7 inventos, patentes y modelos de AIZAWA, KOICHI

(16/01/2012) Una red de fuentes electrónicas por emisión de campo que comprende un substrato eléctricamente conductor que tiene una capa eléctricamente conductora situada sobre una de las superficies principales de dicho substrato conductor; una capa de deriva de campo eléctrico intenso formada sobre la citada capa conductora de dicho substrato eléctricamente conductor , y electrodos de superficie de una película delgada eléctricamente conductora formada sobre la capa de deriva de campo eléctrico intenso , en la que se inyectan electrones desde dicho substrato eléctricamente conductor en la citada capa de deriva de campo eléctrico intenso y son derivados y descargados a través de la citada película conductora delgada cuando se aplica, durante la actuación de la red, una tensión a través de dicha película conductora…

(19/12/2011) Un procedimiento para fabricar una fuente de electrones del tipo emisión de campo que comprende un sustrato eléctricamente conductor , una capa impulsora del campo fuerte formada sobre la superficie del sustrato eléctricamente conductor , capa impulsora que comprende granos de silicio policristalino en forma de columna , películas finas de óxido de silicio formadas sobre las superficies de los granos de silicio policristalino , capas de silicio cristalino fino de orden nanométrico que se ponen entre los granos de silicio policristalino y películas de óxido de silicio formadas sobre las superficies…

(16/09/2007) Se provee de una fuente de electrones de tipo emisión de campo 10 con un substrato de silicio de tipo n 1, una capa de fuerte deriva de campo 6 formada directamente sobre el substrato de silicio de tipo n 1, o introduciendo una capa de silicio policristalina 3 entre medias, y una película delgada conductora de la electricidad 7, que es una película delgada de oro, formada en la capa de fuerte deriva de campo 6. Además, se dispone de un electrodo óhmico 2 en la superficie trasera del substrato de silicio tipo n 1. Enseguida, los electrones, que se inyectan desde el substrato de silicio de tipo n 1, en la capa de fuerte deriva de campo 6, derivan en la capa de fuerte deriva de campo 6 hacia la superficie de la capa, y después pasan a través de la…

(16/08/2004) Se facilita una fuente de electrones en emisión de campo a bajo coste en la que los electrones se pueden emitir con alta estabilidad y alta eficiencia, y un procedimiento para producir la misma. En la fuente de emisión de electrones en campo, se forma una parte de deriva de campo eléctrico fuerte 106 en el sustrato de silicio de tipo n sobre la superficie principal del mismo y se forma un electrodo de superficie 107 hecho de una película delgada de oro sobre la parte de deriva de campo eléctrico fuerte 106. Y el electrodo óhmico 2 se forma sobre la superficie posterior del sustrato de silicio de tipo n 101. En esta fuente de electrones de emisión de campo 110, cuando el electrodo de superficie 107 está colocado en el vacío y se…