CIP-2021 : H01L 27/12 : el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).

H01L 27/12 · · el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo de mantenimiento de espacio multi-pared.

(16/03/2016) Un dispositivo de mantenimiento de espacio para la implantación en un cuerpo humano o animal, comprendiendo el dispositivo de mantenimiento de espacio: un primer cuerpo tubular que tiene una superficie de camisa con una pluralidad de aberturas para el crecimiento intersticial del tejido adyacente; al menos un segundo cuerpo tubular que tiene una superficie de camisa con una pluralidad de aberturas, estando el segundo cuerpo tubular dispuesto en el interior del primer cuerpo tubular, con los extremos de los cuerpos tubulares alineándose para formar un dispositivo de mantenimiento de espacio multi-pared, caracterizado por que el segundo cuerpo está dispuesto directamente o a través de uno o más elementos…

Sensor de fluidos en un chip conectado de forma inalámbrica.

(22/01/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: DNAE GROUP HOLDINGS LIMITED. Inventor/es: CONSTANDINOU,TIMOTHY G, GEORGIOU,PANTELAKIS, REED,SAM.

Un procedimiento de fabricación de un dispositivo sensor microfluídico que comprende las etapas de: proporcionar un primer sustrato que define varias estructuras microfluídicas para recibir un fluido que ha de ser detectado, siendo cada estructura microfluídica una una cámara, un pocillo o un canal microfluídicos; proporcionar un segundo sustrato que comprende o que tiene unido al mismo una multiplicidad de sensores ISFET de fluido, siendo mayor el número de sensores que el número de estructuras microfluídicas ; caracterizado porque los sustratos primero y segundo están fijados entre sí de forma que al menos uno de los sensores esté alineado con cada estructura microfluídica para proporcionar un sensor activo para cada estructura, y de modo que uno o más de los sensores estén alineados con alguna estructura microfluídica o no lo estén y que, por lo tanto, sea o sean redundantes.

PDF original: ES-2557108_T3.pdf

Marcador de posición de múltiples paredes.

(29/04/2015) Un marcador de posición para su implantación en cuerpo humano o de animal, comprendiendo el marcador de posición: un primer cuerpo tubular que tiene una superficie de funda con una pluralidad de aberturas para el crecimiento infiltrante de tejido adyacente; al menos un segundo cuerpo tubular que tiene una superficie de funda con una pluralidad de aberturas, estando dispuesto el segundo cuerpo tubular al menos parcialmente dentro del primer cuerpo tubular, caracterizado por que al menos dos segundos cuerpos tubulares (3', 3" y 3"') están alojados lado a lado uno junto a otro en el primer cuerpo .

Marcador de posición de múltiples paredes.

(08/04/2015) Un marcador de posición para su implantación en cuerpo humano o de animal, comprendiendo el marcador de posición: un primer cuerpo tubular que tiene una superficie de funda con una pluralidad de aberturas para el crecimiento infiltrante de tejido adyacente; al menos un segundo cuerpo tubular que tiene una superficie de funda con una pluralidad de aberturas, estando dispuesto el segundo cuerpo tubular al menos parcialmente dentro del primer cuerpo tubular, caracterizado por el hecho de que el primer cuerpo tiene una conformación en sección transversal arriñonada y el segundo cuerpo/cuerpos tiene/tienen…

Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón.

(03/12/2014) Celda de memoria, que comprende:~ una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende: dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor , siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga; estando cada una de dichas regiones de potencial mínimo…

Método de fabricación de un dispositivo de memoria de un solo electrón utilizando una máscara submicrónica.

(12/11/2014) Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende: formar una máscara submicrónica mediante las etapas siguientes: formar un primer islote de nitruro de silicio sobre un sustrato ; formar una capa de polisilicio sobre dicho primer islote de nitruro de silicio ; atacar químicamente el material de polisilicio de dicha capa de polisilicio para formar cuatro estructuras de polisilicio en las paredes laterales de dicho primer islote de nitruro de silicio ; eliminar dicho primer islote de nitruro de silicio ; y atacar químicamente tres de dichas cuatro…

TRANSISTOR BIPOLAR DE SILICIO SOBRE AISLANTE CON TENSION DE RUPTURA INCREMENTADA.

(01/02/2003) TRANSISTOR BIPOLAR DE SILICIO SOBRE AISLANTE, QUE COMPRENDE UN SUSTRATO CON UNA SUPERFICIE PRINCIPAL, UNA CAPA DE OXIDO SOBRE DICHA SUPERFICIE PRINCIPAL, UNA CAPA DE SILICIO, CON UN PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, SOBRE LA CAPA DE OXIDO , UNA ZONA DE BASE , CON UN SEGUNDO VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO , UNA ZONA DE EMISOR , CON EL PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA ZONA DE BASE , UNA ZONA DE COLECTOR , CON EL PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO A UNA DISTANCIA LATERAL DE LA ZONA DE BASE , UNA ZONA DE TERMINALES…

UN METODO PERFECCIONADO DE PRODUCIR FOTOMASCARAS EMPLEADAS EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y MICROCIRCUITOS.

(01/02/1978) Un método perfeccionado de producir fotomáscaras empleadas en la fabricación de dispositivos semiconductores y microcircuitos, consistente en que se recubre la superficie de un sustrato transparente con una capa de un material sensible a la luz (foto-reserva) o de un material sensible a la radiación de electrones y de rayos X (reserva sensible a los electrones), se forma un patrón requerido en dicha capa del material seleccionando por medio de irradiación, se retira el material de las partes de sustrato libres del patrón formado en la capa del material seleccionando, se deposita sobre ella una capa de un material de enmascaramiento en una cámara de vació, y se retira el patrón formado en la capa del material seleccionado para obtener, en la capa de material de enmascaramiento, un patrón negativo con respecto al…

PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN LOS TRANSITORES DESTINADOS A MONTARSE POR EL METODO DE INVERSION DE LA PASTILLA SOBRE ZONAS TERMINALES INCLUIDAS EN UN SUSTRATO DE UN CIRCUITO MICROELECTRONICO HIBRIDO.

(01/12/1975) Perfeccionamientos introducidos en transistores destinados a montarse por el método de inversión de la pastillas sobre zonas terminales incluidas en un sustrato de un circuito micro- electrónico híbrido, comprendiendo dichos transistores un cuerpo semiconductor que tiene una superficie principal , una pluralidad de regiones de emisor aisladas (8a,8b,8c,id,) una región de base y una región de colector en dicho cuerpo, teniendo cada una de dichas regiones (4,6,8a-8d) partes descubiertas en dicha superficie , capas de electrodo metálicas (22a,22b,24) directamente sobre y en contacto, únicamente, con dichas partes descubiertas, una capa protectora de material aislante que cubre dicha superficie principal…