14 patentes, modelos y diseños de SOLAREX CORPORATION

Sección de la CIP Electricidad

(01/08/1995). Inventor/es: MARSHALL, JACK. Clasificación: H01L31/048, H01L27/142.

UN METODO DE ENCAPSULAR UN MODULO FOTOVOLTAICO Y UN MODULO FOTOVOLTAICO ENCAPSULADO. EL MODULO FOTOVOLTAICO INCLUYE UN SUPERESTRATO Y UNA O MAS CELULAS FOTOVOLTAICAS DISPUESTAS SOBRE EL SUPERESTRATO. ESTA APLICADO UN RECUBRIMIENTO DE BARRERA A LA CARA EXPUESTA DEL MODULO FOTOVOLTAICO. EL RECUBRIMIENTO DE BARRERA ES UNA MEZCLA DE UN POLIURETANO FLUORADO DE DOS COMPONENTES, CON 3GLISIDOXIDO PROPILTRIMETOXISILANO. EL MODULO FOTOVOLTAICO PUEDE INCLUIR TAMBIEN UN CONJUNTO DE AISLAMIENTO SITUADO EN TORNO AL PERIMETRO DE LA SUPERFICIE EXPUESTA DEL MODULO.

Sección de la CIP Electricidad

(03/04/1984). Clasificación: H01L21/285.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CONTACTOS ELECTRICOS EN CELULAS FOTOVOLTAICAS.LA CELULA FOTOVOLTAICA TIENE UNA SUPERFICIE FRONTAL QUE RECIBE Y ABSORBE LA LUZ QUE INCIDE SOBRE ELLA, Y UNA SUPERFICIE POSTERIOR OPUESTA A ELLA. DISPONE DE UN CONTACTO ELECTRICO QUE CUBRE AL MENOS UNA PARTE DE UNA O AMBAS SUPERFICIES, Y FORMADO POR UNA CAPA DE ALUMINIO Y DE AL MENOS UN 10 DE METAL BLANDO SOLDABLE.

Sección de la CIP Electricidad

(01/08/1983). Clasificación: H01L21/285.

PROCEDIMIENTO PARA APLICAR UN CONTACTO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR A LA SUPERFICIE DE UNA CELULA FOTOVOLTAICA. SE FORMA UNA MEZCLA DE ALUMINIO Y UN METAL BLANDO SOLDABLE, TAL COMO ZINC, A UNA TEMPERATURA SUPERIOR A LA TEMPERATURA DE ALEACION DE DICHA MEZCLA Y SILICIO, CONSTITUYENDO EL METAL BLANDO AL MENOS EL 10% APROXIMADAMENTE DE LA MEZCLA. SE PULVERIZA LA MEZCLA HACIA DICHA SUPERFICIE A UNA DISTANCIA TAL QUE LA MEZCLA ENTRE EN CONTACTO CON LA SUPERFICIE A UNA TEMPERATURA A LA CUAL SE ALEA CON EL SILICIO Y SE ADHIERE ASI A LA SUPERFICIE.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/02/1983). Clasificación: C30B31/02.

PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR SOBRE UNA LAMINA DE SILICIO UNA PELICULA ESENCIALMENTE CONTINUA DE ACIDO FOSFORICO, LA CUAL MEDIANTE UN TRATAMIENTO ULTERIOR FORMA UNA UNION ELECTRICA P-N. COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE VAPORIZA ACIDO FOSFORICO MEDIANTE LA PULVERIZACION DE ACIDO FOSFORICO EN UN TUBO CALENTADO A UNA TEMPERATURA COMPRENDIDA ENTRE 400 Y 800 GRADOS, SIENDO PORTADO DICHO ACIDO FOSFORICO POR UN GAS INERTE; SEGUNDA, SE CONDENSA EL MENCIONADO VAPOR SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE SILICIO PAR FORMAR UNA PELICULA CONTINUA; Y POR ULTIMO, SE CALIENTA LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE SILICIO PARA FORMAR UNA CAPA DE OXIDO DE FOSFORO-SILICATO-CRISTAL , CON UN ESPESOR COMPRENDIDO ENTRE 90 Y 200 A. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS, TALES COMO CELULAS SOLARES. L.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1982). Clasificación: H01L31/0216.

