(10/01/2018) Método de generación de un arco eléctrico con acciones térmicas y mecánicas sobre el material, cuyo arco se forma entre dos electrodos que forman un conjunto de electrodos simétricos axialmente, en donde el ánodo se configura en forma de un difusor con un ángulo que se extiende entre 5° y 130°, y el arco se genera en un descargador de chispa en la parte estrecha del difusor, en donde el arco eléctrico se configura y guía por la acción de un campo magnético, compuesto por un campo magnético externo generado por imanes en forma de anillo cuya sección tiene una configuración triangular, y por el campo eléctrico del propio arco, y fuerzas hidromecánicas creadas por la interacción de un medio de trabajo en expansión continua con el arco eléctrico, de tal forma que: - la…

(07/12/2016) Reactor de plasma para la formación de un plasma en un fluido en circulación, comprendiendo el reactor: - un primer y un segundo electrodo conexionados a una fuente de tensión alterna , para la creación de arcos eléctricos entre dichos primer y segundo electrodos a efectos de generación de un plasma en el fluido en circulación, - una porción de recinto que delimita una cámara de reacción en cuyo interior se genera el plasma, - el primer electrodo comprende una espiga central establecida sobre un eje central del reactor, cuya espiga está envuelta con un aislador a excepción de un extremo…

(21/06/2013) Un método para producir silicio o un metal reactivo, que comprende: introducir una alimentación que contiene silicio o una alimentación que contiene metal reactivo en una cámara dereacción, donde la cámara de reacción incluye una pared de la cámara de reacción que tiene (i) una superficieinterior orientada hacia un espacio de reacción y (ii) una superficie exterior opuesta; generar una primera energía térmica dentro del espacio de reacción suficiente para generar un producto de siliciolíquido o un producto de metal reactivo líquido; generar una segunda energía térmica exterior a la pared de la cámara de reacción, de manera que un flujo decalor desde la segunda energía térmica impacta inicialmente con la superficie exterior de la pared de la cámarade reacción; y establecer…

(01/02/1995) DISPOSITIVO (FIGURA 2) PARA EL RECUBRIMIENTO DE SUBSTRATOS (31, 31', ...) EN UNA CAMARA DE VACIO CON UN PORTASUBSTRATOS ALOJADO EN ELLA, CON UN DISPOSITIVO PARA GENERAR UNA NUBE DE PLASMA Y CON IMANES , QUE DESVIAN LA NUBE DE PLASMA HACIA LA SUPERFICIE DE LOS SUBSTRATOS (31, 31', ...). EL DISPOSITIVO PARA GENERAR LA NUBE DE PLASMA POSEE UN EMISOR DE ELECTRONES CON UN ANODO TUBULAR SITUADO DETRAS PROVISTO DE UNA ENTRADA PARA EL GAS DE PROCESO PARA LA IGNICION DEL PLASMA. PARA LA ORIENTACION Y LA CONDUCCION DEL PLASMA A TRAVES DEL ANODO TUBULAR HACIA LA CAMARA DE PROCESO SE PREVEN IMANES . EN LA…