METODO DE FABRICAR RODAJAS O PLAQUITAS PLANAS (DE SILICIO MONOCRISTALINO, CON DIAMETRO ENTRE (APROXIMADAMENTE) 25 Y 50 MM, SOBRE LA CUAL SE FABRICAN MATRICES DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLITICOS ).

UN PERFECCIONAMIENTO EN LA LISURA DE RODAJAS DELGADAS Y PULIDAS DE SILICIO SE OBTIENE MEDIANTE LA DISMINUCION DEL TIEMPO CONSUMIDO EN ALISAR LA RODAJA DELGADA Y PULIDA.

DESPUES DE UNA OPERACION CONVENCIONAL DE SOLAPAMIENTO, LA RODAJA DELGADA Y PULIDA SE REVISTE CON UN REVESTIMIENTO RESISTENTE A LA CORROSION, TIPICAMENTE NITRURO DE SILICIO. UNA FASE DE ALISAMIENTO ELIMINA EL REVESTIMIENTO DE NITRURO SOBRE LAS SUPERFICIES PLANAS DE LA RODAJA DELGADA Y PULIDA, PERO DEJA UN REVESTIMIENTO DE NITRURO SOBRE LOS LATERALES DE HOYOS QUE SE FORMAN EN LA OPERACION DE SOLAPAMIENTO. LA RODAJA DELGADA Y PULIDA SE TRATA DESPUES AL AGUA FUERTE, TIPICAMENTE EN KOH, PARA ELIMINAR LA SUPERFICIE DE SILICIO HASTA DEBAJO DE LA PROFUNDIDAD DE LOS HOYOS. EL CORTE POCO PROFUNDO O REBAJO DEL REVESTIMIENTO DE NITRURO ELIMINA LOS HOYOS, O DEJA PROTUSIONES RELATIVAMENTE PEQUEÑAS EN SU LUGAR. LAS PROTUSIONES PUEDEN ELIMINARSE MEDIANTE UNA OPERACION BREVE DE ALISAMIENTO. TAMBIEN SON POSIBLES OTROS TIPOS DE RODAJAS DELGADAS Y PULIDAS Y MATERIALES RESISTENTES A LA CORROSION. CIRCUITOS INTEGRADOS SE FORMAN TIPICAMENTE SOBRE LAS RODAJAS DELGADAS Y PULIDAS MEDIANTE TECNICAS LITOGRAFICAS QUE, VENTAJOSAMENTE, UTILIZAN LA LISURA PERFECCIONADA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AT&T CORP..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS, NEW YORK, NY 10013-2412.

Inventor/es: KOZE, JEFFREY T., MILLER, ANTON JOHANN.

Fecha de Publicación: 1 de Octubre de 1994.

Fecha Concesión Europea: 22 de Junio de 1994.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/304 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.

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