(15/07/2020). Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: ENGELHART,PETER, SCHERFF,MAXIMILIAN, BORDIHN,STEFAN, KLÖTER,BERNHARD.

Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento: - puesta a disposición de un sustrato semiconductor ; - formación de una capa funcional en una superficie semiconductora del sustrato semiconductor ; y - generación de al menos una zona dopada en la superficie semiconductora mediante introducción de una sustancia dopante de la capa funcional en el interior del sustrato semiconductor , formándose la capa funcional de tal modo que, al acabar el dispositivo semiconductor, pasiviza como capa de pasivación la superficie semiconductora , caracterizado por que la capa funcional está formada por óxido de aluminio (AlOx), óxido de titanio (TiOx), óxido de magnesio (MgOx) u óxido de cinc (ZnOx), actuando correspondientemente como sustancia dopante el titanio, magnesio o cinc del compuesto.

PDF original: ES-2819173_T3.pdf

(06/05/2020). Solicitante/s: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Inventor/es: PARK,SANG HYUN, EO,YOUNG-JOO, YOON,KYUNG-HOON, AHN,SEJIN, GWAK,JIHYE, YUN,JAE-HO, CHO,ARA, SHIN,KEE-SHIK, AHN,SEOUNGKYU, CHO,JUN-SIK, YOO,JIN-SU, PARK,JOO-HYUNG.

Un procedimiento de fabricación de una película delgada a base de CI(G)S para una celda solar mediante el uso de un fundente que tiene un punto de fusión bajo, comprendiendo el procedimiento las etapas de: (a) preparar nanopartículas a base de CI(G)S; (b) preparar una suspensión que contiene las nanopartículas a base de CI(G)S y un fundente que tiene un punto de fusión de 30 a 400 °C; (c) recubrir la suspensión sobre un sustrato sin vacío para formar una película delgada precursora a base de CI(G)S; (d) secar la película delgada precursora a base de CI(G)S; y (e) realizar un tratamiento térmico de selenización de la película delgada precursora a base de CI(G)S mediante el uso de vapor de selenio (Se) a una temperatura de 250 a 450 °C durante 30-120 minutos, caracterizado porque el fundente es uno cualquiera seleccionado del grupo que consiste en sulfamida, selenato de sodio decahidratado, selenito de sodio y ácido sulfámico.

PDF original: ES-2805312_T3.pdf

(20/04/2020). Solicitante/s: MONDRAGON ASSEMBLY, S.COOP. Inventor/es: ARAGONÉS REBOLLO,José María, GARCIA ECHEVARRIA,Gorka, ERRASTI OCARANZA,Alaitz, VELASCO UGARTE,Aitzol.

Método e instalación para enmarcar un panel solar con una pluralidad de lados, donde se une un marco al panel solar. El marco comprende un segmento de marco para cada lado del panel solar, uniéndose cada uno de dichos segmentos de marco al lado correspondiente. Para enmarcar un panel solar, en un ciclo de enmarcado el método comprende una etapa de alimentación de paneles en la que se alimenta el panel solar a enmarcar a una estación de unión de una instalación configurada para enmarcar paneles solares, una etapa de alimentación de marco en la que se alimentan los segmentos de marco para dicho panel solar a la estación de unión , y una etapa de enmarcado en la que se unen dichos segmentos de marco a dicho panel solar.

PDF original: ES-2754874_B2.pdf

PDF original: ES-2754874_A1.pdf

(08/04/2020). Solicitante/s: TEAMTECHNIK MASCHINEN UND ANLAGEN GMBH. Inventor/es: FISCHER, THOMAS, RIETHMÜLLER,DIPL.-ING. AXEL.

Dispositivo de conexión de celdas solares para la fabricación de cadenas de celdas solares cristalinas individuales y conectores eléctricamente conductores, compuesto por: un primer módulo para unir las celdas solares y los conectores ; un segundo módulo adyacente a dicho primer módulo para conectar dichos conectores a dichas celdas solares; un tercer módulo para transportar dichas celdas solares desde dicho primer módulo a través de dicho segundo módulo, caracterizado por un módulo adicional provisto delante del primer módulo y que tiene una unidad de serigrafía para aplicar un adhesivo conductor al menos a un lado de la celda solar , y un dispositivo de manipulación adaptado para guiar la celda solar provista con el adhesivo conductor al primer módulo y para su transporte a través del tercer módulo.

