LASER SEMICONDUCTOR CON UNA ENTRADA OPTICA DE CONTROL.
(16/02/1996). Solicitante/s: ALCATEL CIT. Inventor/es: GABRIAGUES, JEAN-MICHEL, LE ROY, GUY.
EL PRESENTE DISPOSITIVO COMPRENDE UNA CAVIDAD LASER QUE TIENE UNA ZONA DE AMPLIFICACION LASER Y UNA ZONA DE ABSORCION SATURABLE . UN DISPOSITIVO DE ACOPLAMIENTO ASIMETRICO QUE COMPRENDE UNA PRIMERA Y UNA SEGUNDA GUIA DE LUZ QUE TIENE, PARA LA LONGITUD DE ONDA DE EMISION LASER DE LA CAVIDAD, INDICES DE REFRACCION EFECTIVOS DIFERENTES, ESTANDO EL INDICE EFECTIVO DE DICHA PRIMERA GUIA AL MENOS CERCA DEL INDICE EFECTIVO DEL MODO LASER QUE SE PROPAGA EN DICHAS ZONAS DE AMPLIFICACION Y DE ABSORCION, ESTANDO DISPUESTA DICHA SEGUNDA GUIA PARA PODER SER ACOPLADA CON UNA FUENTE DE SEÑALES OPTICAS DE CONTROL. LA INVENCION SE APLICA A LOS DISPOSITIVOS DE LASER QUE SE PUEDEN PONER EN MARCHA OPTICAMENTE Y QUE PUEDEN SERVIR, POR EJEMPLO DE OPERADOR FOTONICO BIESTABLE, DE ELEMENTO REGENERADOR OPTICO Y DE ELEMENTO DE UN REGISTRO DE DECALAJE O DE LINEA DE RETARDO OPTICO DE SALIDAS MULTIPLES.