elementos de captura de nivel profundo que se encuentra por debajo de la cantidad que afecta a las características eléctricas del cristal, y una concentración de átomos de nitrógeno que se encuentra por debajo de 1 x 1017 cm-3.

5.-

Método de control y potenciación del crecimiento de cristales únicos de SiC de alta calidad en un sistema de crecimiento de cristales de SiC, comprendiendo el método dirigir y mantener un flujo de un gas fuente de carbono y un gas fuente de silicio a un área de reacción mientras se calienta el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono hasta aproximadamente la temperatura de reacción; hacer reaccionar el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono en el área de reacción para formar especies evaporadas que contienen carbono y silicio; y dirigir y mantener un flujo de especies evaporadas que contengan...

6.- GEMAS DE DIAMANTE ARTIFICIALES FORMADAS DE NITRURO DE ALUMINIO Y ALEACIONES DE NITRURO DE ALUMINIO:CARBURO DE SILICIO.

. Ver ilustración. Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es:

Gema de diamante artificial que comprende un monocristal de AlN o aleación de AlN:SiC, incoloro y sintético que tiene facetas pulidas hasta un grado de alisado característico de las gemas de diamante terminadas y suficiente para permitir la introducción de la luz en la gema para la reflexión interna desde el interior de la gema.

7.- CONJUNTOS DE CRISTALES ORIENTADOS.

. Solicitante/s: ROBERTS, ELLIS E. Inventor/es:

SE PRESENTA UN ARTICULO DE FABRICACION QUE COMPRENDE UNOS CRISTALES SENCILLOS SINTETICOS DE TALLA Y FORMA UNIFORME SELECCIONADOS DE ENTRE UN GRUPO QUE CONSISTE EN NITRURO DE BORO CUBICO O DE DIAMANTE Y MANTENIDOS EN UNA FORMACION (FIG. 1, 10, 19, 33) CON UNAS DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS SELECCIONADAS DE LOS CRISTALES ORIENTADAS EN LA MISMA DIRECCION PARA QUE LOS CRISTALES EXHIBAN COMO UN GRUPO UNA DIRECCION CRISTALOGRAFICA COMUN QUE PUEDE SER SELECTIVAMENTE LA DIRECCION MAS DURA O LA QUE ES CASI LA MAS DURA, Y UN METODO DE FABRICACION DE UN ARTICULO. ESTA ORIENTACION SACA PARTIDO DE LAS PROPIEDADES DE DUREZA DE LOS CRISTALES INDIVIDUALES POR MEDIO DE IMPARTIR ESTAS PROPIEDADES AL MONTAJE. DE ESTA FORMA, VARIOS MODELOS DEL ARTICULO SON UTILES COMO UN ABRASIVO, UN PORTADOR, UN FOCO FRIO O UN SEMICONDUCTOR.

8.- DESARROLLO DE CRISTALES DE CARBURO DE SILICIO INCOLOROS.

. Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es:

LOS GRANDES MONOCRISTALES DE CARBURO DE SILICIO SE CULTIVAN EN UN SISTEMA DE HORNO DE SUBLIMACION. LOS CRISTALES SE CULTIVAN COMPENSANDO LOS NIVELES DE IMPURIFICADORES TIPO P Y TIPO N (A SABER, NIVELES MAS O MENOS IGUALES DE LOS DOS IMPURIFICADORES) PARA OBTENER UN CRISTAL ESENCIALMENTE INCOLORO. EL CRISTAL SE PUEDE TALLAR Y PULIR A MODO DE GEMAS SINTETICAS CON UNA RESISTENCIA Y DUREZA EXTRAORDINARIAS, Y UN BRILLO IGUAL O MAYOR QUE LA DEL DIAMANTE.

9.- CARBURO DE SILICIO DE ALTA RESISTENCIA Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.

