7 patentes, modelos y diseños de INSTITUT FUR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH

(10/06/2020) Celda solar con al menos dos absorbedores diferentes de materiales diferentes para convertir energía de radiación en energía eléctrica con absorción en en cada caso rangos espectrales diferentes, en la que: (a) la celda solar es de estructura monolítica, (b) un primer absorbedor se compone de silicio cristalino, y (c) sobre un lado del primer absorbedor orientado hacia un segundo absorbedor adyacente está ubicado un contacto selectivo de portador de carga que para un tipo de contacto de portador de carga seleccionado de un grupo que comprende huecos y electrones es más permeable que para el en cada caso otro tipo de portador de carga, y que pasiva bien la superficie correspondiente del primer absorbedor , caracterizado…

(05/06/2019) Secuencia de materiales multicapa para la obtención de energía a partir de la luz solar que presenta al menos un sustrato portador con propiedades reflectantes al menos en el rango de longitudes de onda infrarroja, al menos una capa espaciadora aplicada al sustrato portador con propiedades transparentes al menos en el rango de longitudes de onda infrarroja y al menos otra capa posterior , aplicada a la capa espaciadora , que presenta al menos un material cuya conductividad eléctrica se configura variable mediante la aplicación de calor y/o radiación, presentando la capa posterior y/o la capa espaciadora al menos una parte de material subestequiométrica, caracterizada por que por encima y/o por debajo y/o al menos parcialmente dentro de la capa posterior se dispone al menos una capa óptica , configurándose…

(27/08/2014) Procedimiento para la fabricación de una célula solar de silicio, que comprende las etapas siguientes: Preparación de un sustrato de silicio ; Deposición de una primera capa dieléctrica sobre una superficie del sustrato de silicio mediante deposición química de vapor secuencial, en donde la primera capa dieléctrica tiene óxido de aluminio; caracterizado por Deposición de una segunda capa dieléctrica sobre una superficie de la primera capa dieléctrica , en donde los materiales de las primera y segunda capas dieléctricas son diferentes y en donde en la segunda capa dieléctrica incluye hidrógeno.

(29/10/2013) Procedimiento para fabricar un elemento de construcción semiconductor con una zona superficial dopada selectivamente, que presenta: Preparar un substrato portador semiconductor dopado ; Producir una capa de separación en una superficie del substrato portador semiconductor; Precipitar una capa semiconductora dopada sobre la capa de separación; Disolver la capa semiconductora dopada del substrato portador semiconductor; en el cual los parámetros de proceso, que comprenden al menos un parámetro del grupo temperatura de proceso, desarrollo de la temperatura de proceso y duración del proceso, se eligen de manera que mediante difusión de cuerpo sólido dopantes de la capa de separación se difunden en la capa semiconductora precipitada,…

(01/04/2009) Procedimiento para la fabricación de una célula solar que comprende un sustrato semiconductor en el que, mediante la energía de radiación incidente, se generan portadores de carga minoritarios y mayoritarios, y que por el lado trasero presenta primeras y segundas estructuras profundizadas en forma de línea o banda con, en cada caso, primeras y segundas paredes longitudinales, presentando las primeras paredes longitudinales de las primeras depresiones en forma de línea o banda una dirección igual o similar a la normal de la superficie y, con ello, una orientación similar o igual a las primeras paredes longitudinales de las segundas depresiones en forma de línea o banda, y las segundas paredes longitudinales de las primeras depresiones…