CIP-2021 : H01L 21/368 : utilizando un depósito líquido.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/368 · · · · · utilizando un depósito líquido.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Composición de tinta para la fabricación de una capa de absorción de luz de célula solar y método para la fabricación de una película fina que usa la misma.
(27/04/2016). Solicitante/s: LG CHEM LTD.. Inventor/es: PARK,EUN-JU, LEE,HOSUB, YOON,SEOKHYUN, YOON,SEOKHEE.
Composición de tinta para la fabricación de una capa de absorción de luz de células solares que comprende nanopartículas de estructura de núcleo-corteza que comprenden un núcleo que comprende un calcogenuro que contiene cobre (Cu) y una corteza que comprende un calcogenuro que contiene cinc (Zn); y nanopartículas de metal bimetálicas o intermetálicas que contienen estaño (Sn), o nanopartículas de calcogenuro que contiene estaño (Sn), dispersas en un disolvente.
PDF original: ES-2656299_T3.pdf
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE UNA PELÍCULA ORGÁNICA SEMICONDUCTORA, PELÍCULA ORGÁNICA SEMICONDUCTORA Y DISPOSITIVO ELECTRÓNICO QUE LA CONTIENE.
(10/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: VECIANA MIRO,JAUME, ROVIRA ANGULO,CONCEPCIO, MAS TORRENT,MARTA, PFATTNER,Raphael, DEL POZO LEÓN,Freddy Geovanny.
Comprende preparar una disolución de una mezcla que comprende a) una molécula o polímero semiconductor orgánico y b) un polímero ligante a una viscosidad determinada; en un sustrato, depositar la disolución, donde el sustrato, y opcionalmente la disolución, se ha precalentado previa la deposición de la disolución sobre el sustrato; formar un menisco con el soporte de una barra; desplazar el menisco a lo largo del sustrato a una velocidad determinada para obtener una película semiconductora orgánica sólida e isotrópica, donde el disolvente se evapora simultáneamente al avance del menisco. La película obtenida es útil para preparar un dispositivo electrónico, en especial un transistor de efecto de campo (OFET). La nueva técnica permite una buena procesabilidad de mezclas complejas que permite obtener películas semiconductoras orgánicas isotrópicas con excelentes propiedades de estabilidad a escala industrial.
Solución de precursor para formar una película delgada de semiconductor a base de CIS, CIGS o CZTS.
(29/10/2014) Una solución de precursor para formar una película delgada de semiconductor a base de CIS, CIGS o CZTS por impresión, que comprende complejos metálicos de al menos dos cationes metálicos diferentes,
en donde el primer catión metálico es un catión de cobre y el segundo catión metálico se selecciona del grupo que consiste en (i) In, (ii) una combinación de In y Ga, y (iii) una combinación de Zn y Sn,
en donde Cu y Sn, si Sn está presente, está(n) complejados por un azufre o selenio que contiene el ligando o polianión aniónico complejo seleccionado del grupo que consiste en tritiocarbonato, polisulfuro o uno de sus análogos de selenio, y
en donde si cualquiera de In, In junto con Ga, o Zn está presente, sus cationes están complejados y por lo tanto estabilizados por un exceso de tritiocarbonato y/o triseleniocarbonato,
y un disolvente.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE REVESTIMIENTOS DELGADOS Y DIFICILMENTE SOLUBLES.
(01/04/2003) Procedimiento para la producción de revestimientos delgados y difícilmente solubles sobre substratos (S) con una morfología arbitraria, con las siguientes etapas de procedimiento que se han de realizar de un modo cíclico en dependencia del deseado espesor de capa, para la producción de capas cerámicas u oxídicas (CL/OL): I. aplicación de por lo menos una sustancia de partida (P) apropiada para la constitución de capas sobre la superficie del substrato (S), II. desecación de la capa (PL) de sustancias de partida que se ha formado, en una corriente gaseosa (GS) inerte, o por evaporación, III. gaseo de la capa secada (PLD) de sustancias de partida con un gas reaccionante (RG) húmedo para la transformación en una correspondiente capa (HL) de hidróxido o de complejo,…
FABRICACION DE PARTICULAS QUE PRESENTAN UNA DIMENSION UNIFORME DE PUNTOS CUANTICOS.
(01/10/1998). Solicitante/s: ISIS INNOVATION LIMITED. Inventor/es: DOBSON, PETER JAMES, SALATA, OLEG VIKTOROVICH, SMARTS COTTAGE, HULL, PETER JAMES, HUTCHISON, JOHN LAIRD, 56 COVERLEY ROAD.
PARTICULAS DE TAMAÑO DESEADO CRISTALITOS CERO-DIMENSIONALES DE UN METAL O COMPUESTO DE METAL QUE SE FABRICAN MEDIANTE UN METODO QUE PROPORCIONA UNA SOLUCION EN UN SOLVENTE EVAPORABLE EN UNA CONCENTRACION PREDETERMINADA DE UN METAL ELEGIDO, Y QUE FORMA GOTAS DE LA SOLUCION CON UN TAMAÑO PREDETERMINADO SUSTANCIALMENTE UNIFORME. LAS GOTAS SE PONEN ENTONCES EN CONTACTO CON UN REAGENTE DE FASE GASEOSA FORMANDO ASI LAS PARTICULAS DE COMPUESTO DE METAL DESEADAS. EL SOLVENTE PUEDE EXTRAERSE ANTES, DURANTE O DESPUES DEL CONTACTO DE LAS GOTAS CON EL REAGENTE DE FASE GASEOSA. LAS PARTICULAS DE TAMAÑO DESEADO DEL COMPUESTO DE METAL ASI FORMADAS SE DEPOSITAN SOBRE UN SUSTRATO. ESTAS PUEDEN CONTENERSE DENTRO DE UN POLIMERO COMO UNA PELICULA. MEDIANTE EL CONTROL DE LA CONCENTRACION DE LA SOLUCION Y DEL TAMAÑO DE LAS GOTAS, EL TAMAÑO DE LAS PARTICULAS PUEDE CONTROLARSE ESTRECHAMENTE.
PERFECCIONAMIENTOS EN CELULAS FOTOVOLTAICAS.
(16/12/1980). Solicitante/s: AMETEK, INC..
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULAS FOTOVOLTAICAS. UNA PRIMERA CAPA DE ACERO INOXIDABLE PULIDO SIRVE DE BASE PARA LA APLICACION DEUA AAD OO (1A) DE UNOS 2.700 A, SOBRE LA QUE SE DEPOSITA UNA CAPA DE CADMIO DE 100 A APROXIMADAMENTE, ELECTRODEPOSITADO A PARTIR DE UN BAÑO DE CIANURO DE CADMIO, Y SOBRE EL CUAL SE ELECTRODEPOSITA EL TELURO DE CADMIO PARA FORMAR LA UNION OHMICA, SIENDO RECUBIERTO A CONTINUACION POR UNA CAPA DE BARRERA DE ORO Y UNA REJILLA DIGITAL CON DISEÑO METALICO . LAS UNIONES CONDUCTIVAS ESTAN FORMADAS ENTRE EL SUSTRATO DE ACERO INOXIDABLE , LA CAPA SUPERIOR DE ORO (1A) Y LA CAPA DE SUPERFICIE DE CADMIO , Y A SU VEZ ENTRE LA INTERFASE ENTRE LA CAPA DE SUPERFICIE Y LA PELICULA DE TELURO DE CADMIO.
