CIP-2021 : H01L 29/417 : que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 29/00 › H01L 29/417[3] › que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/417 · · · que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Diodos PIN vertical y método para fabricarlos.
(06/04/2016) Método para fabricar un diodo Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, que comprende:
· proporcionar una oblea epitaxial comprendiendo una capa de tipo N verticalmente apilada, una capa intrínseca y una capa de tipo P;
· formar un contacto anódico del diodo Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, formando una metalización anódica en una primera porción (34a) de la capa de tipo P que define una región anódica;
· formar una capa de aislamiento eléctrica alrededor de la región (34a) anódica tal que una primera porción de la capa intrínseca se extienda verticalmente entre la capa de tipo N y la región (34a) anódica y unas segundas…
IMPLANTACION DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIAS.
(16/03/2002). Solicitante/s: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Inventor/es: LEIGHTON, LARRY, JOHANSSON, TED, HAMBERG, IVAR.
SE PROPORCIONA UNA INSTALACION PARA TRANSISTORES DE POTENCIA RF QUE REDUCE LA INDUCTANCIA COMUN DEL CONDUCTOR ELECTRICO Y LOS FALLOS DE FUNCIONAMIENTO ASOCIADOS. UNA CELULA TRANSISTORA RF SE ROTA 90 (GRADOS) CON RESPECTO A LA CELULA TRANSISTORA CONVENCIONAL DE MODO QUE UNOS ADAPTADORES DE CONEXION SE SITUEN DE FORMA MAS PROXIMA AL BORDE DE UNA HILERA DE ESTIRAR ALAMBRE DE SILICIO, REDUCIENDO LA LONGITUD DEL CONDUCTOR DE CONEXION Y POR LO TANTO MEJORANDO EL FUNCIONAMIENTO A FRECUENCIAS ELEVADAS. LA SITUACION DEL ADAPTADOR DE CONEXION Y LA DISTRIBUCION DE LAS DIFERENTES PIEZAS DE LA INSTALACION DEL TRANSISTOR REDUCEN AUN MAS LA INDUCTANCIA COMUN DE LOS CONDUCTORES ELECTRICOS.
TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION QUE UTILIZA ELECTRODOS DE ZONA TERMINAL DE CONEXION DE TERMINACION DE CAMPO.
(01/06/2001). Solicitante/s: RAYTHEON COMPANY. Inventor/es: HOOPER, WILLIAM W., CASE, MICHAEL G., NGUYEN, CHANH N.
UN TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION (10'') Y UN METODO DE FABRICACION SE REVELA QUE COMPRENDE UN ELECTRODO DE BLINDAJE (O ELECTRODO DE TERMINACION DE CAMPO) LOCALIZADO ENTRE LOS ATENUADORES DE ADHERENCIA Y EL MATERIAL SEMICONDUCTOR SBYACENTE. EL ELECTRODO DE BLINDAJE ESTA INSERTADO ENTRE DOS CAPAS DIELECTRICAS AISLANTES . LA ALTA TENSION APLICADA AL ATENUADOR DE ADHERENCIA ESTABLECE UN CAMPO ELECTRICO ENTRE EL ATENUADOR DE ADHERENCIA Y EL ELECTRODO DE BLINDAJE , QUE PREVIENE LA PENETRACION DE CAMPO E INVERSION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR SUBYACENTE. USANDO ESTA ESTRUCTURA DE TERMINACION DE CAMPO SOLAPADA, UNA CORRIENTE DE FUGA BAJA Y UNA TENSION DE RUPTURA ALTA SE MANTIENE EN EL TRANSISTOR (10''). LA PRESENTE ESTRUCTURA DE TERMINACION DE CAMPO SOLAPADA SUMINISTRA UNA TERMINACION DE CAMPO EFECTIVA INFERIOR AL ATENUADOR DE ADHERENCIA , Y SU DISEÑO DE SOLAPAMIENTO, SUMINISTRA PARA UN TRANSISTOR MAS COMPACTO (10").
ELECTRODO PARA DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y METODO PARA LA PRODUCCION DEL MISMO.
(16/10/1997). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OHZU, HAYAO, CANON KABUSHIKI KAISHA, KOCHI, TETSUNOBU, CANON KABUSHIKI KAISHA.
SE PRESENTA UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ELEMENTOS FUNCIONALES MUY PEQUEÑOS, QUE SE PUEDE CONSTRUIR UTILIZANDO LOS COMPONENTES MINIMOS NECESARIOS SIN NINGUN AREA DE SUPERFICIE INNECESARIA, SIENDO ASI CAPAZ DE REDUCIR SIGNIFICATIVAMENTE EL AREA DE DISTRIBUCION Y ADAPTADA PARA LOGRAR UNA GEOMETRIA FINA Y UN ALTO NIVEL DE INTEGRACION. EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TIENE UNA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA DE UN PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN POZO P) Y UNA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA COLOCADA ENCIMA O DEBAJO DE LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA Y QUE TIENE UN SEGUNDO TIPO CONDUCTIVO DIFERENTE DEL PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN AREA GENERADORA O DE CONSUMO DE ENERGIA) EN QUE SE FORMA UN ELECTRODO CONECTADO A LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA A TRAVES DE LA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA Y LA PRIMERA Y LA SEGUNDA AREAS SEMICONDUCTORAS SON CORTOCIRCUITEADAS POR EL ELECTRODO ARRIBA MENCIONADO.
RECTIFICADOR DE POTENCIA CONTROLADO.
(01/12/1963). Ver ilustración. Solicitante/s: GENERAL INSTRUMENT CORPORATION.
Resumen no disponible.
