Conmutador.
Conmutador (COM) que comprende un sustrato (SUB) semiconductor y una línea (10) de hiperfrecuencia que comprende dos pistas (11,
12) conductoras realizadas sobre el sustrato, estando separadas las dos pistas (11, 12) conductoras por un hueco que asegura un aislamiento eléctrico entre las dos pistas (11, 12) conductoras, estando delimitada una zona (ZA) activa del sustrato por las dos pistas (11, 12) conductoras y conectando las dos pistas (11, 12) conductoras, siendo plana la zona (ZA) activa, definiendo un plano de la zona (ZA) activa y que presenta un centro ( O), siendo adecuado el sustrato (SUB) para convertirse localmente en conductor cuando la zona (ZA) activa es iluminada por el haz óptico de control de manera que establece un contacto eléctrico entre las dos pistas (11, 12) de la línea (10) de hiperfrecuencia, caracterizado porque el conmutador comprende además un conjunto de al menos una línea, denominada línea (15, 16, 17, 18) continua destinada a transportar una corriente continua, comprendiendo la línea continua dos electrodos separados entre sí de manera que se asegura un aislamiento eléctrico entre los dos electrodos, estando conectados los electrodos por una zona (160) de separación del sustrato, siendo adecuada la zona de separación para convertirse en conductora cuando es iluminada por el haz óptico de control de manera que establece un contacto eléctrico entre los dos electrodos, estando separados los dos electrodos por un plano (P) de separación de la línea continua, pasando el plano (P) de separación por el centro O y siendo perpendicular al plano de la zona (ZA) activa.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E18202604.
Solicitante: THALES.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: Tour Carpe Diem, Place des Corolles, Esplanade Nord 92400 Courbevoie FRANCIA.
Inventor/es: TRIPON-CANSELIET,CHARLOTTE, CHAZELAS,JEAN, CANAL,YVES.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/08 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias.
PDF original: ES-2796602_T3.pdf
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