PROCEDIMIENTO PARA APLICAR UN REVESTIMIENTO ANTIRREFLEXIVO Y UNA REJILLA A LA SUPERFICIE DE UNA CELULA DE ENERGIA, ESTANDO ADAPTADA DICHA SUPERFICIE PARA ABSORBER LA LUZ QUE INCIDE SOBRE LA MISMA. COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE COLOCA UN ESPARCIDO SOBRE LA SUPERFICIE DE LA CELULA DE ENERGIA SOLAR, TENIENDO DICHO ESPARCIDO UN DISEÑO EN EL CUAL ESTA ABIERTA EL AREA A REVESTIR; SEGUNDA, SE APLICA UNA PASTA DE ALCOXIDO METALICO A DICHO ESPARCIDO; TERCERA, SE CALIENTA LA CELULA REVESTIDA A UNA TEMPERATURA COMPRENDIDA ENTRE 300 Y 550 GRADOS, PARA DESCOMPONER EL ALCOXIDO Y FORMAR EL OXIDO METALICO; Y POR ULTIMO, SE DEPOSITA EN LAS AREAS LIMPIAS DE LA SUPERFICIE DE LA CELULA UN COMPUESTO DE NIQUEL PARA FORMAR LA REJILLA METALICA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/05/1982). Clasificación: H01L31/18.

PROCEDIMIENTO PARA LA APLICACION DE UN REVESTIMIENTO ANTIRREFLECTANTE A LA SUPERFICIE DE UNA CELULA DE ENERGIA SOLAR. COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE CALIENTA LA SUPERFICIE DE LA CELULA DE ENERGIA SOLAR A UNA TEMPERATURA APROXIMADA DE UNOS 325, SEGUNDA, SE DIRIGE HACIA DICHA SUPERFICIE CALIENTE UNA CORRIENTE DE VAPOR DE UN COMPUESTO METALICO SELECCIONADO ENTRE UN HALURO METALICO Y UN ALCOXILO METALICO, SOLO O EN COMBINACION CON UN GAS REDUCTOR, Y POR ULTIMO SE DIRIGE TAMBIEN CONTRA DICHA SUPERFICIE UNA CORRIENTE DE OXIGENO DE TAL FORMA QUE OXIDE EL COMPUESTO METALICO YA DEOSITADO, FORMANDOSE UNA CAPA ANTIRREFLECTANTE SOBRE DICHA SUPERFICIE.

Sección de la CIP Electricidad

(16/09/1981). Clasificación: H01L21/90.

METODO PARA APLICAR UN REVESTIMIENTO ANTIRREFLEXIVO A UNA CELULA FOTOVOLTAICA DE SILICIO A LA QUE SE ADAPTAN CONTACTOS ELECTRICOS. SE APLICA UN REVESTIMIENTO ANTIRREFLEXIVO QUE CONTIENE TANTALO A LA SUPERFICIE FRONTAL DE UNA CELULA DE SILICIO, POR CENTRIFUGADO. SE COCHURA EL REVESTIMIENTO PARA CONVERTIR EL TANTALO EN PENTOXIDO DE TANTALO Y ADHERIRLO A LA SUPERFICIE DE LA CELULA. SE APLICA PINTURA EN FORMA DE BARRAS SOBRE EL REVESTIMIENTO. SE APLICA, POR PULVERIZACION, UN MATERIAL DE CONTACTO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR, COMO EL ALUMINIO, EN LAS ZONAS SIN PUNTURA, QUE PENETRA POR ALGUNOS PUNTOS EN LA CAPA DE REVESTIMIENTO, ESTANDO EN CONTACTO ELECTRICO CON LA SUPERFICIE DE LA CELULA. SE SUMERGE LA LAMINA EN UN DISOLVENTE PARA PINTURA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/04/1981). Clasificación: H01L21/90.

