2349 patentes, modelos y diseños de PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V. (pag. 12)

UNA DISPOSICIÓN DE CIRCUITO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: H03K17/64, H03K4/62, H03K17/0412.

Resumen no disponible.

DISPOSITIVO ELECTROÓPTICO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: H01L31/12, H03F3/08, H01L31/14.

Resumen no disponible.

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.

Sección de la CIP Electricidad

(16/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: H01L.

Resumen no disponible.

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CAPACITOR ELECTROLÍTICO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/01/1962). Clasificación: H01G9/02.

Resumen no disponible.

TUBO DE RAYOS CATÓDICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: H01J29/87.

Resumen no disponible.

DISPOSITIVO PARA SEPARAR UN CUERPO DESDE UNA PLURALIDAD DE CUERPOS FLEXIBLES ALARGADOS.

Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Electricidad

(16/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: B65G47/14, H01J9/46.

Resumen no disponible.

UN MECANISMO CORTANTE PARA UN APARATO LIMPIADOR DE HILOS.

Sección de la CIP Textiles y papel

(01/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: D01D.

Mecanismo cortador para ser usado en un limpiador de hilado, que comprende un circuito electromagnético y un miembro cortado accionado por el mismo, caracterizado por el hecho de que el miembro cortador está acoplado a un imán permanente montado desplazablemente en el circuito magnético.

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CONJUNTOS CONDUCTORES.

(01/01/1962) Método de fabricación de conjuntos semiconductores con capa de bloqueo que comprenden un cuerpo semiconductor de silicio, mediante un tratamiento de aleación difusión en que la difusión predominante de una impureza aceptora desde una masa fundida de material electródico provista sobre el cuerpo de silicio que contiene una impureza aceptora activa y una impureza dadora activa, se forma una capa de difusión de tipo p, en el silicio adyacente, después de lo cual, durante el enfriamiento, en orden de sucesión , son depositadas una capa de silicio recristalizado de tipo n, debido a la segregación predominante del dador, y un material electródico residual para ser usado como un contacto, desde esta masa fundida sobre dicha capa de difusión, caracterizado por el hecho de que al menos una de las impurezas que actúan en el proceso de aleación…

MEJORAS INTRODUCIDAS EN LOS CÁTODOS DE CALDEO DIRECTO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: H01J1/16, H01J1/18.

Mejoras introducidas en los cátodos directamente calentados para un tubo de descarga eléctrica que comprende un número de alambres delgados conectados paralelamente, caracterizadas por el hecho de que los alambres están arrollados sobre dos casquillos metálicos en forma de U aislados uno del otro, que están dispuestos sobre dos extremos opuestos de una placa de soporte y uno de cuyos casquillos, por lo menos está deslizablemente dispuesto sobre dicha placa.

TUBO TRANSMISOR.

Sección de la CIP Electricidad

(01/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: H01J5/54, H01J19/50, H01J5/42.

Tubo transmisor adecuado para frecuencias superiores a 4 mc/s en que al menos un conductor de alimentación que transporta corriente de alta frecuencia está provisto con un miembro de contacto que está sellado en la pared de vidrio por medio de un casquillo metálico, caracterizado por el hecho que próximo al punto de sellado, un anillo metálico discoidal está vinculado al casquillo.

DISPOSICIÓN DE CIRCUITO PARA SINCRONIZAR UN OSCILADOR LOCAL.

(01/01/1962) Disposición de circuito para sincronizar un oscilador local con ayuda de señales de sincronización pulsantes entrantes, que comprende un circuito para mantener al oscilador local en un estado de sincronización con la ayuda de la señal de sincronización y un circuito de enganche para volver al oscilador local al estado de sincronización con la ayuda de dichas señales de sincronización cuando se ha producido un estado de no sincronización, caracterizada por el hecho de que a un primer electrodo de un elemento incluido en el circuito de enganche es aplicado un impulso sincronizador con una polaridad que desbloquea a este elemento, mientras que a un segundo electrodo es aplicada ya sea una tensión pulsante suministrada…

UN DISPOSITIVO QUE INCLUYE UN DIODO DE TUNEL.

