HETEROESTRUCTURAS SIMPLES EPITAXIALES, NO FORZADAS Y SIN DEFECTO Y METODO DE FABRICACION.

SE DESCUBREN HETEROESTRUCTURAS (20) TENIENDO UNA AMPLIA CELOSIA SIMPLE ENTRE UNA CAPA EXTERNA (24) Y UN SUBSTRATO (22) Y UN METODO DE FORMAR TALES ESTRUCTURAS TENIENDO UNA DELGADA CAPA (26) INTERMEDIA.

LA EXTENSION DEBIDA A UNA CELOSIA UNICA ENTRE LA CAPA (26) INTERMEDIA Y EL SUBSTRATO (22) ESTA PARCIALMENTE SOBREELEVADA POR LA FORMACION DE UNA DISLOCACION (15) DE TIPO AFILADO LA CUAL ESTA LOCALIZADA Y ES FOTOELECTRICAMENTE INACTIVA. EL DESARROLLO DE LA CAPA INTERMEDIA (26) SE INTERRUMPE ANTES DE QUE ALCANCE EL ESPESOR EN EL CUAL LA EXTENSION SOBRE LA PARTE IZQUIERDA SE SOBREELEVE MEDIANTE DISLOCACIONES DE TIPO HILADO 60 GRADOS. LA CAPA EXTERNA SUPERIOR (24) SE DESARROLLA ENTONCES EN CONDICION NO FORZADA Y SIN DEFECTOS SOBRE LA CAPA (26) INTERMEDIA DONDE LA CONSTANTE (AL2) DE LA CAPA EXTERNA (24) ES ALREDEDOR DE LA MISMA QUE LA CONSTANTE (AL1) DE LA CELOSIA EXTENDIDA PARCIALMENTE SOBREELEVADA DE LA CAPA INTERMEFIA (26). UNA CAPA EXTERNA (24) NO FORZADA LIBRE DE DEFECTOS DE INGAAS HA CRECIDO SOBRE UN SUBSTRATO (22) DE GAAS CON UNA CAPA (26) INTERMEDIA DE 3-10 NM DE ESPESOR DE INAS. SE DESCUBREN OTROS AMPLIOS SISTEMAS SIMPLES, INCLUYENDO, GAAS SOBRE SI CON UNA CAPA INTERMEDIA (26) DE GAINAS. FIG 3.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: OLD ORCHARD ROAD,ARMONK, N.Y. 10504.

Inventor/es: CHISHOLM, MATTHEW F., KIRCHNER, PETER D., WARREN, ALAN C., WOODALL, JERRY M.

Fecha de Publicación: 16 de Octubre de 1995.

Fecha Concesión Europea: 23 de Agosto de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/203 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización.

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