PDF original: ES-2794016_T3.pdf

(15/01/2020). Solicitante/s: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Inventor/es: OTSUKA,HIROYUKI, WATABE,TAKENORI.

Una célula solar que comprende un sustrato de silicio dopado con galio que tiene una unión p-n formada en el mismo, en el que el sustrato de silicio está provisto de una película de óxido térmico de silicio al menos sobre una primera superficie principal de superficies principales del sustrato de silicio, siendo la primera superficie principal una superficie principal que tiene una región de tipo p, y el sustrato de silicio se dopa adicionalmente con boro, en el que el sustrato de silicio tiene una concentración de boro de 5 × 1014 átomos/cm3 o más y 1 × 1016 átomos/cm3 o menos.

PDF original: ES-2780048_T3.pdf

(04/12/2019). Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Inventor/es: JOST, STEFAN, PALM,JÖRG, FÜRFANGER,MARTIN.

Disposición de cuerpos multicapa (28a a 28e), que comprende - al menos dos cuerpos multicapa , cada uno de los cuales tiene al menos una superficie a procesar, - al menos un dispositivo (30a a 30g) para el posicionamiento de los cuerpos multicapa , donde el dispositivo (30a a 30g) está diseñado de tal manera que las superficies a procesar en cada caso se encuentren opuestas entre sí, caracterizada por que forman así un espacio de procesamiento casi cerrado (21') dispuesto entre las superficies , en el que tiene lugar el procesamiento, donde casi cerrado describe un espacio de procesamiento que está abierto en el borde y en el que, durante el período del procesamiento de los cuerpos multicapa no se produce prácticamente ningún intercambio de gases entre el espacio de procesamiento y sus alrededores, de modo que no se produce ningún cambio significativo en las condiciones del proceso en el espacio de procesamiento.

PDF original: ES-2774920_T3.pdf

(13/11/2019). Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Inventor/es: JOST, STEFAN, DALIBOR,THOMAS, PALM,JÖRG, HAPP,THOMAS, POHLNER,STEPHAN, DIETMÜLLER,ROLAND.

Sistema de capas para células solares de película delgada , que comprende: - una capa de absorción que contiene un semiconductor compuesto de calcogenuro, - una capa de amortiguación , que está dispuesta sobre la capa de absorción , en el que la capa de amortiguación contiene NaxIn1SyClz con 0,05 ≤ x < 0,2 o 0,2 < x ≤0,5, 0,6 ≤ x/z ≤ 1,4 y 1 ≤ y ≤ 2 en el que la capa de amortiguación contiene una proporción de oxígeno ≤ 10 % atómico y/o una proporción de cobre ≤ 10 % atómico, en el que la capa de amortiguación contiene proporciones de otros elementos además del sodio, cloro, indio, azufre, oxígeno y cobre de ≤ 1% atómico.

PDF original: ES-2772449_T3.pdf

(13/11/2019). Solicitante/s: ASM International N.V. Inventor/es: PIERREUX,DIETER.

Un método de fabricación de una celda solar que tiene una vida útil (Γef). efectiva del portador de carga minoritaria de al menos 500 ms, comprendiendo dicho método: - proporcionar una oblea semiconductora; y - pasivar una superficie posterior de dicha oblea depositando una capa de óxido de metal en dicha superficie mediante ALD secuencial y alternativamente: (i) exponer dicha superficie a un primer precursor, dando como resultado una cobertura de la superficie con el primer precursor, y (ii) exponer dicha superficie a un segundo precursor, dando como resultado una cobertura de la superficie con el segundo precursor, caracterizada porque al menos uno de los pasos (i) y (ii) se detiene antes de que la cobertura de la superficie alcance un nivel de saturación.

PDF original: ES-2758556_T3.pdf

(04/09/2019). Solicitante/s: HEE Solar, L.L.C. Inventor/es: IRWIN,MICHAEL D, CHUTE,JERRED A, DHAS,VIVEK V.