Sección de la CIP Electricidad

(01/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: H03D.

Resumen no disponible.

MÉTODO Y DISPOSITIVO DE GRABACIÓN MAGNÉTICA.

Sección de la CIP Física

(01/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: G11B.

Resumen no disponible.

DISPOSITIVO DE BOBINA DE REACTANCIA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: H01F27/245.

Resumen no disponible.

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN CONTACTO DE ALEACIÓN SOBRE UN SEMICONDUCTOR.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(01/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: H01L21/00, C22C1/02, H01L21/24.

Método de fabricación de un contacto de aleación que contiene aluminio sobre un cuerpo semiconductor, en que un material portador es aleado sobre el cuerpo semiconductor en una atmósfera inerte y se agrega aluminio al material portador, caracterizado por el hecho de que durante el proceso de aleación, una colada separada que contiene aluminio metálico o una aleación de aluminio, es calentada a una temperatura comprendida entre 1000ºC y 1400ºC, siendo absorbido el aluminio de la colada en el material portador a través de la atmósfera inerte.

UN DISPOSITIVO PARA DESCUBRIR IRREGULARIDADES EN HILOS.

Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Electricidad

(01/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: B65H63/06, H03B5/24.

Dispositivo para descubrir irregularidades en hilos que comprende un capacitor de medición incluido en el circuito de realimentación de un oscilador, siendo hecho pasar el hilado entre los electrodos del capacitor cuyas variaciones de capacitancia, producidas por las irregularidades del hilado, afectan las condiciones de generación del oscilador, caracterizado por el hecho de que el oscilador comprende una pluralidad de etapas amplificadoras a transistor y un elemento no lineal que consiste de dos diodos conectados en serie, conectados a través de un resistor serie en la dirección inversa a una tensión continua fija, siendo aplicada la tensión alterna generada por el oscilador al punto de unión de dichos diodos siendo tal la disposición que la amplificación es afectada por el amortiguamiento dependiente de la amplitud producido por los diodos.

UN MÉTODO PARA LA PRODUCCIÓN DE DERIVADOS DE GUANIDINA.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/01/1962). Clasificación: C07C279/26, C07.

Resumen no disponible.

TELÉFONO O MICROTELÉFONO ELECTROMAGNÉTICO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/01/1962). Ver ilustración. Clasificación: H04.

Resumen no disponible.

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN CABEZAL MÚLTIPLE PARA REGISTRO MAGNÉTICO.

Sección de la CIP Física

(16/12/1961). Ver ilustración. Clasificación: G11B5/29.

Resumen no disponible.

MEJORAS INTRODUCIDAS EN LAS LÁMPARAS ELÉCTRICAS INCANDESCENTES CON RELLENO GASEOSO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1961). Ver ilustración. Clasificación: H01K1/16, H01K1/20.

Resumen no disponible.

HORNO PARA LA FABRICACIÓN DE MATERIALES DE VARILLA O MATERIAL TUBULAR.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/12/1961). Ver ilustración. Clasificación: C03B3/00, C03B5/12, C03B5/26, C03B17/04.

Horno para la fabricación de material de varilla o material tubular claro que consiste de cuarzo, vidrio de cuarzo u otros vidrios que tienen un contenido elevado de SiO2, que comprende una salida para el material fundido provisto con un dispositivo de calentamiento, y medios para suministrar materia prima al horno, caracterizado porque una de las paredes laterales verticales del horno tiene una abertura en que se ubica un quemador que está ubicado de modo que la llama que emerge de él está dirigida, al menos substancialmente en una dirección horizontal y colocada a corta distancia por encima de la superficie de la masa fundida presente en el horno, mientras que los medios para suministrar materia prima están construidos de modo que permitan disponer una capa delgada y preferentemente única de materia prima en la superficie superior de la masa fundida.

