(14/05/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: VILLA SANZ,ROSA, SANCHEZ VIVES,Maria Victoria, GUIMERÁ BRUNET,Antón, MASVIDAL CODINA,Eduard, GARRIDO ARIZA,Jose Antonio, ILLA VILA,Xavier.

Basado en matrices flexibles de transistores grafeno de efecto de campo epicorticales y intracorticales, que pueden registrar señales infralentas y señales en un ancho de banda típico de potenciales de campo local. El objeto de la invención se basa en el sistema del transistor del grafeno para medir señales electrofisiológicas, comprendiendo una unidad de proceso, y al menos un transistor del grafeno con el grafeno como material del canal contactado por dos terminales, a los cuales se une una fuente de tensión variable en los terminales de drenador y de fuente del transistor referido a la tensión de la puerta, y al menos un filtro de adquisición y división de la señal del transistor en al menos dos bandas de frecuencia, baja y alta, en el que las señales primera y segunda se amplifican respectivamente con un valor de ganancia.

(05/03/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, QUIRION,David, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, COUSO FONTANILLO,Carlos.

En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tiene forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.

(03/03/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, QUIRION,David, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, COUSO FONTANILLO,Carlos.

Transistor de efecto de campo de unión y método de obtención del mismo. En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tienen forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.

PDF original: ES-2745740_B2.pdf

PDF original: ES-2745740_A1.pdf