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CATODO DE PULVERIZACION SEGUN EL PRINCIPIO MAGNETRON.

Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad

(01/11/2007). Ver ilustración. Inventor/es: KREMPEL-HESSE, JORG, DR., ADAM, ROLF, LIEHR,MICHAEL,DR. Clasificación: C23C14/35, H01J37/34.

EN UN CATODO DE PULVERIZACION POR EL PRINCIPIO MAGNETRON CON UNA PANTALLA FORMADA POR, AL MENOS, UNA PIEZA DEL MATERIAL A PULVERIZAR, CON UN SISTEMA MAGNETICO DISPUESTO DETRAS DE LA PANTALLA CON FUENTES DE POLARIZACION DISTINTA QUE FORMAN, AL MENOS, UN TUNEL CERRADO DE LINEAS DE CAMPO CURVADAS A MODO DE ARCO, UNIENDOSE LOS POLOS OPUESTOS A LA PANTALLA DE LAS FUENTES A TRAVES DE UNA CULATA DEL ELECTROIMAN DE MATERIAL IMANTADO BLANDO, LOS CUERPOS QUE FORMAN LAS FUENTES DE LOS CAMPOS MAGNETICOS FORMAN PRISMAS RECTOS (2C, 2D), PREFERENTEMENTE PARALELEPIPEDOS, CUYOS BORDES PRINCIPALES SE ORIENTAN PARALELAMENTE AL PLANO DE LA PANTALLA, DESARROLLANDOSE LAS LINEAS DE CAMPO DE LAS FUENTES CON UNA INCLINACION EN EL ANGULO AL CON RE SPECTO A LAS SUPERFICIES DEL CUERPO.

DIANA PARA UN DISPOSITIVO DE PULVERIZACION CON CATODO PARA LA PRODUCCION DE CAPAS DELGADAS.

Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad

(16/05/2004). Ver ilustración. Inventor/es: JUNG, MICHAEL, KREMPEL-HESSE, JORG, DR., ADAM, ROLF. Clasificación: C23C14/34, C23C14/35, H01J37/34.

EN UNA PANTALLA PARA UN MECANISMO DE PULVERIZACION DE CATODOS PARA LA FABRICACION DE CAPAS FINAS EN UN SUSTRATO MEDIANTE PLASMA EN UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO AL VACIO, REALIZANDOSE LA PANTALLA A MODO DE PLACA, PREFERENTEMENTE DE FORMA CILINDRICA CIRCULAR O PARALELEPIPEDA Y DISPONIENDOSE EN LA CARA OPUESTA AL SUSTRATO DE LA PANTALLA UN SISTEMA MAGNETICO CON FUENTES DE DISTINTA POLARIZACION QUE FORMAN, AL MENOS, UN TUNEL CERRADO DE LINEAS DE CAMPO CURVADAS A MODO DE ARCO, SE PRACTICAN EN LA SUPERFICIE DE LA PANTALLA ORIENTADA HACIA EL SUSTRATO, UNAS RANURAS O MUESCAS FORMADAS POR DOS SECCIONES SEMICIRCULARES Y DOS SECCIONES RECTAS QUE CONSTITUYEN RESPECTIVAMENTE UNA PISTA CERRADA OVAL, DISPONIENDOSE VARIAS DE ESTAS MUESCAS CIRCULARES U OVALADAS A MODO DE PISTA CONCENTRICAMENTE LAS UNAS RESPECTO A LAS OTRAS Y LIMITANDOSE DICHAS MUESCAS POR MEDIO DE DOS SUPERFICIES INCLINADAS PLANAS (4A, 4B; 5A, 5B,...) CON INCLINACIONES IGUALES O DIFERENTES ( AL O BE ) HACIA EL PLANO DEL SUSTRATO E.

DISPOSITIVO PARA RECUBRIR SUSTRATOS EN FORMA DE PLACA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/04/2004). Ver ilustración. Inventor/es: SCHUHMACHER, MANFRED, SAUER, ANDREAS, GRUNDMANN, KATJA. Clasificación: H01J37/34.

