CIP-2021 : C23C 16/50 : por medio de descargas eléctricas.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/50 · · por medio de descargas eléctricas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Recubrimiento DCL con una capa de entrada.
(13/09/2017). Solicitante/s: Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon. Inventor/es: GUIMOND,SEBASTIEN, WURZER,MANFRED, WIDOWITZ,FRANZ.
Capa de materia dura sobre un componente, comprendiendo la capa de materia dura una capa DLC con una dureza de al menos 10 GPa, caracterizada por que sobre la capa de carbono como diamante está prevista una capa en gradiente DLC con un grosor de al menos 300 nm, estando implementada la capa en gradiente DLC con una densidad decreciente y por tanto con una dureza decreciente, y no diferenciándose la capa en gradiente DLC de la capa DLC con respecto a los elementos químicos que comprenden.
PDF original: ES-2650379_T3.pdf
DEPOSICIÓN DE CAPAS DE GRAFENO MEDIANTE DEPOSICIÓN QUÍMICA EN FASE VAPOR ASISTIDA POR PLASMA.
(18/01/2017). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: GOMEZ-ALEIXANDRE FERNANDEZ, CRISTINA, MUÑOZ GÓMEZ,Roberto, GARCÍA HERNÁNDEZ,María del Mar.
Deposición de capas de grafeno mediante deposición química en fase vapor asistida por plasma.
La invención se refiere a un procedimiento de deposición de capas de grafeno de alta calidad sobre un sustrato que se realiza mediante deposición química en fase vapor asistida por plasma, comprendiendo dichas capas de grafeno nanocristales de tamaños controlables con la temperatura y el tiempo interconectados por fase amorfa.
Además, la invención se refiere a dicho material depositado sobre un sustrato y su uso como componente de ventanas o paneles táctiles, sistemas de protección, electrodos o un lector/plato de disco duro.
PDF original: ES-2597477_B1.pdf
PDF original: ES-2597477_A1.pdf
Procedimiento para la fabricación de sustratos recubiertos.
(18/01/2017) Procedimiento para la fabricación de un sustrato no metálico recubierto, que comprende
a) la puesta a disposición de un sustrato no metálico con por lo menos una superficie que se puede recubrir por lo menos en determinadas zonas,
b) la puesta a disposición de un equipo de aplicación para la aplicación de una capa metálica,
c) la puesta a disposición de por lo menos un generador de plasma y/o por lo menos un equipo de tratamiento de efecto corona,
d) dado el caso, el tratamiento por plasma con el generador de plasma y/o el tratamiento de efecto corona del sustrato no metálico o de la superficie que se puede recubrir del sustrato no metálico,
e) dado el caso, el…
DEPOSICIÓN DE CAPAS DE GRAFENO MEDIANTE DEPOSICIÓN QUÍMICA EN FASE VAPOR ASISTIDA POR PLASMA.
(22/12/2016). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: GOMEZ-ALEIXANDRE FERNANDEZ, CRISTINA, MUÑOZ GÓMEZ,Roberto, GARCÍA HERNÁNDEZ,María del Mar.
La invención se refiere a un procedimiento de deposición de capas de grafeno de alta calidad sobre un sustrato que se realiza mediante deposición química en fase vapor asistida por plasma, comprendiendo dichas capas de grafeno nanocristales de tamaños controlables con la temperatura y el tiempo interconectados por fase amorfa. Además, la invención se refiere a dicho material depositado sobre un sustrato y su uso como componente de ventanas o paneles táctiles, sistemas de protección, electrodos, elemento de cabezas lectoras/platos de disco duro, como recubrimiento resistente y como componente de un calefactor o calentador resistivo.
Procedimiento para el recubrimiento por plasma de una chapa de prensado.
