CIP-2021 : H01L 21/203 : utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/203 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método para la formación de una película delgada semi-conductora compuesta.
(01/03/2017). Solicitante/s: Sunlight Photonics Inc. Inventor/es: CYRUS,MICHAEL, BRUCE,ALLAN JAMES, FROLOV,SERGEY.
Un método de fabricación de un dispositivo semiconductor de película delgada, que comprende:
el suministro de una pluralidad de materias primas semiconductoras;
la pre-reacción de las materias primas semiconductoras para formar un material objetivo semiconductor compuesto homogéneo;
en el que las materias primas semiconductoras comprenden materiales semiconductores compuestos I-III-VI y F como un constituyente adicional junto con los materiales semiconductores compuestos I-III-VI o comprenden materiales semiconductores compuestos II-VI; y
depósito del material objetivo semiconductor compuesto sobre un sustrato para formar una película delgada que tiene una composición igual que una composición del material objetivo semiconductor compuesto.
PDF original: ES-2626810_T3.pdf
Uso de melanocortinas para tratar la sensibilidad a la insulina.
(04/01/2016). Solicitante/s: IPSEN PHARMA S.A.S. Inventor/es: CULLER,MICHAEL,DEWITT, HALEM,HEATHER A, BUTLER,ANDREW A.
Una cantidad terapéuticamente eficaz de un agonista del receptor 4 de melanocortina para su uso en el tratamiento de la insulinorresistencia en un sujeto mediante administración periférica en el que dicho agonista del receptor 4 de melanocortina es:
Ac-Arg-c(Cys-D-5 Ala-His-D-Phe-Arg-Trp-Cys)-NH2; SEQ ID NO:50;
o una sal farmacéuticamente aceptable del mismo.
PDF original: ES-2555522_T3.pdf
DISPOSITIVOS ELECTROLUMINESCENTES.
(01/05/2003). Solicitante/s: CAMBRIDGE CONSULTANTS LIMITED. Inventor/es: BARNARDO, CHRISTOPHER, JOHN, ANDREW, FRYER, CHRISTOPHER, JAMES, NEWTON, DAVIES, CHRISTOPHER, COX, PAUL.
Un medio de iluminación electroluminiscente que comprende: - una sustancia electroluminiscente que tiene al menos una superficie desde la cual se desea la emisión de luz ; y - un conjunto de electrodos situados substancialmente paralelos a la(s)citada(s) superficie(s) de la sustancia electroluminiscente desde la cual se desea la emisión de luz para causar, durante el uso, un campo de radiación apropiado en la sustancia electroluminiscente , caracterizado porque al menos una de las citadas superficies de la sustancia electroluminiscente desde la cual se desea la emisión de luz está al menos parcialmente no cubierta por ninguno del conjunto de electrodos , por lo cual la emisión de luz deseada no necesita pasar a través del material de un electrodo con el fin de que el medio de iluminación electroluminiscente funcione como se desea.
METODO PARA LA FABRICACION DE MONOCRISTALES GRANDES.
(16/02/1997). Solicitante/s: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Inventor/es: VICHR, MIROSLAV, HOOVER, DAVID SAMUEL.
SE DESCRIBE UN METODO PARA PRODUCIR GRANDES CRISTALES INDIVIDUALES.SE PRODUCE UN CRISTAL INDIVIDUAL DE DIAMANTE DE GRADO ELECTRONICO CON UN GROSOR DE 100-1000 MICRONES Y UN AREA SUSTANCIALMENTE MAYOR DE 1 CM2 Y QUE TIENE UNA ALTA PERFECCION CRISTALINA, QUE PUEDE SER UTILIZADO EN APLICACIONES MECANICAS OPTICAS ,ELECTRONICAS U OTRAS.UNA LAMINA DE DIAMANTE CRISTALINO SE DEPOSITA PRIMERO SOBRE UN CRISTAL PRINCIPAL EN GRANO Y LAS LAMINAS DE DIAMANTE RESULTANTES SE PUEDEN SEPARAR DEL CRISTAL EN GRANO POR MEDIOS FISICOS MECANICOS Y QUIMICOS.EL CRISTAL PRINCIPAL PUEDE RESTAURARSE POR CRECIMIENTO EPITAXIAL CON SU USO REPETIDO COMO CRISTAL EN GRANO EN POSTERIORES OPERACIONES.SE PUEDE LOGRAR UN GRAN CRISTAL PRINCIPAL DE DIAMANTE EN GRANO AL COMBINAR LOS PEQUEÑOS CRISTALES EN GRANO ORIENTADOS POR FUSION EPITAXIAL LATERAL.DESDE AQUI NO HAY LIMITE DE VECES EN QUE SE PUEDEN REPETIR LOS PASOS DE COMBINACION DEL CRISTAL.SE PUEDEN FABRICAR GRANDES SECTORES DE DIAMANTE COMPARABLES EN TAMAÑO A LOS DE SILICONA.
HETEROESTRUCTURAS SIMPLES EPITAXIALES, NO FORZADAS Y SIN DEFECTO Y METODO DE FABRICACION.
(16/10/1995) SE DESCUBREN HETEROESTRUCTURAS TENIENDO UNA AMPLIA CELOSIA SIMPLE ENTRE UNA CAPA EXTERNA Y UN SUBSTRATO Y UN METODO DE FORMAR TALES ESTRUCTURAS TENIENDO UNA DELGADA CAPA INTERMEDIA. LA EXTENSION DEBIDA A UNA CELOSIA UNICA ENTRE LA CAPA INTERMEDIA Y EL SUBSTRATO ESTA PARCIALMENTE SOBREELEVADA POR LA FORMACION DE UNA DISLOCACION DE TIPO AFILADO LA CUAL ESTA LOCALIZADA Y ES FOTOELECTRICAMENTE INACTIVA. EL DESARROLLO DE LA CAPA INTERMEDIA SE INTERRUMPE ANTES DE QUE ALCANCE EL ESPESOR EN EL CUAL LA EXTENSION SOBRE LA PARTE IZQUIERDA SE SOBREELEVE MEDIANTE DISLOCACIONES DE TIPO HILADO 60 GRADOS. LA CAPA EXTERNA SUPERIOR SE DESARROLLA ENTONCES EN CONDICION NO FORZADA Y SIN DEFECTOS SOBRE LA CAPA INTERMEDIA DONDE LA…