CIP-2021 : H01L 21/304 : Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/304 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO DE PULIDO DE POR LO MENOS UNA SUPERFICIE DE UNA PIEZA A BASE DE SILICIO.
(16/11/2006). Solicitante/s: SOCIETE EUROPEENNE DE SYSTEMES OPTIQUES S.E.S.O. Inventor/es: FERME, JEAN-JACQUES, GODEFROY, PHILIPPE, DAHAN, GILBERT.
Procedimiento de pulido de por lo menos una superficie de una pieza a base de silicio que es bien de SiO2, bien de SiC, bien de vidrio, bien de vitrocerámica, bien de cuarzo, y que incluye: a) Un pulimento en el que se emplea por lo menos un elemento de pulimento y un abrasivo, para proporcionar a dicha superficie una primera rugosidad; b) Un pulido en el que se emplea por lo menos un elemento de pulido y un líquido que contiene un abrasivo de pulido, para proporcionar a dicha superficie una segunda rugosidad inferior a la primera rugosidad; caracterizado porque incluye: c) Un acabado mediante abrasión suave, empleando por lo menos un elemento de acabado, especialmente un fieltro, y un abrasivo suave, para retirar una capa superficial de un grosor suficiente para mejorar la resistencia al flujo de la pieza, siendo dicho grosor por lo menos igual a 1 µ.
COMPOSICION ABRASIVA PARA PULIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON LA MISMA.
(16/10/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: SHOWA DENKO KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: ICHIKAWA, KAGETAKA, KIDO, TAKANORI.
Una composición abrasiva para pulir un dispositivo semiconductor en el procedimiento de aislamiento de ranuras poco profundas, comprendiendo dicha composición principalmente agua, polvo de óxido de cerio y uno o más compuestos orgánicos solubles en agua que tienen al menos un grupo -COOH, un grupo COOMx (en el que Mx es un átomo o grupo funcional capaz de desplazar un átomo de H para formar una sal), un grupo -SO3H y un grupo -SO3My (en el que My representa un átomo o grupo funcional capaz de desplazar un átomo de H para formar una sal), en el que el tamaño de partícula primario de dicho polvo de óxido de cerio es 0, 005 a 0, 5 m y en el que cuando una capa de nitruro de silicio y una capa de óxido de silicio, formadas por separado sobre un sustrato de silicio mediante el método CVD se pulen independientemente bajo las mismas condiciones, la relación de la tasa de pulido para la última respecto a la de la primera es 10 o más.
PROCEDIMIENTO PARA LA TRANSFERENCIA DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR UTILIZANDO TECNOLOGIA DE SILICIO SOBRE UN AISLANTE (SOI).
(01/09/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI.
SE DESVELA UN PROCESO NOVEL PARA PRODUCIR UN ARTICULO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE LAS ETAPAS DE PREPARAR UN PRIMER SUSTRATO CONSTITUIDO POR UN SUSTRATO DE SILICIO, UNA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA CONFORMADA SOBRE EL SUSTRATO DE SILICIO, Y UNA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES CONFORMADA EN AL MENOS UNO DE LOS SUSTRATOS DE SILICIO Y EN LA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA; LA UNION DEL PRIMER SUSTRATO AL SEGUNDO SUSTRATO PARA OBTENER UNA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES CON LA CAPA SEMICONDUCTORA POROSA SITUADA EN SU INTERIOR; LA SEPARACION DE LA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES POR LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES; Y LA RETIRADA DE LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES QUE PERMANECE SOBRE EL SEGUNDO SUSTRATO SEPARADO.
PULIDOR DE LODOS PERFECCIONADO, USANDO AGITACION ULTRASONICA.
(01/08/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: MILLER, GABRIEL LORIMER, WAGNER, ERIC RICHARD.
