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DISPOSITIVO DE FUENTE POLIGONAL MULTIPLE PARA MOSFET.

(01/09/1980) Dispositivo de fuente poligonal múltiple para "Mosfet", de gran potencia; dicho dispositivo comprende un disco de material semiconductor con una primera superficie y una segunda superficie paralela; dicho dispositivo se caracteriza porque en la citada primera superficie existe una pluralidad de zonas fuentes dispuestas espaciadas simétricamente; una capa aislante de regulación en esa primera superficie y dispuesta entre las regiones fuente; y un electrodo de regulación en dicha capa aislante reguladora; un electrodo de consumo en la segunda superficie y medios de electrodo fuentes/generadores conectados a dichas regiones fuente; un canal…

DISPOSITIVO SCHOTTKY Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.

Sección de la CIP Electricidad

(16/07/1980). Clasificación: H01L21/285.

Dispositivo "Schottky" y procedimiento para su fabricación que comprende un substrato semiconductor monocristal, caracterizado porque un primer metal difundido sobre una porción de superficie de dicho substrato forma una aleación intermétalica de dicho metal y dicho semiconductor; y un segundo metal en contacto de superficie a superficie con dicho primer metal; este segundo metal tiene una alta función de trabajo. El primer metal se selecciona del grupo que comprende paladio y platino.

PERFECCIONAMIENTOS EN CONJUNTOS DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.

Sección de la CIP Electricidad

(01/07/1977). Clasificación: H01L.

Resumen no disponible.

PERFECCIONAMIENTOS EN CIRCUITOS DE CONMUTACION.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1977). Clasificación: H03K19/14.

Resumen no disponible.

PERFECCIONAMIENTOS EN LA CONSTRUCCION DE DIODOS DE BARRERA SUPERFICIAL PARA LA CONDUCCION DE CORRIENTES DE ENERGIA RELATIVAMENTE ALTA.

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(16/05/1976). Clasificación: B23K35/26.

Resumen no disponible.

RELE DE ESTADO SOLIDO.

(01/12/1975) Relé de estado sólido caracterizado porque comprende un par de terminales de energía conectables en serie con un circuito de carga y en serie con una fuente de energía de corriente alterna, medios semiconductores de conducción controlada que tienen un para de electrodos principales y un electrodo de control, cuya par de electrodos principales se conecta a dicho par de terminales de energía, respectivamente, un circuito puente de onda completa monofásico que tiene terminales de corriente alterna y terminales de corriente continua, conectándose dicho para de terminales de energía a los citados terminales de corriente alterna, medios de impedancia…

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