(25/05/2016). Solicitante/s: Berndorf Hueck Band- und Pressblechtechnik GmbH. Inventor/es: MULLER, THOMAS, STADLER, OTTO, LAIMER, JOHANN, GEBESHUBER,ANDREAS, HEIM,DANIEL, PROSCHEK,MICHAEL, STÖRI,HERBERT.
Uso de un dispositivo para el recubrimiento por plasma de una chapa de prensado , comprendiendo el dispositivo una cámara de vacío y un electrodo dispuesto en ella, que durante el funcionamiento está orientado esencialmente en paralelo a la chapa de prensado mencionada y frente a su lado a recubrir, en el que el electrodo está segmentado y cada uno de los segmentos de electrodo presenta una conexión propia para una fuente de energía eléctrica.
PDF original: ES-2587929_T3.pdf
Película protectora, miembro reflectante, y procedimiento de producción para película protectora.
(23/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED. Inventor/es: OKADA, NAOKO, AOMINE,NOBUTAKA, HANEKAWA,HIROSHI, KAWAHARA,HIROTOMO.
Película protectora situada sobre una parte superior de una película metálica para proteger la película metálica que está situada sobre un sustrato de vidrio, comprendiendo la película protectora:
una película de sílice;
en la que la película de sílice tiene un coeficiente de extinción "k" menor o igual de 1 x 10-4 y un índice de refracción "n" menor o igual de 1,466 a una longitud de onda de 632 nm, y un contenido de carbono menor o igual de un 3 % atómico.
PDF original: ES-2658046_T3.pdf
Tratamiento superficial de caucho utilizando plasma a baja presión.
(01/07/2015) Método para tratar una superficie de un objeto que comprende un material de caucho, en el que el objeto es una cámara moldeadora para utilizar en un procedimiento destinado a fabricar un neumático para vehículo, comprendiendo el método:
- someter la superficie a un gas a una presión baja a la que el gas es susceptible de formar un plasma, en el que el gas es un gas de flúor y
- provocar que el gas forme un plasma.
Un método para mejorar la hidrofilicidad estable de un sustrato mediante deposición por plasma a presión atmosférica.
(18/04/2012) Un método para aplicar un recubrimiento hidrófilo enun sustrato, el cual método comprende las etapas de:
- proporcionar un sustrato ,
- producir una descarga de plasma a presión atmosféricaen presencia de un gas,
- exponer, al menos parcialmente, e l sustrato a dichadescarga de plasma a presión atmosférica,
- introducir un aerosol líquido o un vapor delmaterial formador de recubrimiento en dicha descarga de plasmaa presión atmos férica, formando así un recubrimiento en elsustrato,
con la característica de que dicho material formador derecubrimiento consiste en un derivado saturado de acetato ouna mezcla de derivados…
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN PRODUCTO METALICO REVESTIDO CON UNA PELICULA DELGADA ULTRAHIDROFILA, Y PRODUCTO METALICO REVESTIDO CON UNA PELICULA DELGADA ULTRAHIDROFILA.
(13/04/2010) Procedimiento para fabricar un producto metálico revestido con una película delgada ultrahidrófila, que reviste de forma continuada una película delgada ultrahidrófila compuesta de Ti-O-C-(H), que contiene un porcentaje atómico de Ti comprendido entre 15 y 22, un porcentaje atómico de O comprendido entre 45 y 65 y un porcentaje atómico de C comprendido entre 20 y 25, a ambas superficies de un sustrato metálico en forma de lámina que se suministra de forma continuada a una cámara de vacío, utilizando plasma, y se procesa mecánicamente la lámina revestida con la película delgada hasta obtener la forma deseada
TRATAMIENTO DE FIBRAS DE LANA O QUERATINICAS Y SUS MEZCLAS CON OTRAS FIBRAS Y/O SUS PRODUCTOS MEDIANTE POST-DESCARGA DE PLASMA.
