COMPOSICION DE LIMPIEZA ALCALINA SIN AMONIACO QUE PRESENTAN UNA MEJOR COMPATIBILIDAD CON SUBSTRATOS DESTINADOS A ELEMENTOS MICROELECTRONICOS.

Una composición de limpieza para limpiar substratos microelectrónicos,

comprendiendo la citada composición de limpieza: de aproximadamente 0, 05% a aproximadamente 30% en peso de una o más bases fuertes que no producen amoníaco que contienen contra-iones no-nucleófilos cargados positivamente; de aproximadamente 0, 5 a aproximadamente 99, 95% en peso de uno o más compuestos disolventes inhibidores de la corrosión, teniendo cada compuesto disolvente inhibidor de la corrosión al menos dos lugares capaces de formar complejos con metales; al menos otro co-disolvente orgánico seleccionado entre dimetilsulfóxido, sulfolano, y dimetilpiperidona en una cantidad de hasta aproximadamente 99, 45% en peso; y de aproximadamente 0 a 40% en peso de una amina o alcanol amina impedida estéricamente; de aproximadamente 0 a 40% en peso de un ácido orgánico o inorgánico de aproximadamente 0 a 40% en peso de otros compuestos inhibidores de la corrosión de metales; de aproximadamente 0 a 5% en peso de un agente tensioactivo; de aproximadamente 0 a 10% en peso de un compuesto silicato libre de ión metálico; de aproximadamente 0 a 5% en peso de un agente quelante de metal; de aproximadamente 0 a 10% en peso de un compuesto fluoruro; y agua.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: MALLINCKRODT BAKER, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 675 MCDONNELL BOULEVARD, P.O. BOX 5840,ST. LOUIS, MO 63134.

Inventor/es: HSU,CHIEN-PIN,SHERMAN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación PCT:

  • C11D11/00 QUIMICA; METALURGIA.C11 ACEITES, GRASAS, MATERIAS GRASAS O CERAS ANIMALES O VEGETALES; SUS ACIDOS GRASOS; DETERGENTES; VELAS.C11D COMPOSICIONES DETERGENTES; UTILIZACION DE UNA SOLA SUSTANCIA COMO DETERGENTE; JABON O SU FABRICACION; JABONES DE RESINA; RECUPERACION DE LA GLICERINA.Métodos particulares para la preparación de composiciones que contienen mezclas de detergentes.
  • C11D3/00 C11D […] › Otros compuestos que entran en las composiciones detergentes cubiertas por C11D 1/00.
  • C11D3/02 C11D […] › C11D 3/00 Otros compuestos que entran en las composiciones detergentes cubiertas por C11D 1/00. › Compuestos inorgánicos.
  • C11D3/20 C11D 3/00 […] › que contienen oxígeno.
  • C11D3/26 C11D 3/00 […] › que contienen nitrógeno.
  • C11D3/28 C11D 3/00 […] › Compuestos heterocíclicos que contienen nitrógeno en el ciclo.
  • C11D3/30 C11D 3/00 […] › Aminas; Aminas sustituidas.
  • C11D3/32 C11D 3/00 […] › Amidas; Amidas sustituidas.
  • C11D3/33 C11D 3/00 […] › Acidos aminocarboxílicos.
  • C11D3/42 C11D 3/00 […] › Agentes de blanqueo óptico.
  • C11D3/43 C11D 3/00 […] › Solventes.
  • C11D7/08 C11D […] › C11D 7/00 Composiciones de detergentes basadas esencialmente en compuestos no tensioactivos. › Acidos.
  • C11D7/26 C11D 7/00 […] › que contienen oxígeno.
  • C11D7/32 C11D 7/00 […] › que contienen nitrógeno.
  • C11D7/50 C11D 7/00 […] › Solventes.
  • C23G1/18 C […] › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23G LIMPIEZA O DESENGRASADO DE MATERIALES METALICOS POR METODOS QUIMICOS NO ELECTROLITICOS (composiciones de pulimento C09G; detergentes en general C11D). › C23G 1/00 Limpieza o decapado de materiales metálicos con soluciones o sales fundidas (con solventes orgánicos C23G 5/02). › inhibidores orgánicos.
  • C23G1/20 C23G 1/00 […] › Otros metales pesados.
  • C23G5/036 C23G […] › C23G 5/00 Limpieza o desengrasado de materiales metálicos por otros métodos; Aparatos para la limpieza o el desengrasado de materiales metálicos por medios de solventes orgánicos. › que contienen también nitrógeno.
  • G03F7/42 FISICA.G03 FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA.G03F PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO (aparatos de composición fototipográfica B41B; materiales fotosensibles o procesos para la fotografía G03C; electrofotografía, capas sensibles o procesos a este efecto G03G). › G03F 7/00 Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto (utilizando estructuras de fotorreservas para procesos de producción particulares, ver en los lugares adecuados, p. ej. B44C, H01L, p. ej. H01L 21/00, H05K). › Eliminación de reservas o agentes a este efecto.
  • H01L21/304 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.
  • H01L21/306 H01L 21/00 […] › Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
COMPOSICION DE LIMPIEZA ALCALINA SIN AMONIACO QUE PRESENTAN UNA MEJOR COMPATIBILIDAD CON SUBSTRATOS DESTINADOS A ELEMENTOS MICROELECTRONICOS.

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