CIP-2021 : H01L 31/108 : siendo la barrera de potencial del tipo Schottky.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 31/00 › H01L 31/108[5] › siendo la barrera de potencial del tipo Schottky.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/108 · · · · · siendo la barrera de potencial del tipo Schottky.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada.
(24/02/2016) Un conductor de alta frecuencia , que comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad,
en el que la relación de las superficies externa e interna penetrables por una corriente del material de base al volumen total del material de base por subdivisión del material de base, perpendicularmente a la dirección de la corriente en dos segmentos (1a), (1b), que están distanciados por una pieza intermedia (1c) conductora de la electricidad así como conectados entre sí eléctrica y mecánicamente, que se compone de un material que es atacable por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base, ha aumentado en comparación con una conformación del material de base en la que se había suprimido esta subdivisión
caracterizado por que
por lo…
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICO.
(16/07/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITY OF SURREY. Inventor/es: LEONG, DANIEL, HARRY, MILTON, ANTHONY, HOMEWOOD, KEVIN, REESON, KAREN, JOY.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO DE SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN LED, QUE COMPRENDE UNA UNION P - N DE SILICIO QUE TIENE UNA REGION FOTOACTIVA QUE CONTIENE BETA DISILICIURO DE HIERRO ( BE - FESI 2 ). EL LED PRODUCE ELECTR OLUMINISCENCIA A UNA LONGITUD DE ONDA DE APROXIMADAMENTE 1,5 MI UM. SE DESCRIBEN TAMBIEN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.
FOTODIODO DE HETEROFUNCION ISOTIPO.
(16/03/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: AUSTIN, RICHARD F., FELDMAN, ROBERT D., SULHOFFF, JAMES W., ZYSKIND, JOHN L.
EN LA INVENCION SE DESCRIBE UN NUEVO FOTODIODO QUE COMPRENDE UNA UNION SEMIMETALICA Y SEMICONDUCTORA. LA DISTORSION DE LAS BANDAS ASOCIADAS CON ESTE TIPO DE FUNCION DAN COMO RESULTADO FLUJO DE CORRIENTE CUANDO SE FORMA UN PAR DE ORIFICIOS DE ELECTRONES MEDIANTE, POR EJEMPLO, UN FOTON INCIDIENDO SOBRE LA UNION. EL FOTODIODO ACTUA EN EL MODO FOTOVOLTAICO. SIN EMBARGO, MAS BIEN QUE CONFIAR EN LA DOSIFICACION DE IMPUREZAS PARA FABRICAR UNA UNION PN, LA NATURALEZA SEMIMETALICA DE HGTE Y SU BANDA DE CONDUCCION GRANDE SE NEUTRALIZA CON HG1. XCDX TE SE USAN PARA CREAR UN EFECTO SCHOTTKY DE RECTIFICACION COMO ESTRUCTURA.
