CIP-2021 : G11C 11/412 : utilizando únicamente transistores de efecto de campo.
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Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:
G FISICA.
G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.
G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).
G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).
G11C 11/412 · · · · · utilizando únicamente transistores de efecto de campo.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo de memoria que corrige el efecto de colisiones de partículas de alta energía.
(28/08/2019) Dispositivo de memoria que corrige automáticamente el efecto de colisiones de partículas de alta energía, que comprende una célula (CM) de memoria;
- unos medios (MRET) de retención, durante un retardo determinado, de un umbral ejemplar de un valor (Qd) memorizado en dicha célula (CM) de memoria, caracterizado porque el dispositivo de memoria comprende además:
- unos medios (MDET) de detección de un cambio de estado de dicha célula (CM) de memoria, por comparación del valor (Qd) memorizado en dicha célula (CM) de memoria con el valor en retención en dichos medios (MRET) de retención; y
- unos medios (MG) de gestión que comprenden unos medios de multiplexado adaptados para determinar si un cambio de estado de dicha célula (CM) de memoria detectado es debido a una colisión de partículas de alta energía o es un cambio de estado controlado,…
Método para reducir la aparición de quemado debido a inestabilidad de temperatura en polarización negativa.
(11/05/2016) Un método para atenuar el efecto de quemado y permitir la realización de un proceso de inicio con respecto a un dispositivo que comprende una pluralidad de elementos de memoria que pueden cambiarse, en donde los elementos de memoria tienen la capacidad de, tras el inicio, generar un patrón de respuesta de valores de inicio útiles para la identificación dado que el patrón de respuesta depende de características físicas de los elementos de memoria, comprendiendo los elementos de memoria un bucle de realimentación que usa transistores, el método caracterizado por la etapa de, tras el inicio de los elementos de memoria, escritura de un patrón de datos en los elementos de memoria que es el inverso a un patrón…
CELDA PARA EL ALMACENAMIENTO DE BITS.
(01/06/1994). Solicitante/s: CARLSTEDT ELEKTRONIK AB. Inventor/es: CARLSTEDT, LARS, GUNNAR.
EL INVENTO SE DESCRIBE COMO UNA CELULA DE UN BIT DE MEMORIA MUY RAPIDA PARA SER REALIZADA CON TECNICAS VLSI. SE PUEDEN EMPAQUETAR MUCHAS DE ESTAS CELULAS DE BIT DE MANERA MUY DENSA. LA CELULA DE BIT COMPRENDE: UN CIRCUITO DE CELULA ( T1, T2, L1, L2, D1, D2; T1, T2, I1, I2, D1, D2) EN EL QUE SE ALMACENA UN VALOR DE BIT, SIENDO DICHO VALOR O "VERDADERO" O "FALSO"; UNA PRIMERA CONEXION (VCC) QUE PROPORCIONA CONSTANTEMENTE UN SUMINISTRO DE VOLTAJE, UNA SEGUNDA, TERCERA Y CUARTA CONEXION ( ACC, D, D*) CADA UNA DE LAS CUALES ES INICIALIZABLE EN DISTINTOS ESTADOS DE CONTROL; EL CIRCUITO DE CELULA MENCIONADO ES DE TAL FORMA QUE CADA COMBINACION DE DICHOS ESTADOS DE CONTROL EN LAS CONEXIONES SEGUNDA, TERCERA Y CUARTA INICIALIZA LA CELULA DE MEMORIA DE BIT EN UN ESTADO UNICO DE ENTRE UN CONJUNTO DE ESTADOS FUNCIONALES.
(16/05/1994) SE PROPORCIONA UN PROCESADOR DE REDUCCION, EL CUAL SE CONTROLA MEDIANTE UN PROGRAMA QUE TIENE UNA ESTRUCTURA Y QUE ESTA ADAPTADO DE MANERA QUE REDUZCA DICHA ESTRUCTURA EN UN NUMERO DE PASOS DE REDUCCION QUE COMPRENDEN DISTINTOS TIPOS DE REDUCCIONES. UN PROCESADOR DE PRIMER ORDEN DE ESTA CLASE INCLUYE UN ALMACENAMIENTO ACTIVO QUE SE COMPONE DE: A) UNA MULTITUD DE CELULAS DE ALMACENAMIENTO ACTIVAS , CADA UNA CAPAZ DE ALMACENAR INFORMACION, QUE PUDIERA DAR LUGAR A UNA REDUCCION. B) UNA RED DE COMUNICACION QUE TRANSMITE EL RESULTADO DE CADA REDUCCION A TODAS LAS CELULAS QUE TENGAN CONEXIONES CON DICHO RESULTADO. EL PROCESADOR INCLUYE MEDIOS DE CONTROL COMUNES A TODAS LAS CELULAS DE ALMACENAMIENTO. PREFERIBLEMENTE,…
PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UN CIRCUITO BINARIO DE CONMUTACION.
(16/06/1977). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Resumen no disponible.