7 inventos, patentes y modelos de FUJIOKA, YASUSHI
ELEMENTO FOTOVOLTAICO CON UNA CAPA SEMICONDUCTORA QUE CONTIENE MATERIAL CRISTALINO NO SIMPLE, QUE TIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN CANTIDAD DE 1-40 % EN ATOMOS.
Sección de la CIP Electricidad
(01/07/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L31/18, H01L31/02, H01L31/06, H01L21/363, H01L21/365.
UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE GENERA FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ MEDIANTE LA CONEXION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO-P Y OTRA TIPO-N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS ESTA HECHA DE UNA PELICULA DEPOSITADA, COMPUESTA DE ATOMOS DE ZN, SE, OPCIONALMENTE TE, Y POR LO MENOS H, CONTENIENDO DICHA PELICULA DEPOSITADA UN AGENTE DOPANTE TIPO-P O TIPO-N, QUE CONTIENE 1-4 % EN ATOMOS DE ATOMOS DE H, QUE CONTIENEN ATOMOS DE SE Y DE TE EN LA RELACION 1:9-3:7 (EN TERMINOS DE NUMERO DE ATOMOS), Y QUE TAMBIEN TIENE GRANOS EN UNA RELACION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN.
ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO, QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO I, COMPRENDIENDO MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE CONTIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN UNA PROPORCION ATOMICA DEL 1 AL 40%.
(16/05/1996) UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO MEJORADA, QUE PRODUCE FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ POR LA UNION DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P, UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I CONTIENE UN ELEMENTO ELEGIDO DEL GRUPO QUE CONSTA DE UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y LOS CAMPOS DEL GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN Y UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE1-XTEX:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % Y LOS CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN, Y CONTENIENDO TAMBIEN LOS ATOMOS…
ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, CON CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P O N, QUE TIENE MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE, QUE CONTIENE ZN SE, TE H EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y UN DOPANTE, Y CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I QUE TIENE MATERIAL DE SI (H, F) DE CRISTAL NO SIMPLE.
Sección de la CIP Electricidad
(16/08/1995). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L31/18, H01L31/02, H01L31/06, H01L21/365.
UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I Y OTRA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPOS P Y N TIENE UNA PELICULA TIPO P O N DE ZNSE1-XTEX:H:M, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N; LA RELACION CUANTITATIVA DE SE A TE ESTA EN EL INTERVALO DE 1:9 A 3:7 EN TERMINOS DE RELACION ATOMICA, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SENCILLO DE SI(C, GE) (H, F).
ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE CON CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P O N, QUE TIENE MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE, QUE CONTIENE ZN, SE, H EN CANTIDAD DE 1 A 4 % EN ATOMOS Y UN DOPANTE, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, QUE TIENE UN MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F).
Sección de la CIP Electricidad
(16/08/1995). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L31/18, H01L31/02, H01L31/06, H01L21/365.
UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE MEJORADO, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPO P Y N CONTIENE UNA PELICULA DE ZNSE:H:M TIPO P O N, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO DE CRISTAL EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F) O UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (C, GE) (H, F).
SISTEMA RECEPTOR DE LUZ PARA UTILIZAR EN ELECTROFOTOGRAFIA.
Sección de la CIP Física
(16/08/1994). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: G03G5/082.
SE PROPORCIONA UN SISTEMA RECEPTOR DE LUZ MEJORADO PARA UTILIZAR EN ELECTROFOTOGRAFIA, QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO PARA ELECTROFOTOGRAFIA Y UNA CAPA RECEPTORA DE LA LUZ CONSTITUIDA POR UNA CAPA DE INHIBICION DE INYECCION DE CARGA, UNA CAPA FOTOCONDUCTORA Y UNA CAPA SUPERFICIAL, ESTANDO FORMADA LA CAPA DE INHIBICION DE INYECCION DE CARGA POR UN MATERIAL AMORFO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO COMO ATOMOS CONSTITUYENTES PRINCIPALES Y UN ELEMENTO PARA CONTROLAR LA CONDUCTIVIDAD, ESTANDO FORMADA LA CAPA FOTOCONDUCTORA POR UN MATERIAL AMORFO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO COMO ATOMOS CONSTITUYENTES PRINCIPALES, Y POR LO MENOS UNA CLASE ELEGIDA ENTRE ATOMOS DE HIDROGENO Y ATOMOS DE HALOGENO, Y ESTANDO FORMADA LA CAPA SUPERFICIAL DE UN MATERIAL AMORFO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO, CARBONO E HIDROGENO, Y ESTANDO LA CANTIDAD DE ATOMOS DE HIDROGENO CONTENIDOS EN LA SUPERFICIE EN EL INTERVALO DE 41 A 70 % EN ATOMOS.
