CIP-2021 : H01L 29/66 : Tipos de dispositivos semiconductores.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/66 · Tipos de dispositivos semiconductores.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Estructura de transistor de película delgada que tiene canal tridimensional en forma de aleta y método de fabricación.
(01/07/2020) Un método de preparación de una estructura de transistor de película delgada con un canal tridimensional en forma de aleta, que es a lo largo de la dirección de la longitud del canal, grueso en un medio y delgado en ambos lados, en el que un proceso de preparación es específicamente como sigue:
(a) depositar y grabar un electrodo de compuerta inferior sobre un sustrato ;
(b) depositar una capa dieléctrica inferior en una parte superior de una estructura obtenida del paso (a), y depositar secuencialmente una película semiconductora sobre la capa dieléctrica inferior;
(c) grabar la película semiconductora para obtener un canal en forma de aleta;
(d) depositar respectivamente un electrodo…
Procedimiento para fabricar un dispositivo sensor para detectar especies químicas o biológicas y procedimiento para fabricar un dispositivo microfluídico con un dispositivo sensor de este tipo.
(06/02/2019) Procedimiento para fabricar un gran número de dispositivos sensores electrónicos para detectar especies (12, 12', 12") químicas o biológicas, con las siguientes etapas:
- incrustar un gran número de chips semiconductores prefabricados en cada caso a partir de un sustrato semiconductor en una primera zona en cada caso de una superficie de sustrato de un sustrato fabricado a partir de un material moldeable al estado fundido mediante:
- colocación del gran número de chips semiconductores prefabricados sobre una lámina adhesiva de modo que en cada caso una superficie de chip de los chips semiconductores prefabricados está dirigida a la lámina adhesiva, estando configurado cada uno de los chips semiconductores para una o varias funciones, que están seleccionados de un grupo que comprende lo siguiente: amplificación o evaluación…
CABEZA FLUIDICA PARA ENSAYAR SENSORES QUIMICOS E IONICOS.
(16/06/1997). Solicitante/s: I-STAT CORPORATION. Inventor/es: WIECK, HENRY, J., LAUKS, IMANTS, R., BANDRU, GREGORY, M.
SE PRESENTA UNA CABEZA FLUIDICA PARA FACILITAR EL ENSAYO AUTOMATICO DE DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS SENSORES IONICOS Y QUIMICOS . LA CABEZA FLUIDICA CONSTA DE UNA CELDA CONFINADORA DE FLUIDOS QUE TIENE UN ORIFICIO ABIERTA CAPAZ DE CONTENER UN FLUIDO DE ENSAYO CONOCIDO QUE MIENTRAS EL ORIFICIO SE ENCUENTRA ENGANCHADO A PRUEBA DE FUGAS A UNOS DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS ELECTRICOS SENSORES UNA ABERTURA DE ENTRADA Y SALIDA CAPAZ DE RELLENAR Y DESCARGAR FLUIDOS DE ENSAYO Y SONDAS ELECTRICAS CAPACES DE PONERSE EN CONTACTO CON LOS DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS SENSORES PARA ASI ENSAYAR LA RESPUESTA DE LOS DISPOSITIVOS CON LOS FLUIDOS DE ENSAYO.
UN METODO DE MANEJO DE UNA ESTRUCTURA MOS.
(16/04/1994). Solicitante/s: INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW. Inventor/es: TACK, MARNIX ROGER ANNA.
UNA ESTRUCTURA SOI-NMOS SE ENFRIA EN TAL FORMA QUE SE MANTIENE UNA CARGA EN UNA CAVIDAD DE TAL ESTRUCTURA DURANTE UN LARGO PERIODO DE TIEMPO. LAS APLICACIONES COMPRENDEN ELEMENTOS DE MEMORIA.
PERFECCIONAMIENTOS EN LA FABRICACION DE DIODOS -LOS DERECHOS DE LOS INVENTORES HAN SIDO CEDIDOS A LA RAZON SOCIAL SOLICITANTE (ART. 59).
(01/02/1983). Solicitante/s: INDUSTRIAL ELECTRONICA AZNAREZ, S.A..
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION Y ENCAPSULADO DE DIODOS SEMICONDUCTORES. CONSISTE EN REALIZAR UN MONTAJE CONJUNTO ANTIINTERFERENCIA INTEGRADO POR UN DIODO RECTIFICADOR , UN CONDENSADOR, UN NUCLEO, UNA BOBINA Y UNA FERRITA TOROIDAL (4A), CONEXIONADOS FORMANDO UN BLOQUE UNICO EN UNA CAPSULA QUE ACTUA COMO CONDENSADOR, COMO REFRIGERADOR DE DIODO Y BOBINA Y COMO BLINDAJE PARA INTERFERENCIAS Y PROTECCION POR SU POSIBLE CONEXION EXTERNA A MASA. EL CONJUNTO SE PUEDE RECUBRIR EXTERIORMENTE, DE FORMA OPCIONAL, CON MATERIAL APROPIADO. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE APARATOS DE RADIO, EN ORDENADORES Y EN TELEVISORES.