PROCEDIMIENTO PARA APLICAR UN CONTACTO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR A LA SUPERFICIE RECEPTORA DE LUZ DE UNA CELULA FOTOVOLTAICA DE SILICIO. A UNA CELULA , CON UNA CAPA DE REVESTIMIENTO ANTIRREFLEXION , SE LE APLICA UNA PINTURA EN LAS ZONAS DONDE NO SE QUIERE ESTABLECER UNA CAPA CONDUCTORA , POR CENTRIFUGACION A ELEVADA TEMPERATURA, DE PARTICULAS METALICAS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/04/1981). Clasificación: H01L31/04.

SUPERFICIE DE ABSORCION DE CELULAS DE ENERGIA SOLAR DE SILICIO. SE FORMA CON UNA SERIE DE INDENTACIONES DE FORMA PIRAMIDAL RODEADAS POR EL CUERPO DE LA CELULA. LAS CELULAS TIENEN UNA SUPERFICIE POSTERIOR, OPUESTA A LA SUPERFICIE PRINCIPAL, CON IDENTACIONES PIRAMIDALES LLENAS DE UN METAL TERMOCONDUCTOR. ESTAS CELULAS DE SILICO SON DEL TIPO QUE TIENEN UNA SUPERFICIE PRINCIPAL ADAPTADA PARA RECIBIR LUZ INCIDENTE SOBRE LA MISMA Y ABSORBER Y CONVERTIR DICHA LUZ EN ENERGIA ELECTRICA.

Sección de la CIP Física

(16/12/1980). Clasificación: G21H1/12.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULAS SOLARES. A UNA PLACA DE SILICIO CON UNA SUPERFICIE PRINCIPAL Y PREVIAMENTE DOPADA CON BORO, SE LE SOMETE A UNA ATMOSFERA DE VAPOR DE AGUA A 900GC, Y SE FORMA UNA CAPA ENMASCARANTE DE DIOXIDO DE SILICIO. SOBRE ESTA SE APLICA UNA CAPA FOTORRESISTIVA , Y POR EXPOSICION FOTOGRAFICA Y POSTERIOR DISOLUCION SE RETIRAN ALGUNAS PARTES DE ELLA, APARECIENDO UNAS REGIONES ABIERTAS . EN ESTAS, MEDIANTE LA ACCION DE UN MORDENTE, SE ELIMINA LA CAPA ENMASCARANTE , QUEDANDO UNAS ABERTURAS ; ACTO SEGUIDO, POR INMERSION EN UN DISOLVENTE ORGANICO, DESAPARECE EL RESTO DE LA CAPA FOTORRESISTIVA 814), QUEDANDO LA PLACA , DANDO COMO RESULTADO UNA SUPERFICIE CON PLANOS INCLINADOS QUE SE JUNTAN EN UN VERTICE . UN NUEVO TRATAMIENTO CON ACIDO FLUORHIDRICO ELIMINA LAS ZONAS DE CAPA ENMASCARANTE , QUEDANDO LA SUPERFICIE CON UNAS INDENTACIONES . H.

Sección de la CIP Física

(01/10/1980). Clasificación: G21H1/12.

Perfeccionamientos en células de energía solar, del tipo que comprenden un cuerpo de silicio que tiene superficies opuestas, estando adaptada una de ellas para la incidencia de luz sobre la misma, y una unión fotovoltaica formada hacia el interior de dichas superficies y que divide al cuerpo de silicio en zonas de tipos opuestos de conductividad, caracterizados porque se proporciona un revestimiento anti-reflexivo sobre dicha superficie de incidencia de luz, que consiste esencialmente en un sub-óxido de tántalo de fórmula Ta2Oy en donde y es un número de 2,5 a 4,8 aproximadamente, sobre una base de proporción atómica.

Sección de la CIP Electricidad

(16/09/1980). Clasificación: H01L31/18.

Procedimiento para aplicar un contacto eléctricamente conductor a la superficie de una célula fotovoltaica, caracterizado porque comprende las etapas de forma partículas de un material metálico a una temperatura superior a la temperatura de aleación de dicho material con silicio; y pulverizar dichas partículas hacia la citada superficie, a una distancia tal que las partículas entren en contacto con la superficie a una temperatura a la cual se alearan con el silicio adheriendose con ello a dicha superficie.