Método que comprende las etapas de: preparar una tinta precursora de haluro de plomo, en el que preparar una tinta precursora de haluro de plomo comprende las etapas de: introducir un haluro de plomo en un recipiente, en el que el haluro de plomo comprende una mezcla de cloruro de plomo (II) y yoduro de plomo (II); introducir un primer disolvente en el recipiente; y poner en contacto el haluro de plomo con el primer disolvente para disolver el haluro de plomo para formar la tinta precursora de haluro de plomo; depositar la tinta precursora de haluro de plomo sobre un sustrato; secar la tinta precursora de haluro de plomo para formar una película delgada; recocer la película delgada; y enjuagar la película delgada con un segundo disolvente y una sal, en el que la sal se selecciona del grupo que consiste en yoduro de metilamonio, yoduro de formamidinio, yoduro de guanidinio, yoduro de 1,2,2- triaminovinilamonio e hidroyoduro de ácido 5-aminovalérico.

PDF original: ES-2748700_T3.pdf

(28/08/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Inventor/es: MAURER, MARC, KUSTER, HANS-WERNER, PROBST,VOLKER, CALWER,HERMANN.

Método de sellado de un elemento capaz de captar luz, dicho elemento incluye un primer sustrato con función cristalera y un segundo sustrato (1'), dichos sustratos atrapan con la ayuda de un separador de capas un apilamiento activo de capas que incluyen unas capas conductoras que forman electrodos y al menos una capa funcional a base de un material absorbente que permite una conversión energética de la luz en energía eléctrica, dicho apilamiento está dispuesto en al menos una porción de superficie de al menos uno de los sustratos (1, 1') de forma que delimite en la periferia una garganta adaptada para recibir al menos un medio de sellado de dicho elemento, caracterizado por que se deposita el medio de sellado en la garganta antes de la fase de autoclave y después de haber retirado las burbujas de aire aprisionadas en el seno de dicho elemento.

PDF original: ES-2758754_T3.pdf

(28/08/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Inventor/es: BOCK,ROBERT, BOESCKE,TIM, SADLER,PATRICK.

Procedimiento para la fabricación de una célula solar a partir de silicio cristalino, en cuyo sustrato en una primera superficie (3a) está prevista una primera zona de impurificación generada por medio de difusión de boro y en una segunda superficie (3b) está prevista una segunda zona de impurificación impurificada con fósforo, en el que tras la generación de la segunda zona de impurificación impurificada con fósforo y antes de la etapa de la difusión de boro se aplica sobre la segunda superficie una capa de cubierta (9b) que actúa como barrera de la introducción por difusión de boro y como barrera de la separación por difusión de fósforo, que presenta nitruro de silicio con bajo contenido en hidrógeno con un contenido en hidrógeno del 20 % en átomos o inferior.

PDF original: ES-2757526_T3.pdf

(07/08/2019). Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Inventor/es: AVELLAN,ALEJANDRO, GRÜNERBEL,MANFRED.

Método para la estabilización de la potencia nominal de un módulo solar de capa fina , con una unión laminada de al menos dos substratos , unidos entre sí a través de al menos una capa adhesiva , entre los cuales se encuentran células solares conectadas en serie, presentando la unión laminada una estructura de panel compuesto con células solares de capa fina conectadas en serie, disponiendo las células solares de capa fina de una capa semiconductora que está formada por una combinación de calcopiritas, especialmente Cu(In/Ga)(S/Se)2, en la cual las células solares son iluminadas con luz artificial, con una intensidad de iluminación de al menos 5 kW/m2.

PDF original: ES-2753632_T3.pdf

(31/07/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry. Inventor/es: JOST, STEFAN, DALIBOR,THOMAS, PALM,JÖRG, HAPP,THOMAS, POHLNER,STEPHAN, DIETMUELLER,ROLAND, VERMA,RAJNEESH.

Método para producir un sistema de capas para células solares de película delgada, donde a) se produce una capa de absorbedor , donde la capa de absorbedor contiene un semiconductor compuesto de calcopirita, y b) se produce una capa tampón en la capa de absorbedor , donde la capa tampón contiene sulfuro de sodio e indio de acuerdo con la fórmula NaxIny-x/3S donde 0,063 ≤ x ≤ 0,625 y 0,681 ≤ y ≤ 1,50, donde la fracción de porcentaje atómico de sulfuro de sodio e indio en la capa tampón es al menos 75%, y donde la capa tampón se produce sin deposición de sulfuro de indio, usándose al menos un compuesto de tioindato de sodio ternario como material fuente de partida para producir dicha capa tampón.