(01/04/2008) Tratamiento de fibras de lana o queratínicas y sus mezclas con otras fibras y/o sus productos mediante post-descarga de plasma.#El tratamiento de fibras de lana o queratínicas y sus mezclas con otras fibras y/o sus productos mediante post-descarga de plasma describe un procedimiento para reducir y/o evitar el encogimiento de tejidos y de artículos confeccionados con fibras textiles, en particular fibras queratínicas tales como lana y pelo animal y sus mezclas con otras fibras y para incrementar su hidrofilidad, reactividad y adhesión hacia otros productos químicos. Dicho procedimiento puede aplicarse según un proceso…
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO EN FASE DE VACIO DE UN SUSTRATO.
(16/07/2006). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: WEBER, THOMAS, BURGER, KURT, VOIGT, JOHANNES, LUCAS, SUSANNE.
La invención se refiere a un procedimiento para revestir un sustrato por depósito químico en fase de vapor activado por plasma. Para regular el bombardeo iónico durante el revestimiento, una tensión (US), producida independientemente del plasma de revestimiento se aplica al sustrato, siendo dicha tensión modificada durante el revestimiento. La tensión de sustrato (US) es, de manera apropiada, una tensión continua bipolar impulsada, que presenta una frecuencia comprendida entre 0,1 kHz y 10 lHz. La invención se refiere también a una estructura multicapa que resiste al desgaste y que reduce la fricción, constituida por capas individuales alternas de material con resistencia mecánica elevada y de carbono o de silicio.
PROCEDIMIENTO DE RECUBRIMIENTO DE UNA GOMA DE LIMPIAPARABRISAS.
(16/06/2006). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: VOIGT, JOHANNES, LEUTSCH, WOLFGANG, RAUSCHNABEL, JOHANNES, FORGET, JEANNE.
La invención se refiere a un procedimiento para el revestimiento de una rasqueta limpiaparabrisas de caucho hecha de un material elastomérico. Según el procedimiento de la invención, el revestimiento se lleva a cabo por medio de un proceso CVD y/o por medio de un proceso PVD durante los cuales los vapores que recubren el material se generan y se activan utilizando técnicas térmicas, de plasma y/o láser. Se forman capas protectoras resistentes al desgaste que exhiben buenas características de deslizamiento sobre la superficie de la rasqueta limpiaparabrisas de caucho.
DISTRIBUIDOR DE GASES PARA EL RECUBRIMIENTO DE UNA LENTE, Y PROCEDIMIENTO, LENTE Y DISPOSITIVO DE RECUBRIMIENTO CORRESPONDIENTES.
(16/12/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: INDO INTERNACIONAL S.A.. Inventor/es: EGIO ARTAL,ALFONSO, VILAJUANA MAS,ANTONI, GUTIERREZ BERASATEGUI,EVA, DURSTELER LOPEZ,JUAN CARLOS, FERNANDEZ SERRANO,RICARDO.
Distribuidor de gases para el recubrimiento de una lente, y procedimiento, lente y dispositivo de recubrimiento correspondientes. El distribuidor comprende una placa de salida plana con una pluralidad de orificios de salida que presentan una distribución sobre la placa obtenible de la siguiente manera: [a] definición de una superficie auxiliar, [b] posicionado de unos primeros puntos sobre una primera superficie plana, con una densidad superficial de primeros puntos constante, donde la primera superficie se apoya sobre el borde inferior de la superficie auxiliar, y [c] trazado de unas rectas de proyección desde un origen de proyección, y que pasen por cada uno de los primeros puntos, hasta que corten la superficie auxiliar, definiendo unos puntos proyectados sobre la superficie auxiliar, y abatido de los puntos proyectados hasta que corten la placa de salida plana, definiendo la posición de los orificios de salida.
TRATAMIENTOS DE DESCARGA LUMINISCENTE DE PLASMA MODULADO PARA FABRICAR SUSTRATOS SUPERHIDROFOBOS.