Dispositivo para recubrir sustratos en forma de placa mediante pulverización catódica, que tiene varias cámaras de procesamiento consecutivas, que están limitadas hacia arriba respectivamente por una cubierta de cámara, la cual tiene en cada caso una abertura, que está cubierta por una tapa que lleva al menos un cátodo, y en el que la cámara de procesamiento muestra diafragmas y tuberías de suministro, en especial tuberías de refrigerante, caracterizado porque los diafragmas y tuberías de suministro, en especial tuberías de refrigerante , están previstos en un bastidor que penetra en la cámara de procesamiento , que puede extraerse hacia arriba desde la abertura y que se apoya con piezas de apoyo y superficies de apoyo de la cubierta de cámara , y porque la tapa sobresale de las piezas de apoyo y se asienta desde arriba, de forma directamente hermética, sobre la cubierta de cámara.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO DE PROTECCION DE CAPAS REFLECTANTES.

(16/02/2004) EN UN PROCEDIMIENTO PARA EL REVESTIMIENTO PROTECTOR DE LAS CAPAS DE AZOGAMIENTO DE REFLECTORES DE FAROS MEDIANTE POLIMERIZACION DE PLASMA, EN EL QUE UNA PRIMERA CAPA PROTECTORA APLICADA SOBRE LA CAPA DE AZOGAMIENTO MEDIANTE POLIMERIZACION DE PLASMA DE UN COMPUESTO DE SILICIO ORGANICO EN UNA CAMARA DE VACIO, SE RECUBRE EN LA SIGUIENTE ETAPA DEL PROCESO, UTILIZANDO UN PLASMA Y MANTENIENDO EL VACIO EN LA MISMA CAMARA DE PROCESO, CON UNA SEGUNDA CAPA HIDROFILA COMPUESTA BASICAMENTE DE UN ESQUELETO PRINCIPAL DE HIDROCARBURO ENLAZADO A GRUPOS FUNCIONALES POLARES, SE UTILIZA UN DISPOSITIVO QUE PRESENTA VARIAS UNIDADES DE PROCESO , SOPORTADAS POR UNA PARED DE CAMARA DE VACIO CILINDRICA FIJA, Y UN CILINDRO DE PARED INTERIOR ARTICULADO, QUE SOPORTA CUATRO CAMARAS DE SUSTRATO (12 A 15)…

SISTEMA CALORIFUGO DE CAPAS.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/09/2003). Inventor/es: SZCZYRBOWSKI, JOACHIM, DR., RUSKE, MANFRED, ZMELTY, ANTON. Clasificación: C03C17/36, C03C17/34.

Sistema de capas termoaislantes, para láminas de vidrio a doblar y/o templar térmicamente, que incluye una capa de metal precioso con una capa embebida de subóxido de níquel-cromo ultradelgada. Un revestimiento termoaislante de lámina de vidrio doblada y/o templada que incluye una capa de metal precioso con una capa embebida de subóxido de níquel-cromo ultradelgada. Un sistema de capas termoaislantes, para láminas de vidrio dobladas y/o templadas, que comprende unas capas de bloqueo con una capa de metal precioso entre medias de ellas que tiene una capa embebida de subóxido NiCrOx con un grosor de 1 Angstrom a 2 nm.

DISPOSITIVO Y PROCEDIMIENTO PARA VAPORIZACION POR HAZ ELECTRONICO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/05/2003). Ver ilustración. Inventor/es: LOCHER, STEFAN, WIRTH, ECKHARD. Clasificación: H01J37/305.

LA INVENCION SE REFIERE A UN EVAPORADOR POR RADIACION ELECTRONICA FORMADO POR LOS MODULOS DE CAÑON ELECTRONICO , SISTEMA DE DESVIACION Y CRISOL/CRISOL GIRATORIO CON REFRIGERACION POR AGUA Y QUE SE ENCUENTRA FIJADO SOBRE LA PLACA DE CUBIERTA DE UN CUERPO HUECO PLANO DE FORMA QUE IMPIDE EL PASO DE GASES. EL CUERPO HUECO ESTA, A SU VEZ, DISPUESTO DE FORMA IMPERMEABLE A LOS GASES SOBRE UN ORIFICIO (B) EN LA CALDERA, PUDIENDO OSCILAR ALREDEDOR DEL EJE PRINCIPAL (A) DEL ORIFICIO (B). EL ESPACIO INTERIOR DEL CUERPO HUECO ESTA EN CONTACTO CON LA ATMOSFERA POR ENCIMA DEL ORIFICIO. TODAS LAS LINEAS DE CONEXION DE AGUA, CORRIENTE DE BAJA TENSION, ALTA TENSION Y ACCIONAMIENTO DE GIRO LLEGAN EN EL CUERPO HUECO HASTA LOS MODULOS DISPUESTOS DE FORMA IMPERMEABLE A LOS GASES.

