CIP-2021 : H01L 29/786 : Transistores de película delgada.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/786 · · · · · · Transistores de película delgada.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Estructura de transistor de película delgada que tiene canal tridimensional en forma de aleta y método de fabricación.
(01/07/2020) Un método de preparación de una estructura de transistor de película delgada con un canal tridimensional en forma de aleta, que es a lo largo de la dirección de la longitud del canal, grueso en un medio y delgado en ambos lados, en el que un proceso de preparación es específicamente como sigue:
(a) depositar y grabar un electrodo de compuerta inferior sobre un sustrato ;
(b) depositar una capa dieléctrica inferior en una parte superior de una estructura obtenida del paso (a), y depositar secuencialmente una película semiconductora sobre la capa dieléctrica inferior;
(c) grabar la película semiconductora para obtener un canal en forma de aleta;
(d) depositar respectivamente un electrodo…
Dispositivo de visualización.
(25/05/2016). Solicitante/s: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Inventor/es: HUITEMA,HJALMAR E. A, KUIJK,KAREL E.
Un dispositivo de visualización que comprende un sustrato con una matriz de píxeles sobre el sustrato, electrodos de fila, electrodos de columna que cruzan los electrodos de fila, elementos de conmutación que son seleccionables por medio de los electrodos de fila para presentar datos, que han sido presentados mediante los electrodos de columna, a los píxeles, en los que partes de los electrodos de columna están dispuestos paralelos a bandas mutuamente separadas de un material conductor, o partes de los electrodos de fila están dispuestos paralelos a bandas mutuamente separadas de un material conductor caracterizado porque el sustrato es flexible y porque las bandas mutuamente separadas forman derivaciones con los electrodos (6, 5 respectivamente) con respecto a los que están dispuestas paralelas.
PDF original: ES-2587906_T3.pdf
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE UNA PELÍCULA ORGÁNICA SEMICONDUCTORA, PELÍCULA ORGÁNICA SEMICONDUCTORA Y DISPOSITIVO ELECTRÓNICO QUE LA CONTIENE.
(10/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: VECIANA MIRO,JAUME, ROVIRA ANGULO,CONCEPCIO, MAS TORRENT,MARTA, PFATTNER,Raphael, DEL POZO LEÓN,Freddy Geovanny.
Comprende preparar una disolución de una mezcla que comprende a) una molécula o polímero semiconductor orgánico y b) un polímero ligante a una viscosidad determinada; en un sustrato, depositar la disolución, donde el sustrato, y opcionalmente la disolución, se ha precalentado previa la deposición de la disolución sobre el sustrato; formar un menisco con el soporte de una barra; desplazar el menisco a lo largo del sustrato a una velocidad determinada para obtener una película semiconductora orgánica sólida e isotrópica, donde el disolvente se evapora simultáneamente al avance del menisco. La película obtenida es útil para preparar un dispositivo electrónico, en especial un transistor de efecto de campo (OFET). La nueva técnica permite una buena procesabilidad de mezclas complejas que permite obtener películas semiconductoras orgánicas isotrópicas con excelentes propiedades de estabilidad a escala industrial.
Método de fabricación de un transistor de película fina.
(19/03/2014) Método de fabricación de un transistor de película fina de tipo puerta inferior que utiliza un semiconductor de óxido amorfo InxGayZnz como capa de canal, en el que el semiconductor de óxido amorfo contiene In, Ga y Zn en una proporción atómica de InxGayZnz, la densidad de masa M [g/cm3] del semiconductor de óxido amorfo satisface la expresión siguiente:
M ³ 0,94 x (7,121x + 5,941y + 5,675z)/(x+y+z)
en la que 0< x £ 1, 0< y £ 1, 0< z £ 1, y
en el que dicho canal se prepara mediante un proceso de pulverización a una temperatura de formación de la película en el rango desde 150 oC hasta la temperatura de cristalización