(01/12/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: THE PROCTER & GAMBLE COMPANY. Inventor/es: PALUMBO, GIANFRANCO, CORZANI, ITALO, D\'AGOSTINO, RICCARDO, FAVIA, PIETRO, LAMENDOLA, RITALBA.
Un método para tratar sustratos que incluye la etapa de exponer dicho sustrato a una descarga luminiscente de plasma en presencia de un gas o vapor fluorocarbonado, estando dicho plasma generado como una descarga luminiscente modulada, caracterizándose dicho método por que el gas fluorocarbonado se mantiene a una presión de entre 6, 666 Pa (50 mTorr) y 53, 324 Pa (400 mTorr).
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE PIEZAS RECUBIERTAS CON UNA CAPA EPITACTICA.
(01/11/2004). Solicitante/s: BALZERS HOCHVAKUUM AG. Inventor/es: RAMM, JURGEN, VON KINEL, HANS, ROSENBLAD, CARSTEN.
El procedimiento se caracteriza porque se colocan sobre la pieza capas de calidad suficiente, a una velocidad deposición aumentada considerablemente. A este fin, en vez de un procedimiento UHV-CVD o ECR-CVD, por ejemplo, se emplea el procedimiento PECVD por medio de una descarga de plasma de CC.
DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO DE UN RECIPIENTE CON PLASMA DE MICROONDAS.
(01/04/2004) Dispositivo para el tratamiento superficial de un recipiente, del tipo en el que el tratamiento se realiza por medio de un plasma a baja presión por excitación de un fluido reactivo, merced a ondas electromagnéticas de tipo de microondas, y del tipo en el que el recipiente está colocado en un recinto de material conductor, en cuyo interior se introducen las microondas por intermedio de un dispositivo de acoplamiento, caracterizado porque el recinto es cilíndrico de revolución, alrededor de un eje principal (A1) del recipiente , porque el dispositivo de acoplamiento comprende un túnel para el guiado de las ondas que se…
HERRAMIENTAS REVESTIDAS DE DIAMANTE Y SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.
(01/02/2004). Solicitante/s: KENNAMETAL INC.. Inventor/es: GRAB, GEORGE, P., MELAGO, WILLIAM, M., OLES, EDWARD, J., MURRAY, GERALD, D., BAUER, CHARLES, ERIK, INSPEKTOR, AHARON.
UNA HERRAMIENTA REVESTIDA CON DIAMANTE Y UN PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION. EL PROCEDIMIENTO COMPRENDE UN PASO DE SINTERIZACION. EN ESTE PASO, EL SUSTRATO DE LA HERRAMIENTA ESTA SINTERIZADO EN UNA ATMOSFERA Y DURANTE UN TIEMPO Y A UNA TEMPERATURA DE MANERA QUE SE PROMUEVE UN CRECIMIENTO DE GRANO EXAGERADO, SUPERFICIAL QUE IMPRIME UNA RUGOSIDAD SUPERFICIAL QUE PUEDE SERVIR COMO LUGAR DE ANCLAJE DURANTE UN PASO DE REVESTIMIENTO DE DIAMANTE SUBSIGUIENTE QUE SE REALIZA POR UNA TECNICA DE DEPOSICION DE VAPOR. LA HERRAMIENTA REVESTIDA CON DIAMANTE COMPRENDE UNA SUPERFICIE DE SUSTRATO EN GRANO LARGO, Y UNA GRAN FUERZA DE ENLACE ENTRE EL REVESTIMIENTO DE DIAMANTE Y LA SUPERFICIE DE SUSTRATO.
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA LA PREPARACION DE CAPAS Y RECUBRIMIENTOS POR MEDIO DE DEPOSICION QUIMICA EN FASE DE VAPOR ASISTIDA POR COMBUSTION.
(01/11/2003). Solicitante/s: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: HUNT, ANDREW T., COCHRAN, JOE K., CARTER, WILLIAM BRENT.
