CIP-2021 : G11C 11/067 : que utilizan elemento de una sola abertura o de bucle magnético único,
a razón de un elemento por bit, y para la lectura no destructiva.
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Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:
G FISICA.
G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.
G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).
G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).
G11C 11/067 · · · que utilizan elemento de una sola abertura o de bucle magnético único, a razón de un elemento por bit, y para la lectura no destructiva.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO NO VOLATIL.
(16/02/1999). Solicitante/s: ESTANCIA LIMITED PAGEANT TECHNOLOGIES INCORPORATED. Inventor/es: LIENAU, RICHARD M.
SE PRESENTA UNA MEMORIA NO VOLATIL DE ACCESO ALEATORIO QUE TIENE UN SUBSTRATO QUE SOPORTA EXTENSIONES SEPARADAS MAGNETICAMENTE POLARIZABLES CADA UNA DE ELLAS RODEADA POR UN MIEMBRO EN FORMA DE CIRCUITO DE ESCRITURA COMPLETA Y DISPUESTA PARA PENETRAR EN EL CANAL HALL DE UN FET DE DESCARGA DOBLE CON SU CAMPO MAGNETICO RESIDUAL. LAS EXTENSIONES ESTAN ORGANIZADAS EN FILAS DE PALABRAS Y COLUMNAS DE BITS, CADA UNA DE ELLAS ESCRITA MEDIANTE UNA CORRIENTE SIMPLE DE ESCRITURA COMPLETA A TRAVES DEL MIEMBRO DE CIRCUITO CIRCUNDANTE Y CADA UNA DE ELLAS LEIDA POR UN COMPARADOR CONECTADO A LOS DRENAJES DEL FET (42, 52'). LA MEMORIA PUEDE FABRICARSE EN UNA VARIEDAD DE FORMAS (POR EJEMPLO UNA TARJETA PLANA).