MEJORAS INTRODUCIDAS EN LA FABRICACIÓN DE OBJETOS DE VIDRIO CUBIERTOS CON UNA CAPA BAJO ESFUERZO DE COMPRESIÓN.

Secciones de la CIP Física Química y metalurgia

(16/12/1961). Clasificación: G05B11/01, C03C8/10.

Mejoras introducidas en la fabricación de objetos de vidrio cubiertos, al menos parcialmente, con una capa bajo esfuerzo de compresión, caracterizadas por el hecho de que esta capa consiste, al menos parcialmente, en esmalte cristalizado de la composición siguiente 40 a 72% en peso de óxido de plomo 15 a 40 % en peso, de óxido de zinc y 7,5 a 25% en peso de trióxido de boro.

DISPOSITIVO PARA LA PRODUCCIÓN DE IMANES PERMANENTES.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1961). Clasificación: H01.

Resumen no disponible.

MÉTODO PARA AJUSTAR UNA PRESIÓN DE VAPOR DE UNA SUSTANCIA EN UN ESPACIO.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia Técnicas industriales diversas y transportes

(16/12/1961). Ver ilustración. Clasificación: H01L21/00, C30B33/00, B01J12/00.

Resumen no disponible.

MÉTODO PARA EL TRATAMIENTO CONTINUO DE UN POLVO FERROMAGNÉTICO POR LO MENOS EN PARTE.

Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Química y metalurgia Física

(16/12/1961). Ver ilustración. Clasificación: B01J8/08, C01G49/06, B01J19/00B2, B01J8/00F6, G11B5/706C6B, G11B5/706C6C, B01J8/00, B01J19/00, G11B5/706.

Resumen no disponible.

DISPOSITIVO PARA RECUBRIR CON UN POLVO LAS SUPERFICIES INTERNAS DE AMPOLLAS PARA LÁMPARAS INCANDESCENTES Y TUBOS DE DESCARGA.

Secciones de la CIP Electricidad Técnicas industriales diversas y transportes

(16/12/1961). Ver ilustración. Clasificación: H01J9/20, B05B5/12.

Resumen no disponible.

MEJORAS INTRODUCIDAS EN LA FABRICACIÓN DE UN TUBO DE DESCARGA DE VAPOR DE MERCURIO Y UNA CAPA LUMINISCENTE.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/12/1961). Ver ilustración. Clasificación: C09K11/425, C09K11/30.

Resumen no disponible.

MÉTODO DE PURIFICACIÓN DE INSULINA CRISTALINA.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/12/1961). Clasificación: C07K14/625.

Método de purificación de insulina cristalina, que está mezclada con constituyentes extraños amorfos o microcristalinos, caracterizado por el hecho de que el cristalato impuro es lavado con un líquido acuoso cuyo pH es fijado entre 3,8 y 4,3 con la ayuda de un ácido débil o una mezcla buffer.

MEJORAS INTRODUCIDAS EN LA FABRICACIÓN DE MATERIALES FERROMAGNÉTICOS.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/12/1961). Clasificación: C04B35/26B2, C04B35/26B4, C04B35/26B6, C04B35/26B, C04B35/26.

Resumen no disponible.

UNA VÁLVULA DE DESCARGA ELÉCTRICA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/12/1961). Clasificación: H01J19/28.

Resumen no disponible.

DISPOSITIVO PARA DOBLAR UN TUBO DE VIDRIO RECTO.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/12/1961). Ver ilustración. Clasificación: C03B23/06B, C03B23/06.

Resumen no disponible.

UNA DISPOSICIÓN DE BOBINAS DE DESVIACIÓN PARA TUBOS DE IMAGEN DE TELEVISIÓN.

Sección de la CIP Electricidad

(01/12/1961). Ver ilustración. Clasificación: H04N, H01J.

Resumen no disponible.

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