CIP-2021 : H01L 31/08 : en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/08 · en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Fotoelectrodos de doble cara y método para hacer un fotoelectrodo de doble cara.
(01/07/2020). Solicitante/s: King Abdullah University of Science and Technology. Inventor/es: OOI,BOON S, HUSSEIN,MOHAMED EBAID ABDRABOU, PRABASWARA,ADITYA, NG,TIEN KHEE, MIN,JUNGWOOK.
Un fotoelectrodo, que comprende:
una primera capa de nanocables de nitruro III;
un sustrato transparente, en contacto con la primera capa de nanocables en una primera superficie de sustrato, en donde el sustrato transparente es uno o más de óxido de indio y estaño, óxido de estaño dopado con flúor y óxido de zinc dopado con aluminio; y
una segunda capa de nanocables de nitruro III, en contacto con el sustrato en una segunda superficie del sustrato, esencialmente opuesta a la primera superficie del sustrato.
PDF original: ES-2811623_T3.pdf
(25/03/2020) Conmutador (COM) que comprende un sustrato (SUB) semiconductor y una línea de hiperfrecuencia que comprende dos pistas conductoras realizadas sobre el sustrato, estando separadas las dos pistas conductoras por un hueco que asegura un aislamiento eléctrico entre las dos pistas conductoras, estando delimitada una zona (ZA) activa del sustrato por las dos pistas conductoras y conectando las dos pistas conductoras, siendo plana la zona (ZA) activa, definiendo un plano de la zona (ZA) activa y que presenta un centro ( O), siendo adecuado el sustrato (SUB) para convertirse localmente en conductor cuando la zona (ZA) activa es…
SENSOR DE ELECTRONES PARA MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA.
(08/02/2018). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: CARMONA GALÁN,Ricardo, CERVERA GONTARD,Lionel.
Sensor de electrones para microscopia electrónica.
La presente invención es un sensor de electrones , y un sistema con una pluralidad de sensores de electrones para microscopia electrónica realizada mediante un microscopio electrónico. Más concretamente, el microscopio electrónico genera un haz de electrones que comprende al menos un electrón que incide sobre una superficie de recepción lateral de dicho sensor de electrones y este genera una carga eléctrica de pares electrón-hueco (e-h) que son detectados y/o medidos por al menos electrodos vinculados con una unidad de circuitería eléctrica para formar una imagen con elevado rango dinámico y medir la energía de los electrones incidentes en cada pixel de la imagen.
PDF original: ES-2653767_A1.pdf
SENSOR DE ELECTRONES PARA MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA.
(11/01/2018). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: CARMONA GALÁN,Ricardo, CERVERA GONTARD,Lionel.
La presente invención es un sensor de electrones , y un sistema con una pluralidad de sensores de electrones para microscopía electrónica realizada mediante un microscopio electrónico. Más concretamente, el microscopio electrónico genera un haz de electrones que comprende al menos un electrón que incide sobre una superficie de recepción lateral de dicho sensor de electrones y este genera una carga eléctrica de pares electrón-hueco (e-h) que son detectados y/o medidos por al menos electrodos vinculados con una unidad de circuitería eléctrica para formar una imagen con elevado rango dinámico y medir la energía de los electrones incidentes en cada pixel de la imagen.
METODO PARA LA SUPRESION DE LA RECOMBINACION NO RADIATIVA EN MATERIALES DOPADOS CON CENTROS PROFUNDOS.
(16/03/2008) Procedimiento para obtener materiales semiconductores con niveles situados cerca del centro de la banda prohibida (niveles profundos) que no sufren la recombinación no radiativa por emisión de múltiples fonones (MPE) asociada a dichos niveles. Consiste en incrementar el dopaje del semiconductor con aquellas impurezas que producen los centros profundos hasta alcanzar el punto en que se causa una transición de Mott entre las funciones de onda de los electrones atrapados en los centros, de tal forma que éstas quedan distribuidas a lo largo de todo el semiconductor. Cuando esto ocurre, desaparecen las variaciones locales de densidad de carga eléctrica y con ellas la recombinación por MPE. A partir de los materiales resultantes (semiconductores con tres bandas energéticas separadas , y ) se pueden fabricar dispositivos optoelectrónicos (células…
PERFECCIONAMIENTOS EN CIRCUITOS PARA REGULAR EL VOLTAJE DE SALIDA DE UN DISPOSITIVO.
(31/01/1984). Solicitante/s: THE BABCOCK & WILCOX COMPANY.
CIRCUITO PARA REGULAR EL VOLTAJE DE SALIDA DE UN DISPOSITIVO, EN PARTICULAR CIRCUITO QUE PERMITE QUE UNA FOTOCELULA, MIENTRAS SE ENCUENTRA BAJO ALTA RADIACION, SEA SENSIBLE A CAMBIOS RELATIVAMENTE PEQUEÑOS EN DICHA RADIACION. CONSTA DE UN FOTODIODO CUYOS ANODO Y CATODO ESTAN CONECTADOS A CONDUCTORES RESPECTIVOS ; DE UN RESISTOR DE CARGA QUE ESTA CONECTADO A LOS CONDUCTORES ; DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL CUYA SALIDA ESTA CONECTADA A SU ENTRADA NEGATIVA A TRAVES DE UN RESISTOR ; Y DE UN TRANSISTOR NPN QUE ESTA CONECTADO A LOS CONDUCTORES A TRAVES DE RESISTORES.