DISPOSICION DE CIRCUITO INTEGRADO CON TRANSISTORES TIPO FUNCION, MOS Y BIPOLARES.

EN UNA DISPOSICION DE CIRCUITO INTEGRADO CON TRANSISTORES TIPO JUNCTION, MOS Y BIPOLARES PARA LA REALIZACION DE FUNCIONES LOGICAS, SE HA CONDUCIDO UNA ENTRADA

(1) A LOS PUERTOS DE LOS TRANSISTORES DE N-CANALFUENTE DEL TRANSISTOR N-CANAL-MOS (2) ESTA UNIDO CON LA BASE DE UN PRIMER TRANSISTOR BIPOLAR (5), EL DRAIN DEL TRANSISTOR NCANAL-MOS (2) ESTA CONECTADO CONJUNTAMENTE CON EL DRAIN DEL TRANSISTOR P-CANAL-MOS (3), CON EL PUERTO DE UN SEGUNDO TRANSISTOR N-CANAL-MOS (4), CON EL PUERTO DE UN TRANSISTOR PCANAL-MOS-DEPLETION (7) Y LA BASE DE UN SEGUNDO TRANSISTOR BIPOLAR (6). LA FUENTE DEL TRANSISTOR P-CANAL-MOS (3) Y EL COLECTOR DEL SEGUNDO TRANSISTOR BIPOLAR (6) ESTAN CONECTADOS A LA TENSION DE SERVICIO (9), EL EMISOR DEL SEGUNDO TRANSISTOR BIPOLAR (6) Y EL COLECTOR DEL PRIMER TRANSISTOR BIPOLAR (5), ESTAN CONECTADOS CONJUNTAMENTE CON UNA SALIDA (10), EL DRAIN DEL SEGUNDO TRANSISTOR N-CANAL-MOS (4) ESTA UNIDO CON LA BASE DEL PRIMER TRANSISTOR BIPOLAR (5), LA FUENTE DEL SEGUNDO TRANSISTOR N-CANAL-MOS (4) Y EL EMISOR DEL PRIMER TRANSISTOR BIPOLAR (5) ESTAN CONECTADOS A MASA (11), Y ENTRE LA SALIDA (10) Y LA BASE DEL PRIMER TRANSISTOR BIPOLAR (5) SE HA DISPUESTO UNA CONEXION EN SERIE DE UN N-CANAL-JFET (8) Y DEL TRANSISTOR P-CANAL-MOSDEPLETION (7), EN EL QUE EL PUERTO DEL N-CANAL-JFET (8) ESTA CONECTADO A MASA O AL DRAIN DEL TRANSISTOR P-CANAL-MOS-DEPLETION (7).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AUSTRIA MIKRO SYSTEME INTERNATIONAL AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Austria.

Dirección: SCHLOSS PREMSTATTEN TOBELBADERSTRASSE 30,A-8141 UNTERPREMSTATTEN.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 27 de Diciembre de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS > TECNICA DE IMPULSO (medida de las características... > Circuitos lógicos, es decir, teniendo al menos dos... > H03K19/003 (Modificaciones para aumentar la fiabilidad)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS > TECNICA DE IMPULSO (medida de las características... > Circuitos lógicos, es decir, teniendo al menos dos... > H03K19/08 (utilizando dispositivos semiconductores (H03K 19/173 tiene prioridad; en los que los dispositivos semiconductores son exclusivamente rectificadores de diodos H03K 19/12))
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS > TECNICA DE IMPULSO (medida de las características... > Circuitos lógicos, es decir, teniendo al menos dos... > H03K19/0944 (utilizando transistores MOSFET (H03K 19/096 tiene prioridad))
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