Cribado de propiedades de nanopartículas.
Sección de la CIP Física
(05/06/2019). Solicitante/s: THE EUROPEAN UNION, REPRESENTED BY THE EUROPEAN COMMISSION. Clasificación: G01N15/00.
Un chip de cribado de nanopartículas que permite determinar propiedades físicas de nanopartículas , en donde el chip de cribado comprende:
un sustrato que presenta una superficie de trabajo dividida en una pluralidad de zonas , en donde:
cada una de estas zonas presenta diferentes propiedades superficiales definidas por el componente de energía superficial (d,b,a), definiendo la energía libre total γTOT de la superficie de cada zona de la manera siguiente:
γTOT = γLW + 2(γ+ γ-)0,5
en donde los componentes son:
γLW = componente dispersivo = d
γ+ = componente aceptor de electrones = b
γ- = componente donador de electrones = a
y
cada una de estas zonas comprende una pluralidad de subzonas , comprendiendo cada subzona una serie de orificios o surcos alargados submicrométricos con un tamaño de apertura diferente (S1, S2, S3, ...).
PDF original: ES-2737726_T3.pdf
Dispositivo de sensor de SPR con nanoestructura.
Sección de la CIP Física
(17/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: THE EUROPEAN UNION, REPRESENTED BY THE EUROPEAN COMMISSION. Clasificación: G01N21/55.
Dispositivo de sensor, que comprende:
un sustrato dieléctrico ;
una capa metálica sobre dicho sustrato con por lo menos un conjunto de nanocavidades en su interior y adaptada para soportar L-SPR, presentando cada una de dichas cavidades en dicha capa metálica una profundidad, una abertura , y
un fondo cerrado y que se ensancha desde la abertura hasta el fondo para formar un patrón de campo eléctrico fuerte alrededor de la abertura de cavidad;
caracterizado porque un lecho de material dieléctrico está previsto sobre el fondo de cada cavidad para formar una profundidad aparente (dA) reducida, estando funcionalizada la superficie de lecho para unirse a unas partes de receptor ;
en el que el espesor de dicho lecho de dieléctrico está diseñado de modo que tras la unión de un analito a dichas partes de receptor, dicho analito esté por lo menos parcialmente situado en la zona de campo eléctrico fuerte.
PDF original: ES-2554258_T3.pdf
Procedimiento de detección por resonancia de plasmones superficiales y sistema de detección.
(06/05/2015) Procedimiento de detección por SPR, que comprende las etapas siguientes:
proporcionar un sensor de SPR que comprende una superficie de sensor que soporta SPR;
poner una muestra que va a analizarse en contacto con dicha superficie de sensor y monitorizar por lo menos una condición de resonancia en dicha superficie de sensor que soporta SPR iluminando dicha superficie de sensor con un haz de luz de prueba que excita SPR y detectando el haz de luz de prueba reflejado o transmitido;
determinar por lo menos una propiedad de dicho haz de luz de prueba reflejado o transmitido;
caracterizado por que comprende
iluminar dicha superficie de sensor con un haz de luz de referencia en condiciones seleccionadas para no excitar SPR en dicha superficie de sensor y detectar la intensidad del haz de luz de referencia reflejado o…
DISTRIBUCION UNIFORME DE GAS EN UN DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO CON PLASMA DE ZONA GRANDE.
Sección de la CIP Electricidad
(22/05/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: EUROPEAN COMMUNITY. Clasificación: H01J37/32.
Aparato para generar un campo magnético variable en el tiempo en una cámara de procesamiento con plasma para crear o mantener un plasma dentro de la cámara mediante acoplamiento inductivo, que comprende: #- un núcleo magnético que presenta una estructura de cara polar (38a; 39a) #- un arrollamiento de inductor asociado con el núcleo magnético, para generar un campo magnético variable en el tiempo a lo largo de toda la estructura de cara polar, #- unos medios para inyectar gas en dicha cámara y a través de dicho núcleo magnético.
METODO Y APARATO PARA EL TRATAMIENTO SECUENCIAL POR PLASMA.