DISPOSITIVO PARA LA APLICACION DE CAPAS DELGADAS SOBRE UN SUBSTRATO.

(16/10/2002) LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO PARA LA APLICACION DE CAPAS DELGADAS SOBRE UN SUBSTRATO , ABARCANDO UNA FUENTE DE CORRIENTE, QUE ESTA UNIDA CON UN CATODO , QUE SE DISPONE EN UNA CAMARA DE VACIO Y CON UN OBJETIVO ACTUANDO CONJUNTAMENTE, ASI COMO UNA FUENTE DE GAS DE PROCESO, QUE SE UNE CON LA CAMARA DE VACIO. ENTRE LA CAMARA DE VACIO Y LA FUENTE DE GAS DE PROCESO SE CONECTA UNA VALVULA DOSIFICADORA CONTROLADA POR MEDIO DE UN REGULADOR Y SE UNE CON AL MENOS UNA BOMBA DE VACIO, CUYO LADO DE ASPIRACION SE CONECTA CON LA CAMARA DE VACIO. SE CARACTERIZA A TRAVES DE UN SENSOR DE MEDICION, EN PARTICULAR UN ELECTRODO DE MEDICION POTENCIOMETRICO, QUE COMPARA LA PORCION DE UN GAS EN LA CAMARA DE VACIO O UNA CONDUCCION DE AFLUENCIA, QUE SE UNE CON LA CAMARA DE VACIO…

DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO EN VACIO PARA LA APLICACION DE CAPAS DELGADAS.

(16/05/2002) LA INVENCION TRATA DE UN DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO AL VACIO PARA APLICAR CAPAS FINAS SOBRE SUSTRATOS (36 A 38), CON VARIAS CAMARAS DE TRATAMIENTO (DE 8 A 11) FIJAS EN SU SITIO, SUJETAS POR LA PARED LATERAL EN FORMA DE ANILLO O BASTIDOR DE LA CAMARA DE VACIO , CON UNAS ABERTURAS DE LA CAMARA DE TRATAMIENTO (DE 4 A 7) QUE SE EXTIENDEN PERIFERICAMENTE HACIA ADENTRO, HACIA EL CENTRO DE LA CAMARA DE VACIO , EN PLANOS PARALELOS UNO CON RESPECTO AL OTRO. EN UN DISPOSITIVO DE ESTE TIPO HAY PREVISTO UN ARBOL ALOJADO EN LA TAPA DE LA CAMARA DE VACIO Y/O EN LA PLACA DE BASE DE LA CAMARA DE VACIO DE LA CAMARA DE VACIO Y QUE SE EXTIENDE EN PARALELO A LOS PLANOS DE LAS ABERTURAS; EL ARBOL MUEVE LAS PLACAS (23 A 26) PARA CERRAR LAS ABERTURAS DE LA CAMARA…

INSTALACION DE TRATAMIENTO EN VACIO PARA APLICAR CAPAS SOBRE SUBSTRATOS.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/09/2001). Ver ilustración. Inventor/es: HENRICH, JURGEN, KLOBERDANZ, HERMANN, DR., HOFFMANN, JOSEF. Clasificación: C23C14/56.