SE PRESENTA UN METODO PARA APLICAR REVESTIMIENTOS A SUBSTRATOS UTILIZANDO DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO DE COMBUSTION MEZCLANDO ENTRE SI UN REAGENTE Y UNA SOLUCION PORTADORA PARA FORMAR UNA MEZCLA DE REAGENTES. ENCENDIENDO LA MEZCLA DE REAGENTES PARA CREAR UNA LLAMA O HACIENDO FLUIR LA MEZCLA DE REAGENTES A TRAVES DE UNA ANTORCHA DE PLASMA, EN LA CUAL EL REAGENTE SE VAPORIZA AL MENOS PARCIALMENTE EN UNA FASE DE VAPOR, Y PONIENDO EN CONTACTO LA BASE DE VAPOR DEL REAGENTE CON UN SUBSTRATO RESULTANDO LA DEPOSICION, AL MENOS EN PARTE DESDE LA FASE DE VAPOR, DE UN REVESTIMIENTO DEL REAGENTE QUE PUEDE CONTROLARSE DE MANERA QUE TENGA UNA ORIENTACION PREFERIDA SOBRE EL SUBSTRATO, TAMBIEN SE PRESENTA UN APARATO PARA LLEVAR A CABO EL METODO. LA FIGURA MUESTRA UN ESQUEMA DE UN APARATO CCVD EN DONDE EL SUBSTRATO PUEDE COLOCARSE DENTRO DE UNA REGION DE REDUCCION DEL SEPARADOR DE SMITHELL ENTRE LA LLAMA INTERNA (18A) Y LA LLAMA EXTERIOR (18B).
APARATO DE CVD DE PLASMA.
(16/02/2003) LA INVENCION SE REFIERE A UN APARATO DE DEPOSICION QUIMICA EN FASE DE VAPOR DE PLASMA, DESTINADO A FORMAR UNA PELICULA FINA AMORFA, UNA PELICULA FINA MICROCRISTALINA O UNA PELICULA FINA POLICRISTALINA SOBRE LA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO . DICHO APARATO COMPRENDE UN RECIPIENTE DE REACCION EN EL QUE SE DISPONE EL SUSTRATO ; MEDIOS PARA INTRODUCIR UN GAS REACTIVO EN DICHO RECIPIENTE Y PARA DESCARGAR EL GAS RESIDUAL DESDE EL RECIPIENTE DE REACCION ; UN ELECTRODO ESCALIFORME , ES DECIR UN ELECTRODO DE ANTENA ESCALIFORME O UN ELECTRODO DE ESPIRA PLANA ESCALIFORME, ALBERGADO EN EL RECIPIENTE DE REACCION PARA…
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA EL DEPOSITO ASISTIDO POR PLASMA SOBRE UN SUSTRATO DE DOS CARAS.
(01/02/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: ESSILOR INTERNATIONAL COMPAGNIE GENERALE D'OPTIQUE. Inventor/es: BOSMANS, RICHARD, CHEAIB, MEHDI.
EL PROCEDIMIENTO SEGUN LA INVENCION ES DEL TIPO SEGUN EL CUAL, PARA LA DEPOSICION DE AL MENOS UNA CAPA DELGADA SOBRE UN SUSTRATO DE DOBLE CARA (11A, 11B), SE EMPLEA UN PLASMA EN COOPERACION CON EL CUAL INTERVIENE UN FLUIDO PRECURSOR CUYOS PRODUCTOS DE REACCION CON EL PLASMA DAN LUGAR A LA DEPOSICION BUSCADA. SEGUN LA INVENCION, PARA UN TRATAMIENTO SIMULTANEO DE LAS DOS CARAS (11A, 11B) DEL SUSTRATO , SE EMPLEAN DOS PLASMAS DISTINTOS (12A, 12B), INTERVINIENDO UNO DEL LADO DE UNA DE LAS CARAS (11A, 11B) DE ESTE SUSTRATO , INTERVINIENDO EL OTRO DEL LADO DE LA OTRA CARA DE ESTAS. APLICACION, PARTICULARMENTE, EN EL TRATAMIENTO ANTIRREFLEJO DE UNA LENTILLA OFTALMICA DE MATERIAL ORGANICO.
