PROCESO PARA LA FORMACION DE DEPOSITOS DE GETTER MINIATURIZADOS Y LOS DEPOSITOS DE GETTER OBTENIDOS DE ESE MODO.
Un proceso de lift-off para la formación de depósitos de getter miniaturizados (131,
131'', etc.; 20) que comprende los siguientes pasos: formación de una capa de material polimérico fotosensible (11) sobre un soporte (10); exposición selectiva a la luz de por lo menos una parte de la capa polimérica a fin de provocar una reacción química en dicha parte de la capa polimérica; eliminación con un primer disolvente de sólo una parte entre la expuesta previamente o la no expuesta previamente de la capa polimérica, formando en dicha capa polimérica por lo menos una cavidad (12, 12'', etc.) cuya pared inferior esté formada por la superficie del soporte; formación mediante una deposición catódica de una capa fina (13) de un material getter en la parte inferior de dicha cavidad y sobre la parte de la capa de polímero que no ha sido eliminada por el primer disolvente, y eliminar con un segundo disolvente dicha parte de polímero que no ha sido eliminada por el primer disolvente, dejando por lo menos un depósito de material getter (131, 131'', ...; 20) sobre la superficie de soporte; dicho proceso se caracteriza por el hecho de que la operación de deposición catódica no va precedida por operaciones o tratamientos para la formación de rebajos en la parte interior de la capa polimérica, y que dicha operación de deposición catódica se lleva a cabo en una presión de cámara comprendida entre 1 y 5 Pa y con una potencia específica comprendida entre 6 y 13 W por centímetro cuadrado de área del objetivo realmente alterado por el plasma.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SAES GETTERS S.P.A..
Nacionalidad solicitante: Italia.
Dirección: VIA ITALIA, 77,I-20020 LAINATE.
Inventor/es: CONTE, ANDREA, MORAJA, MARCO, GUADAGNUOLO,SARA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación PCT:
- G03F7/004 FISICA. › G03 FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA. › G03F PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO (aparatos de composición fototipográfica B41B; materiales fotosensibles o procesos para la fotografía G03C; electrofotografía, capas sensibles o procesos a este efecto G03G). › G03F 7/00 Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto (utilizando estructuras de fotorreservas para procesos de producción particulares, ver en los lugares adecuados, p. ej. B44C, H01L, p. ej. H01L 21/00, H05K). › Materiales fotosensibles (G03F 7/12, G03F 7/14 tienen prioridad).
- H01L21/027 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 o H01L 21/34.
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