(16/06/2004) Método para el tratamiento por plasma de un sustrato hueco , que comprende las etapas siguientes: a) situar una pluralidad de fuentes de ionización de energía (7 a 10; 107 a 112) todas ellas a lo largo de la parte del sustrato que se va a tratar, b) inyectar un gas de proceso en el interior del sustrato, conteniendo dicho gas un precursor para la creación de plasma, y c) mantener la presión en el interior del tubo dentro de un rango predeterminado, caracterizado porque comprende además la etapa de: d) energizar a partir de una única fuente de energía de frecuencia de radio las fuentes de ionización de energía, en secuencia, para crear…
CAMARA DE TRATAMIENTO POR PLASMA Y DISPOSITIVO QUE UTILIZA DICHA CAMARA DE TRATAMIENTO.
Sección de la CIP Electricidad
(01/05/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: EUROPEAN COMMUNITY. Clasificación: H01J37/32.
LA CAMARA DE PROCESO PARA UN APARATO DE DEPOSICION AUMENTADA DE VAPORES QUIMICOS ES DEL TIPO ADAPTADO PARA RECIBIR ENERGIA ELECTROMAGNETICA POR ACOPLAMIENTO INDUCTIVO DESDE UN INDUCTOR EXTERIOR CONECTADO A UNA FUENTE DE CA , PARA AUMENTAR O SOSTENER UN PLASMA. DENTRO DE LA CAMARA DE PROCESO, SE PROPORCIONAN UNOS MEDIOS CONDUCTORES , DISPUESTOS A UNA DISTANCIA PREDETERMINADA (D) DE LA SUPERFICIE INTERIOR DE AL MENOS PARTE DE SUS PORCIONES DE PARED ENVOLVENTE, DE MANERA QUE INHIBA EL REVESTIMIENTO DE MATERIAL DE DEPOSICION DE VAPOR SOBRE ESTA SUPERFICIE DE PARED INTERNA. LOS MEDIOS CONDUCTORES PUEDEN ADOPTAR LA FORMA DE UNA ESTRUCTURA CONDUCTORA QUE TIENE UNA SUPERFICIE EXTERIOR QUE SIGUE UN CONTORNO DE AL MENOS PARTE DE LAS PORCIONES DE PARED QUE FORMAN LA CAMARA DE PROCESO. LA ESTRUCTURA CONDUCTORA PUEDE COMPRENDER ABERTURAS PARA FACILITAR EL PASO DE ENERGIA ELECTROMAGNETICA AL INTERIOR DE LA CAMARA DE PROCESO.
APARATO DE PROCESAMIENTO DE PLASMA CON PARED CONDUCTORA ELECTRICA.
(01/01/2004) Aparato para procesamiento de plasma, que comprende: una cámara de plasma que comprende una pared eléctricamente conductora , en el que dicha pared eléctricamente conductora presenta una o mas aberturas para interrumpir un trayecto de corriente en dicha pared cuando se suministra energía electromagnética al interior de la cámara desde el exterior de la cámara, medios electromagnéticos externos para suministrar energía electromagnética al interior de dicha cámara de plasma a través de dicha pared eléctricamente conductora para crear un plasma en el interior de la cámara, y medios de sellado para sellar dicha por lo menos una abertura, caracterizado porque dichos medios de sellado comprenden uno o mas elementos de cerramiento eléctricamente conductores , y porque cada abertura esta sellada con uno de dichos elementos de cerramiento…
APARATO PARA PRODUCIR UN PLASMA INDUCTIVO EXTENSO PARA EL PROCESAMIENTO POR PLASMA.
(16/10/2003) EL APARATO GENERA UN CAMPO MAGNETICO QUE VARIA CON EL TIEMPO, A TRAVES DE UNA VENTANA DE ADMISION DE CAMPO DE LA CAMARA DE PROCESO DE PLASMA , PARA CREAR O SOSTENER UN PLASMA DENTRO DE LA CAMARA POR ACOPLAMIENTO INDUCTIVO. COMPRENDE: - UN NUCLEO MAGNETICO QUE PRESENTA UNA ESTRUCTURA DE FRENTE DE POLO UNIPOLAR (26A; 260A) ADAPTADA PARA SER APLICADA CONTRA LA VENTANA O CERCA DE LA MISMA, Y QUE TIENE UNA ZONA DE EMISION DE CAMPO ACTIVA CUYO TAMAÑO Y FORMA COINCIDEN SUSTANCIALMENTE CON LA VENTANA DE ADMISION DE CAMPO, Y - UN MEDIO INDUCTOR ASOCIADO AL NUCLEO MAGNETICO, PARA GENERAR UN CAMPO MAGNETICO, VARIABLE EN EL TIEMPO Y DISTRIBUIDO DE MANERA PRACTICAMENTE UNIFORME…
