CIP-2021 : H01L 21/8252 : siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología III-V (H01L 21/8258 tiene prioridad).

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/8252 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología III-V (H01L 21/8258 tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento y método de fabricación del mismo.

(23/07/2014) Estructura epitaxial estratificada para dispositivos (1; 1') de PHEMT de enriquecimiento y empobrecimiento, que comprende: * una capa de superred y tampón; * una capa barrera de soporte no dopada formada sobre la capa de superred y tampón y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs); * una capa de dopado delta de soporte dopada formada sobre la capa barrera de soporte; * una capa separadora de soporte no dopada formada sobre la capa de dopado delta de soporte y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs); * una capa canal no dopada formada sobre la capa separadora de soporte y compuesta por indio galio arsénido (InGaAs); * una capa separadora no dopada formada sobre la capa canal y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs); * una capa de dopado delta formada…