PROCESO DE DEPOSICION ACTIVADA POR MICROONDAS CON REGULACION DE LA TEMPERATURA DEL SUSTRATO.
(16/09/2002). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., XU, XIXIANG.
LAS TEMPERATURAS DEL SUSTRATO SE MANTIENEN A MAS DE 400 (GRADOS) C DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE ALIMENTADA POR MICROONDAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO IV. EL MARGEN DE TEMPERATURAS DEL SUSTRATO PERMITE LA PREPARACION DE MATERIALES QUE TIENEN PROPIEDADES ELECTRICAS MEJORADAS.
PROCEDIMIENTO ACTIVADO POR ENERGIA DE MICROONDAS PARA LA PREPARACION DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DE ALTA CALIDAD.
(16/01/2002). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., XU, XIXIANG.
MATERIAL SEMICONDUCTOR DE ALTA CALIDAD SE DEPOSITA EN UN PROCESO DE ELECTRODEPOSICION DE DESCARGA LUMINESCENTE ENERGIZADO POR MICRONDAS, ENERGIZANDO UN GAS EN PROCESO CON ENERGIA POR MICRONDAS MEDIANTE UN GENERADOR DE MICRONDAS A UN NIVEL DE POTENCIA SUFICIENTE PARA GENERAR UN PLASMA A UN GRADO DE SATURACION DE APROXIMADAMENTE EL 100, E IMPIDIENDO EL ACCESO DE LAS ESPECIES DE ELECTRODEPOSICION A UN SUSTRATO PARA REBAJAR EL INDICE DE ELECTRODEPOSICION A UN VALOR MENOR QUE EL QUE SE CONSEGUIRIA, DE OTRA FORMA, OPERANDO A UN GRADO DE SATURACION DEL 100.
PROCEDIMIENTO DE DEPOSITO DE UN REVESTIMIENTO PROTECTOR DE GRAN DUREZA.
(01/01/2002). Solicitante/s: NEUVILLE, STEPHANE. Inventor/es: NEUVILLE, STEPHANE.
PROCEDIMIENTO DE DEPOSITO SOBRE AL MENOS UNA PIEZA DE UN REVESTIMIENTO PROTECTOR DE GRAN DUREZA. PROCEDIMIENTO CARACTERIZADO PORQUE SE AÑADE AL GAS PRECURSOR ENTRE 10 Y 70% DE NITROGENO ASOCIADO A ENTRE 10 Y 70% DE UNA MEZCLA DE HELIO Y DE ARGON O A ENTRE 10 Y 70% DE NEON CUYA FUNCION ES EXCITAR FUERTEMENTE Y DISOCIAR EL NITROGENO Y EL HIDROGENO, Y PORQUE SE ELIGE LA ENERGIA APORTADA A CADA ATOMO DEL GAS PRECURSOR DE MANERA COLOCARLA EN CONDICIONES LLAMADAS DE "LIFSCHITZ" QUE DEFINEN LA ZONA DE ENERGIA PARA LA QUE SE OBTIENE UN MAXIMO DE ESTRUCTURAS TETRAEDRICAS DE TIPO DIAMANTE EN LUGAR DE ESTRUCTURAS GRAFITICAS.
PRODUCCION DE PELICULAS DE BARRERA REVESTIDAS CON CARBONO QUE TIENEN UNA CONCENTRACION AUMENTADA DE CARBONO CON COORDINACION TETRAEDRICA.
(01/12/2001). Solicitante/s: MOBIL OIL CORPORATION. Inventor/es: WAGNER, JOHN RALPH, JR.
