7 inventos, patentes y modelos de SCHMITT, JACQUES
REACTOR DE PLASMA PARA EL TRATAMIENTO DE SUSTRATOS DE GRAN SUPERFICIE.
(06/08/2009) Reactor de plasma de alta frecuencia acoplado capacitivamente, que está constituido por: #- al menos dos electrodos distanciados, conductores de electricidad, con una superficie exterior (3a, 5a), que encierran un espacio interior de proceso , en el que se configura u plasma durante el funcionamiento del reactor, #- dispositivos de alimentación de gas para la alimentación del espacio interior de proceso con un gas reactivo, #- al menos un generador de alta frecuencia , que está conectado con al menos uno de los electrodos en un punto de conexión (9a), #- dispositivos para la retirada del gas reactivo fuera del reactor, #- al menos un plano (15a) entre los…
PASADOR DE ELEVACION CON APOYO DE RODILLOS PARA REDUCIR EL ROZAMIENTO.
Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia
(16/09/2008). Ver ilustración. Solicitante/s: OC OERLIKON BALZERS AG. Clasificación: H01L21/68, C23C16/44.
Conjunto de pasador para elevar y dar soporte a sustratos, que comprende: - un pasador de elevación que tiene un extremo superior y un extremo inferior; - construir el extremo superior para recibir y dar soporte a un sustrato ; - construir el extremo de fondo para ser impulsado por un sistema de elevación (3a); - ser sostenido moviblemente el pasador de elevación por una guía, en el que dicha guía comprende un apoyo de rodillos para reducir la fricción del movimiento del pasador en un eje vertical.
DISPOSITIVO DE ELEVACION Y APOYO.
(16/12/2007) Instalación de procesamiento por plasma para el tratamiento de elementos con forma de placa de gran superficie, con un dispositivo de elevación y apoyo que aloja al elemento con forma de placa y con un elemento base metálico, sobre el que está dispuesta una pluralidad de pasadores , que pueden ser anclados en agujeros de pasador previstos en el elemento base, y sobre cuyos extremos el elemento con forma de placa está montado para la manipulación o durante el tratamiento de plasma, pudiendo presentar el elemento con forma de placa una carga electrostática, eligiéndose el diámetro de los agujeros de pasador y de los pasadores…
METODO DE COMPENSACION DE FALTA DE UNIFORMIDAD DE TENSION PARA UN REACTOR DE PLASMA DE ALTA FRECUENCIA PARA EL TRATAMIENTO DE SUSTRATOS DE GRAN AREA RECTANGULAR.
Sección de la CIP Electricidad
(16/12/2007). Ver ilustración. Solicitante/s: OC OERLIKON BALZERS AG. Clasificación: H01J37/32.
Aparato de tratamiento en vacío que comprende una vasija de vacío, al menos dos electrodos que definen un espacio de proceso interno, al menos una fuente de energía que puede conectarse con dichos electrodos, un soporte de sustrato para un sustrato a ser tratado en el espacio de proceso interno y medios de entrada de gas, en el que al menos uno de dichos electrodos tiene una forma rectangular o cuadrada que tiene bordes periféricos, teniendo el al menos un electrodo un perfil cóncavo y un perfil convexo en secciones transversales diferentes, caracterizado porque el al menos un electrodo tiene un perfil generalmente convexo (A-F-D) a lo largo de una sección transversal a lo largo de cada uno de sus bordes, que cambia gradualmente para convertirse en un perfil cóncavo (E-C-H) a lo largo de una sección transversal a través del centro (C) del electrodo, siendo la sección transversal a través del centro (E-C-H) paralela a la sección transversal respectiva a lo largo del borde (A-F-D).
REACTOR DE PLASMA RF ACOPLADO CAPACITIVAMENTE Y METODO PARA FABRICAR PIEZAS.
Sección de la CIP Electricidad
(16/11/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: H01J37/32.
REACTANCIA DE PLASMA RF CON ACOPLAMIENTO CAPACITIVO EN LA CUAL EXISTE UNA ZONA DE DESCARGA ENTRE UN PAR DE ELECTRODOS DISTANTES , UNO AL MENOS DE ESTOS ELECTRODOS ESTA SUBDIVIDIDO EN UNA MULTITUD DE SUBELECTRODOS , QUE ACTUEN EN GRUPOS (A, B, C) SOBRE SEÑALES ELECTRICAS RESPECTIVAS. SELECCIONANDO ADECUADAMENTE LA AMPLITUD, FASE Y CONTENIDO ESPECTRAL DE ESTAS SEÑALES (V 11 A V 13 ) PUEDE LOGRARSE UNA DISTRIBUCION DESEADA DEL EFECTO DE TRATAMIENTO DE UNA PIEZA DEPOSITADA SOBRE EL SEGUNDO ELECTRODO , EN ESPECIAL PARA EL TRATAMIENTO DE PIEZAS DE GRAN SUPERFICIE.
DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO Y MODULO SOLAR DE TRANSPARENCIA PARCIAL; Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.
Sección de la CIP Electricidad
(16/10/1999). Solicitante/s: ANGEWANDTE SOLARENERGIE - ASE GMBH. Clasificación: H01L31/18, H01L27/142.
SE TRATA DE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE COMPRENDE UN SUSTRATO ELECTRICAMENTE AISLANTE TRANSPARENTE, VARIOS ELEMENTOS FOTOSENSIBLES EN CAPAS DELGADAS APILADOS SOBRE EL SUSTRATO, COMPRENDIENDO ESTOS ELEMENTOS UNA CAPA DE MATERIAL CONDUCTOR OPACO ATRAVESADA POR CORTES O ABERTURAS , PRESENTANDO ESTAS VENTAJOSAMENTE UNA FORMA DE ZANJA QUE DISPONEN ENTRE SI TIRAS DE MATERIAL (9A). SE PODRIA PREVEER AISLAMIENTO REFORZADO DE LOS CORTES POR UN REBORDE DE PROTECCION ENTRE CAPAS. LA INVENCION PERMITE OBTENER MODULOS SOLARES O PANELES PARA LA CONSTRUCCION, DE TRANSPARENCIA PARCIAL.
PROCEDIMIENTO DE OPTIMIZACION DE TUBOS MULTI-CAPA DE MATERIALES COMPUESTOS Y TUBOS OBTENIDOS SEGUN EL PROCEDIMIENTO.
(16/08/1993) PROCEDIMIENTO PARA LA OPTIMIZACION DE LAS CARACTERISTICAS DE TUBOS MULTI-CAPA DE MATERIALES COMPUESTOS FIBROSOS, QUE PERMITEN MANTENER EN LIMITES ESPECIFICADOS LOS ALARGAMIENTOS Y LAS CONTRACCIONES LIMITES QUE ESTOS SOPORTE EN RESPUESTA A LOS ESFUERZOS APLICADOS. EL PROCEDIMIENTO CONSTA DE LA SELECCION DE AL MENOS DOS PARAMETROS OPTIMIZADOS CARACTERISTICOS DE CADA CAPA (SU ESPESOR Y EL ANGULO DE BOBINADO DE LAS FIBRAS, POR EJEMPLO) PARTIENDO DE UN TUBO INICIAL ESCOGIDO A PRIORI. MEDIANTE LA APLICACION DE UNAS PEQUEÑAS SEPARACIONES DE LOS PARAMETROS, SE DETERMINAN LAS RELACIONES ENTRE PEQUEÑAS SEPARACIOENS APLICADAS LOS PARAMETROS…
