CIP-2021 : H01L 21/308 : utilizando máscaras (H01L 21/3063, H01L 21/3065, tienen prioridad).
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/308 · · · · · · · utilizando máscaras (H01L 21/3063, H01L 21/3065, tienen prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método para fabricar un nanohilo monocristalino.
(23/10/2013) Método para fabricar una nanoestructura monocristalina que comprende las etapas de:
a) proporcionar una capa de dispositivo con una orientación 100 sobre un sustrato;
b) proporcionar una capa de tensión sobre la capa de dispositivo;
c) formar patrones en la capa de tensión a lo largo de la dirección 110 de la capa dedispositivo;
d) retirar selectivamente partes de la capa de tensión para obtener partes expuestas de lacapa de dispositivo;
e) someter a ataque químico dependiente del plano las partes expuestas de la capa dedispositivo para obtener unas caras 111 expuestas de la capa de dispositivo ;
f) oxidar térmicamente la cara 111 expuesta de la capa de dispositivo y formar una capa deoxidación lateral…
PROCESO DE FORMACION DE UN CONTACTO METALICO SOBRE UN RELIEVE DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR, QUE INCLUYE UNA ETAPA DE FLUENCIA DE UNA CAPA DE RESINA FOTOSENSIBLE.
(01/10/1997). Solicitante/s: ALCATEL N.V.. Inventor/es: POINGT, FRANCIS, GAUMONT-GOARIN, ELISABETH, LE GOUEZIGOU, LIONEL.
SE FORMA UN CONTACTO METALICO POR GRABADO DE UNA PELICULA METALICA PROTEGIDA LOCALMENTE POR UN CONTACTO DE RESINA FOTOSENSIBLE . LUEGO SE HACE FLUIR ESTA RESINA EN PRESENCIA DE VAPORES DE UN DISOLVENTE DE ESTA, PARA FORMAR UN CONTACTO DE PROTECCION DE EXTENSION AUMENTADA . ESTE ULTIMO CONTACTO PERMITE REALIZAR UN GRABADO DEL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR CON AUTONIVELACION DEL RELIEVE ASI FORMADO EN RELACION AL CONTACTO METALICO. LA RESINA PERMANECE FOTOSENSIBLE PARA PERMITIR UN GRABADO POSTERIOR. LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA FABRICACION DE FOTODIODOS EN ALUD.
METODO PARA FABRICAR UN ARTICULO QUE CONSTA DE UNA RANURA DOBLE, Y ARTICULO PRODUCIDO POR EL METODO.
(01/11/1993). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: BLONDER, GREG E.
RANURAS DOBLES (U OTRO TIPO CARACTERISTICA EN FORMA DE RANURA) CON TRANSICION CONTROLADA ENTRE LA PARTE ESTRECHA Y LA PARTE ANCHA DE LA RANURA, PUEDEN FORMARSE EN UNA SUPERFICIE SEMICONDUCTORA, EN EL EJEMPLO UNA SUPERFICIE DE SILICIO , MEDIANTE UN METODO QUE CONSISTE EN CONFIGURAR UNA PRIMERA CAPA DE ENMASCARAMIENTO, COMO LA ABERTURA RESULTANTE EN LA CAPA DE ENMASCARAMIENTO, SOMETIENDO A LA PARTE ANCHA DE LA ABERTURA A UN ATAQUE QUIMICO INICIAL, RETIRANDO LA SEGUNDA CAPA DE ENMASCARAMIENTO DE LA PARTE ESTRECHA DE LA ABERTURA, Y SOMETIENDO A LA ABERTURA A OTRO ATAQUE QUIMICO DE FORMA QUE TANTO LA PARTE ANCHA COMO LA ESTRECHA DE LA RANURA DOBLE SEAN COMPLETADAS. EL METODO DEL INVENTO ES UTILIZADO VENTAJOSAMENTE PARA PRODUCIR RANURAS QUE PERMITEN LA FIJACION DE UNA FIBRA OPTICA RECUBIERTO POR UN SUBSTRATO DE SILICIO.
METODO DE FABRICACION DE TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.
(16/11/1992). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: TSANG, WON-TIEN, CUNNINGHAM, JOHN EDWARD, SCHUBERT, ERDMANN F.
SE REIVINDICA UN METODO DE FABRICACION DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DONDE SOLO SE USAN DOS PASOS DE ENMASCARAMIENTO EN EL DESARROLLO DEL DISPOSITIVO.EL SEMICONDUCTOR ENCAPSULADO USADO EN EL PROCESO TIENE EN LA CARA SUPERIOR UN CONTACTO,EL CUAL NO SOPORTA TEMPERATURAS SUPERIORES A 200 C. LA PRIMERA MASCARA SE USA PARA CREAR UNA ESTRUCTURA DE MESA CONVENCIONAL LA CUAL AISLA CADA TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LOS ADYACENTES.UNA SEGUNDA MASCARA ES USADA PARA DEFINIR LA FUENTE Y ELECTRODOS Y TAMBIEN PARA CREAR UNA DEPRESION A TRAVES DE LA CUAL SE RALIZA LA ESTRUCTURA DE ELECTRODO EN PUENTE. USANDO UNA MASCARA PARA CREAR LA FUENTE , LOS ELECTRODOS Y LA ESTRUCTURA EN PUENTE,UNA GRAN TOLERANCIA DE CIERRE SE OBTIENE ENTRE LA ESTRUCTURA DE PUENTE, LA FUENTE Y LAS REGIONES DE DRENAJE.FIG 4 Y FIG 7.
CIRCUITOS INTEGRADOS CON REGIONES DIELECTRICAS ESCALONADAS.
(01/11/1991). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, POLANCO, SAMUEL EFRAIN.
EL DIOXIDO DE SILICIO DEPOSITADO SE PUEDE UTILIZAR COMO UNA CAPA DE OXIDO DE CAMPO O CON OTROS FINES DIELECTRICOS EN CIRCUITOS INTEGRADOS. SIN EMBARGO, LA GRABACION ELECTROLITICA DE UN MODELO EN LA CAPA, PRODUCE GENERALMENTE PAREDES LATERALES PRONUNCIADAS QUE IMPIDEN LA BUENA COBERTURA ESCALONADA DE LAS CAPAS CONDUCTORAS QUE SE DEPOSITAN DESPUES. CON LA PRESENTE TECNICA SE PUEDE FORMAR EL DIELECTRICO EN AL MENOS DOS CAPAS (EJ. 11,12) CON DENSIDADES DIFERENTES. UNA SECUENCIA DE GRABACION ELECTROLITICA ANISOTROPICA E ISOTROPICA DA COMO RESULTADO PAREDES LATERALES ESCALONADAS, LO QUE PROPORCIONA UN BUEN CONTROL DE LA ANCHURA DE LINEA Y UNA BUENA COBERTURA ESCALONADA DEL MATERIAL DEPOSITADO DESPUES.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR TRANSISTORES.
(01/06/1977). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Resumen no disponible.
(01/05/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Un dispositivo transistor que comprende un cuerpo semiconductor al que son aplicados uno junto al otro un electrodo emisor y un electrodo de base en la forma de electrodos de aleación, cuyas zonas asociadas de material semiconductor recristalizado están en contacto con la zona de base, caracterizado por el hecho de que el material recristalizado de al menos uno de estos electrodos ubicado en el lado alejado del otro electrodo, es eliminado al menos en la mitad de la superficie de contacto de la zona de base inicialmente ocupada por la zona recristalizada.