EN UNA INSTALACION DE TRATAMIENTO AL VACIO PARA APLICAR CAPAS FINAS SOBRE SUSTRATOS , POR EJEMPLO EN REFLECTORES DE FAROS, QUE COMPRENDE VARIAS ESTACIONES DE TRATAMIENTO Y/O DE ESCLUSADO DE ENTRADA/SALIDA UNIDAS A UNA PARED FIJA DE LA CAMARA DE VACIO, ASI COMO UN CILINDRO INTERIOR QUE SOPORTA LAS CAMARAS DE SUSTRATO DE FORMA GIRATORIA Y RODEADO POR LA PARED DE LA CAMARA DE VACIO, SE HAN DISPUESTO EN LA PARED FIJA DE LA CAMARA DE VACIO UNOS ORIFICIOS QUE PUEDEN HACERSE COINCIDIR CON LAS CAMARAS DE SUSTRATO Y A TRAVES DE LOS CUALES SE PUEDEN APLICAR LAS SUSTANCIAS DE TRATAMIENTO DE LOS SUSTRATOS , ASI COMO ABRIRSE Y CERRARSE. UNA DE LAS CAMARAS DE SUSTRATO, AL MENOS LA CAMARA DE ESCLUSA , PRESENTA UNA TAPA O COMPUERTA QUE PERMITE EL ACCESO DIRECTO A LA CORRESPONDIENTE CAMARA DE SUSTRATO, PUDIENDOSE DESPLAZAR (A,B) LA CAMARA HACIA EL CILINDRO INTERIOR Y PRESIONARSE CONTRA LA PARED EXTERIOR DEL CILINDRO O LA SUPERFICIE FRONTAL EN FORMA DE MARCO DE LA CAMARA DE SUSTRATO.

INSTALACION DE REVESTIMIENTO AL VACIO.

(16/07/2000) EN UNA INSTALACION DE TRATAMIENTO AL VACIO PARA LA APLICACION DE CAPAS DELGADAS SOBRE SUSTRATOS CON FORMA DE CUBETA (2,2', ), CON VARIAS ESTACIONES DE TRATAMIENTO Y ESCLUSAS SOPORTADAS POR UNA PARED DE CAMARA DE VACIO CILINDRICO-CIRCULAR FIJA DE LA CAMARA DE VACIO, POR LO DEMAS CERRADA, Y CON UN CILINDRO DE PARED INTERIOR Y APOYO GIRATORIO, RODEADO POR LA PARED DE LA CAMARA DE VACIO, QUE SOPORTA LAS CAMARAS DE SUSTRATO (3 A 6), EN DONDE EN LA PARED DE LA CAMARA DE VACIO SE HAN PREVISTO ABERTURAS CON LAS QUE PUEDEN PONERSE A CUBIERTO LAS CAMARAS DE SUSTRATO (3 A 6) Y A TRAVES DE LAS CUALES LOS MEDIOS DE TRATAMIENTO PUEDEN ACTUAR EN LOS SUSTRATOS (2, 2', ), Y CON UNA PARED EXTERIOR (16, 16', ) QUE ENCIERRA DESDE FUERA LA PARED DE LA CAMARA…

SISTEMA DE CAPAS DE INTERFERENCIA.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/04/2000). Ver ilustración. Inventor/es: SZCZYRBOWSKI, JOACHIM, DR., BRAUER, GUNTER, DR. Clasificación: C23C14/34, C23C14/08, C23C14/00.

UNAS CAPAS DIELECTRICAS QUE ACTUAN OPTICAMENTE, POR EJEMPLO DE SIO SUB,2}, AL SUB,2}O SUB,3}, ZRO SUB,2}, TIO SUB,2}, ZNO SUB,2}, SON SEPARADAS MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO DE DESALOJO POR BOMBARDEO IONICO CON UN TIPO DE CRECIMIENTO DE LA CAPA 4 NM/S EN LOS SUBSTRATOS. ESTAS CAPAS DE OXIDO METALICO DESALOJADAS POR BOMBARDEO MUESTRAN UN INDICE DE ROTURA DE ENTRE 2,55 Y 2,60. LAS CAPAS DE TIO SUB,2} APLICADAS CON UN PLASMA DE BOMBARDEO ALIMENTADO CON TENSION ALTERNA, SE CRISTALIZAN COMO ESTRUCTURA DE RUTILO SOBRE LOS SUBSTRATOS, COMO POR EJEMPLO UN SI-WAVER 2, Y MUESTRAN UNA ELEVADA CONSISTENCIA FRENTE A LA ACCION DE SUSTANCIAS QUIMICAS REACTIVAS. LAS CAPAS DE OXIDO METALICO SON IDONEAS PARA LA FABRICACION DE SISTEMAS DE CAPAS LOW-E, ASI COMO PARA LA FABRICACION DE CAPAS DE CONTROL SOLAR. LA FRECUENCIA ALTERNA DE LA CORRIENTE ELECTRICA QUE ABASTECE EL PLASMA DE BOMBARDEO ES PREFERENTEMENTE DE ENTRE 10 KHZ Y 80 KHZ.

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