EL MORTERO, EN UN PULIDOR DE MORTERO, SE AGITA ULTRASONICAMENTE DURANTE LA PULIMENTACION PARA DESALOJAR RESIDUOS INCRUSTADOS Y TIERRA ARENOSA DE LA ALMOHADILLA DE PULIMENTACION, PERFECCIONANDO CON ELLO LA UNIFORMIDAD DE LA EXTRACCION DEL MATERIAL, LA DURACION DE LA ALMOHADILLA, Y EVITANDO ARAÑAZOS Y DEFECTOS SOBRE LA SUPERFICIE QUE SE ESTA PULIMENTANDO. EL METODO RESULTA PARTICULARMENTE UTIL EN APLICACIONES EN LAS QUE SE USA EL PULIMENTADO DEL MORTERO PARA HACER PLANARES CAPAS DEPOSITADAS SOBRE OBLEAS SEMICONDUCTORAS (MONOCRISTALES SEMICONDUCTORES USADOS COMO SUBSTRATOS EN LA PRODUCCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS), EN LAS QUE LA CARENCIA DE UNIFORMIDADES CAUSADA POR TAL MATERIAL INCRUSTADO PUDIERA AFECTAR AL RENDIMIENTO DEL PROCESO. SE DESCRIBE EL APARATO PARA APLICAR ENERGIA ULTRASONICA AL MORTERO, DE FORMA QUE TAL ENERGIA INCIDA SOBRE LA ALMOHADILLA.
METODO DE FABRICAR RODAJAS O PLAQUITAS PLANAS (DE SILICIO MONOCRISTALINO, CON DIAMETRO ENTRE (APROXIMADAMENTE) 25 Y 50 MM, SOBRE LA CUAL SE FABRICAN MATRICES DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLITICOS ).
(01/10/1994) UN PERFECCIONAMIENTO EN LA LISURA DE RODAJAS DELGADAS Y PULIDAS DE SILICIO SE OBTIENE MEDIANTE LA DISMINUCION DEL TIEMPO CONSUMIDO EN ALISAR LA RODAJA DELGADA Y PULIDA. DESPUES DE UNA OPERACION CONVENCIONAL DE SOLAPAMIENTO, LA RODAJA DELGADA Y PULIDA SE REVISTE CON UN REVESTIMIENTO RESISTENTE A LA CORROSION, TIPICAMENTE NITRURO DE SILICIO. UNA FASE DE ALISAMIENTO ELIMINA EL REVESTIMIENTO DE NITRURO SOBRE LAS SUPERFICIES PLANAS DE LA RODAJA DELGADA Y PULIDA, PERO DEJA UN REVESTIMIENTO DE NITRURO SOBRE LOS LATERALES DE HOYOS QUE SE FORMAN EN LA OPERACION DE SOLAPAMIENTO. LA RODAJA DELGADA Y PULIDA SE TRATA DESPUES AL AGUA FUERTE, TIPICAMENTE…
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN LASER SEMICONDUCTOR.
(16/06/1984). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN LASER SEMICONDUCTOR. CONSISTE EN LA ROTURA DE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA QUE COMPRENDE SEMICONDUCTORES DE TIPO N, DE MODO QUE PARTE DE LA SUPERFICIE ROTA SE ENCUENTRE EN UN AREA ACTIVA DEL LASER SEMICONDUCTOR. LA ROTURA DE LA LAMINA SE EFECTUA PROCEDIENDO PRIMERAMENTE A UN MORDENTADO DE RANURAS ESTRECHAS O CANALES EN FORMA DE V, PREFERIBLEMENTE PROFUNDOS, SOBRE LA PARTE POSTERIOR DE DICHA LAMINA LASER MEDIANTE UN METODO DE FOTOMORDENTADO ELECTROQUIMICO, Y POSTERIORMENTE SE SOMETE DICHA LAMINA A TENSION PARA CONSEGUIR LA ROTURA DEFINITIVA DEL CRISTAL.
UN METODO PARA DIVIDIR UN CUERPO MONOCRISTALINO FRAGIL.
(16/05/1976). Solicitante/s: RCA CORPORATION.
Resumen no disponible.