. Solicitante/s: DAIMLERCHRYSLER AG FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. Inventor/es:

EL OBJETIVO DE LA INVENCION ES UN PROCESO PARA LA ELABORACION DE SIC DE ALTA RESISTENCIA A PARTIR DE UN MATERIAL DE PARTIDA DE BAJA RESISTENCIA. SE COMPONE DE TAL MODO, QUE LOS NIVELES DONADORES PLANOS DE UNA IMPUREZA DE NITROGENO PREVALECIENTE SON SOBRECOMPENSADOS MEDIANTE ADMINISTRACION DE UN ELEMENTO TRIVALENTE, SIENDO LA CONCENTRACION DEL INDICADO ELEMENTO EN EL SIC TAL, QUE CAMBIA EL TIPO DE CONDUCTIVIDAD DESDE UNA CONDUCTIVIDAD N A UNA CONDUCTIVIDAD P. ADICIONALMENTE SE AÑADE UN ELEMENTO DE TRANSICION TENDIENDO DONADORES APROXIMADOS EN EL MEDIO DEL ESPACIO DE ENERGIA SIC, DE MODO QUE LOS NIVELES DE ACEPTADOR EN EXCESO SON COMPENSADOS Y SE CONSIGUE UNA RESISTENCIA ESPECIFICA ALTA.

10.- SISTEMA DE FABRICACION DE MICRODETECTORES DE RADIACION BASADOS EN HGI2.

. Ver ilustración. Solicitante/s: CENTRO ASOCIACION DE MEDICINA Y SEGURIDAD EN EL TRABAJO DE UNESA PARA LA INDUSTRIA ELECTRICA. Inventor/es:

SISTEMA DE FABRICACION DE MICRODETECTORES DE RADIACION BASADOS EN HGI2. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE AL METODO DE CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES DE HGI2 Y EN LAMINAS A SU POSTERIOR PREPARACION EN GEOMETRIA PARA FABRICAR MICRODETECTORES DE RADIACION DE ALTAS PRESTACIONES. ESTOS DETECTORES TIENEN GRAN EFICIENCIA FRENTE A RADIACION X Y GAMMA, PUDIENDO SER UTILIZADOS A TEMPERATURA AMBIENTE CON UNA GRAN SENSIBILIDAD, CARACTERIZADA POR UN LIMITE INFERIOR DE DETECCION DE 2 KEV. SU REDUCIDO TAMAÑO HACE QUE TENGAN UN CAMPO DE APLICABILIDAD POTENCIALMENTE MUY ALTO (MEDICINA NUCLEAR, MONITORAJE DE INSTALACIONES RADIACTIVAS, INVESTIGACION,...).

11.- PROCEDIMIENTO Y APARATO MEJORADOS PARA EL CRECIMIENTO DE CRISTALES DE YODURO MERCURICO.

. Solicitante/s: UNITED STATES ENERGY RESEARCH AND DEV. ADM.

Resumen no disponible.

12.- MÉTODO PARA EL TRATAMIENTO DE UN SÓLIDO, MAS EN PARTICULAR UN MATERIAL SEMICONDUCTOR

. Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Método para el tratamiento de un sólido, más en particular un material semiconductor, por ejemplo para la formación de cristales únicos, purificación y/o dotación, caracterizado por el hecho que una cantidad de esta substancia, o una o más componentes de esta substancia conformada para constituir un conjunto alargado, es sometida localmente a una zona de temperatura elevada en que esta substancia es convertida en una forma de vapor, siendo desplazada dicha zona de temperatura elevada en la dirección longitudinal del referido conjunto, siendo convertidas partes sucesivas del conjunto en una forma de vapor en un lado de esta zona, y cristalizando el material desde la fase de vapor en el otro lado de la zona.

13.-

Un método para la síntesis en masa de nanotubos largos de un calcogenuro de metal de transición a partir de un material de metal de transición, vapor de agua y H2X gas o H2 gas y X vapor, en donde X es S, Se o Te, que comprende: 1) Llevar a cabo a) o calentar un material de metal de transición en presencia de vapor de agua en un aparato de vacío o, con un haz de electrones evaporar un material de metal de transición en presencia de vapor de agua, a una presión adecuada, para obtener nanopartículas de óxido de metal de transición tan largas como 0, 3 micrómetros, y b) alargar las nanopartículas de óxido de metal de transición tan largas como 0, 3 micrómetros de la etapa (a) a 10 - 20 micrómetros...