Generación de un estado no reversible en una célula de bits que tiene una primera unión de túnel magnética y una segunda unión de túnel magnética.
Sección de la CIP Física
(02/07/2019). Solicitante/s: QUALCOMM INCORPORATED. Clasificación: G11C11/16, G11C17/16, G11C17/02.
Un procedimiento que comprende:
aplicar una tensión de programa a una primera unión de túnel magnética MTJ de una célula de bits sin aplicar la tensión de programa a una segunda MTJ de la célula de bits para generar un estado no reversible en la célula de bits ; caracterizado por
detectar el estado no reversible comparando un primer valor leído en la primera MTJ y recibido en una primera entrada de un amplificador diferencial con un segundo valor leído en la segunda MTJ y recibido en una segunda entrada del amplificador diferencial , en el que el primer valor corresponde a una primera tensión de una primera línea de bits (230, 332BL) acoplada a la primera MTJ y el segundo valor corresponde a una segunda tensión de una segunda línea de bits (232, 332BL
) acoplada a la segunda MTJ.
PDF original: ES-2718487_T3.pdf
Receptores gustativos de la familia T1R del gato doméstico.
(03/05/2017) Un polinucleótido aislado y purificado que codifica un polipéptido de receptor T1R felino y que comprende:
a) la secuencia de nucleótidos de la SEC Nº ID:1 o de la SEC Nº ID:99;
b) una variante del polinucleótido de la SEC Nº ID:1 o SEC Nº ID:99, y dicha variante tiene una identidad (igualdad) de al menos un 98% respecto del polinucleótido de la SEC Nº ID:1 o SEC Nº ID:99 y codifica un polipéptido que tiene esencialmente la misma actividad biológica que un polipéptido codificado por la secuencia de nucleótidos de la SEC Nº 10 ID:1 o SEC Nº ID:99;
c) una variante del polinucleótido de la SEC Nº ID:1 o SEC Nº ID:99, y dicha variante tiene una identidad (igualdad) de al menos un 98% respecto del polinucleótido de la SEC Nº ID:1 o SEC Nº ID:99…
Dispositivo de unión túnel magnética y su fabricación.
Secciones de la CIP Física Electricidad
(06/01/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: QUALCOMM INCORPORATED. Clasificación: G01R33/09, H01F10/32, H01L43/08, G11C11/15.
Un aparato que comprende:
un dispositivo de unión túnel magnética que comprende:
una capa libre ; y
una capa de realce de fuerza de par de giro , sensible a la capa libre ,
en el que
la capa de realce de fuerza de par de giro comprende una capa de nano-óxido y el dispositivo de unión túnel magnética comprende además una capa de culminación adyacente a la capa de realce de fuerza de par de giro , caracterizado porque la capa de nano-óxido incluye una capa de oxidación de una aleación metálica no magnética.
PDF original: ES-2567028_T3.pdf
Estructura de unión túnel magnética.
(01/04/2015) Una célula MTJ que comprende:
una zanja en un sustrato ;
una estructura MTJ dentro de la zanja, teniendo la zanja dimensiones que determinan la forma de estructura MTJ, incluyendo la estructura MTJ:
un electrodo inferior depositado dentro de la zanja para cubrir una superficie inferior y una superficie lateral de la zanja;
una pila MTJ depositada sobre el electrodo inferior dentro de la zanja, comprendiendo la pila MTJ una capa fija, una barrera de túnel, y una capa libre; y
un electrodo central dentro de la zanja acoplada a la pila MTJ;
caracterizada porque:
la pila MTJ dentro de la zanja forma al menos dos paredes laterales verticales…
Célula de unión túnel magnética que incluye múltiples dominios magnéticos.
(27/08/2014) Una estructura de unión túnel magnética, (MTJ), que comprende:
una célula MTJ que comprende múltiples paredes laterales que se extienden sustancialmente en perpendicular a una superficie de un sustrato , incluyendo cada una de las múltiple paredes laterales una capa libre para acarrear un dominio magnético único, estando cada uno de los dominios magnéticos únicos adaptado para almacenar un bit de datos, estando la célula MTJ caracterizada por comprender también,
una pared de fondo acoplada a cada una de las múltiples paredes laterales , extendiéndose la pared de fondo sustancialmente en paralelo con la superficie del sustrato…
Configuración de memoria de acceso aleatorio magnética (MRAM) con patrón uniforme.
(09/07/2014) Una matriz de memoria, que comprende:
un patrón de células binarias adyacentes de tamaño uniforme; y
caracterizado por comprender:
un conjunto de circuitos de distribución de señales configurado para ofrecer un área con un volumen total coincidente con un volumen total de un número entero de las células binarias de tamaño uniforme.
Unión túnel magnética (MTJ) y procedimiento de formación de la misma.
(18/06/2014) Una unión túnel magnética, MTJ, en una memoria magnética de acceso aleatorio, MRAM, que comprende:
un primer electrodo y un segundo electrodo ;
una barrera túnel entre el primer electrodo y el segundo electrodo ;
una capa libre entre el segundo electrodo y la barrera túnel ; y
una capa inmovilizada entre el primer electrodo y la barrera túnel ;
en la que la capa inmovilizada se extiende más allá de la capa libre en todas las direcciones paralelas a la capa libre y caracterizada porque el área superficial de la capa inmovilizada es al menos un diez por ciento mayor que el área superficial de la capa libre .