ELEMENTO RECEPTOR DE LA LUZ PARA USAR EN ELECTROFOTOGRAFIA.
Sección de la CIP Física
(01/08/1994). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: G03G5/082.
SE PROPORCIONA UN ELEMNETO RECEPTOR DE LA LUZ MEJORADO PARA UTILIZAR EN ELECTROFOTOGRAFIA, QUE CONSTA DE UN SUBSTRATO PARA ELECTROFOTOGRAFIA Y UNA CAPA RECEPTORA DE LA LUZ CONSTITUIDA POR UNA CAPA DE INHIBICION DE INYECCION DE CARGA, FORMADA POR UN MATERIAL POLICRISTALINO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO COMO CONSTITUYENTES PRINCIPALES Y UN ELEMENTO PARA CONTROLAR LA CONDUCTIVIDAD, QUE IMPIDE QUE SE INTRODUZCA UNA CARGA DEL LADO DEL SUBSTRATO; UNA CAPA FOTOCONDUCTORA FORMADA POR UN MATERIAL AMORFO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO COMO CONSTITUYENTES PRINCIPALES Y UNA CAPA SUPERFICIAL FORMADA POR UN MATERIAL AMORFO QUE CONTIENE ATOMOS DE SILICIO, ATOMOS DE CARBONO Y ATOMOS DE HIDROGENO, ESTANDO LA CANTIDAD DE ATOMOS DE HIDROGENO CONTENIDOS EN LA CAPA SUPERFICIAL EN EL INTERVALO DE 41 A 70 % EN ATOMOS. LA CAPA RECEPTORA DE LA LUZ PUEDE TENER UNA CAPA DE CONTACTO Y/O UNA CAPA DE ABSORCION DE LA LUZ QUE TIENE UNA LONGITUD DE ONDA LARGA.
MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ PARA ELECTROFOTOGRAFIA.
Sección de la CIP Física
(01/12/1991). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: G03G5/082, G03G5/14.
UN MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ PARA ELECTROFOTOGRAFIA, COMPRENDE UN SUSTRATO Y UNA CAPA RECEPTORA DE LUZ PROVISTA EN EL SUSTRATO COMPRENDIENDO UNA CAPA FOTOCONDUCTORA, COMPRENDIENDO UN MATERIAL AMORFO CON AL MENOS UNO DE LOS ATOMOS DE HIDROGENO Y ATOMOS DE HALOGENO COMO UNA MATRIZ DE ATOMOS DE SILICONA Y CAPA SUPERFICIAL, CONTENIENDO UN MATERIAL MORFO CON ATOMOS DE SILICONA, CARBONO, HIDROGENO Y OTROS COMPONENTES, DICHA CAPA SUPERFICIAL CAMBIA LA CONCENTRACION DE DISTRIBUCION EN LA DIRECCION DE ESPESOR DE LA CAPA DE LOS ELEMENTOS COMPONENTES, TALES QUE EL VACIO OPTICO SE OBTIENE EN LA INTERFAZ CON LA MENCIONADA CAPA FOTOCONDUCTORA Y LA CONCENTRACION DE DISTRIBUCION MAXIMA DE ATOMOS DE HIDROGENO DENTRO DE LA MENCIONADA CAPA SUPERFICIAL DE 41 A 70 PROPORCION ATOMICA.