PDF original: ES-2753449_T3.pdf

(17/07/2019). Solicitante/s: FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES. Inventor/es: KOPPENS,Frank, KONSTANATOS,GERASIMOS, KUFER,DOMINIK, NIKITSKIY,IVAN.

Aparato optoelectrónico con ganancia fotoconductiva que comprende un sustrato , una capa dieléctrica , una capa de transporte, y una capa de fotosensibilización , en donde la capa de transporte comprende al menos una capa semiconductora bidimensional y la capa de fotosensibilización comprende puntos cuánticos coloidales, caracterizado porque se forma una heterounión de tipo II entre la capa de fotosensibilización y la capa de transporte, y la capa semiconductora bidimensional , que es al menos una, comprende al menos uno de los siguientes: MoS2, MoSe2, WS2, WSe2 and SnS2, y en el que los puntos cuánticos coloidales comprenden al menos uno de los siguientes: PbS, CIS, Ge, Si, HgTe, CIGS, CZTS, AgBiS2, SnO2, ITO y ZnO.

PDF original: ES-2749694_T3.pdf

(13/06/2019). Solicitante/s: Saint-Augustin Canada Electric Inc. Inventor/es: GOMBERT,ANDREAS, STÖR,JAKOB, TALIERCIO,CÉCILE.

Dispositivo para regular el nivel de humedad relativa en un módulo CPV que puede comprender por lo menos una unidad modular , comprendiendo el dispositivo una unidad de desecación conectable al módulo a través de un conducto , y a la atmósfera ambiente, estando caracterizado el dispositivo por el hecho de que comprende un mecanismo de conmutación que es accionado por una unidad de regulación en base a parámetros termodinámicos directamente relacionados con condensación, permitiendo que un flujo de gas entre en el módulo desde la unidad de desecación o bien a atmósfera ambiente.

PDF original: ES-2716608_T3.pdf

(22/05/2019). Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: MULLER, JORG, PATZLAFF,TORALF.

Procedimiento de marcación de celdas solares, con los pasos - disposición de un sustrato con una superficie de sustrato para confeccionar una celda solar que presenta una zona activa , y - producción de como mínimo un ahondamiento en la superficie de sustrato mediante el uso de radiación láser, donde el como mínimo un ahondamiento forma una marcación para marcar la celda solar , y la producción del ahondamiento se realiza antes de efectuar un proceso de confección de celdas solares o mientras se lleva a cabo un proceso de fabricación de celdas solares, caracterizado porque el sustrato se conforma como plaquita semiconductora con una superficie de plaquita, y la marcación en la superficie de plaquita se posiciona de modo tal que la marcación se ubica en la zona activa de la celda solar formada por la plaquita semiconductora.

PDF original: ES-2335156_T3.pdf

PDF original: ES-2335156_T5.pdf

(23/01/2019). Solicitante/s: Solar Junction Corporation. Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.

Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende: una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz , en la que los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03; un emisor , un campo en superficie delantero opcional y un campo en superficie trasero opcional ; donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge; donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.

PDF original: ES-2720596_T3.pdf

(23/01/2019). Solicitante/s: Korea Institute Of Industrial Technology. Inventor/es: LEE, SUK HO, JEONG,CHAEHWAN, JEON,MINSUNG, KIM,JIN HYEOK, KO,HANG JU.

Una célula solar que comprende: un sustrato, una primera capa de poli-Si del tipo ++ formada sobre el sustrato, una capa de nanocables de silicio del primer tipo que incluye un nanocable de silicio del primer tipo que crece desde la primera capa de poli-Si del tipo ++, una capa intrínseca formada sobre el sustrato que tiene la capa de nanocables de silicio de primer tipo, y una capa de dopaje del segundo tipo formada sobre la capa intrínseca, dicha capa de dopaje del segundo tipo teniendo un nivel de impureza menor que la primera capa de poli-Si del tipo ++, en donde el nanocable de silicio del primer tipo tiene una longitud en un intervalo de 2 a 5 μm y un diámetro en un intervalo de 1 a 5 nm.

PDF original: ES-2717141_T3.pdf