SE DEPOSITA CARBONO SOBRE UN SUSTRATO A TRAVES DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO MEJORADO DE PLASMA DE UN PROCESADOR QUE SE PUEDE DESCOMPONER QUE CONTIENE UN ADITIVO DE MATERIAL DE SEMILLAS. EL MATERIAL DE SEMILLA ES UN HIDROCARBURO QUE TIENE UNA ALTA CONCENTRACION DE CARBONO SP{SUP,3} COORDINADO EN FORMA DE TETRAEDRO. EL MATERIAL DE SEMILLA PROPORCIONA UNA MUESTRA PARA LA REPLICACION DE LOS ATOMOS DE CARBONO SP{SUP,3} COORDINADOS EN FORMA DE TETRAEDRO EN EL REVESTIMIENTO DE CARBONO AMORFO DEPOSITADO.
PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO DE PLASMA.
(01/09/2001). Solicitante/s: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Inventor/es: MARTIN, DAVID ALAN.
UN APARATO Y METODO PARA FACILITAR EL PROCESAMIENTO DE PLASMA Y EN PARTICULAR DEPOSICION DE VAPOR MEJORADO DE PLASMA QUIMICA, POLIMERIZACION DE PLASMA O TRATAMIENTO DE PLASMA DE MATERIALES DE BARRERA EN LA SUPERFICIE INTERIOR DE RECIPIENTES . LOS MATERIALES DE BARRERA SON UTILES PARA PROPORCIONAR UNA BARRERA EFECTIVA CONTRA PERMEABILIDAD DE GAS Y/O AGUA EN RECIPIENTES Y PARA AMPLIAR LA DURACION DE RECIPIENTES, ESPECIALMENTE DISPOSITIVOS DE PLASTICO DE RECOGIDA DE SANGRE EVACUADA.
APARATO PARA PRODUCIR UNA DESCARGA EN ARCO LINEAL, PARA UN TRATAMIENTO POR PLASMA.
(16/01/2000) SE PRESENTA UN APARATO PARA LA GENERACION DE UNA DESCARGA DE ARCO LINEAL PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA, PARTICULARMENTE PARA EL PROCESAMIENTO SUPERFICIAL DE SUBSTRATOS SOLIDOS, INSTALADO EN UN REACTOR MANTENIDO A PRESIONES DE GAS POR DEBAJO DE 5 X 10 {SUP,4} PA Y ALIMENTADO POR UN GENERADOR DE CORRIENTE ALTERNA Y/O ENERGIA PULSANTE , Y QUE INCLUYE: AL MENOS UN PAR DE UNA PRIMERA ELECTRODOS Y SEGUNDA PLACA DE ELECTRODOS COLOCADAS DE FORMA OPUESTA ENTRE SI A UNA DISTANCIA QUE EXCEDE DE 0.4 MM Y CONECTADAS AL MISMO POLO DEL GENERADOR QUE TIENE UN POLO CONTRARIO CONECTADO A UN ELECTRODO CONTRARIO , UN CAMPO MAGNETICO PRODUCIDO POR IMANES PARA EL DESARROLLO DE UNA ZONA CALIENTE LINEAL SOBRE LA PRIMERA PLACA DE ELECTRODOS Y UNA ZONA CALIENTE LINEAL…
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PCVD DE RECUBRIMIENTO DE SUBSTRATOS CURVADOS.
(01/11/1999) SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO DE PCVD PARA LA OBTENCION DE RECUBRIMIENTOS DE GROSOR UNIFORME SOBRE SUSTRATOS ABOMBADOS, POR EL CUAL LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO QUE SE VA A RECUBRIR SE COLOCA EN COMUNICACION CON LA SUPERFICIE DE PASO DE UN GAS DE UNA DUCHA DE GAS. PARA DETERMINAR LOS PARAMETROS APROPIADOS DEL PROCESO, EN UNA PRIMERA SERIE DE ENSAYOS PARA UN TIPO DE SUSTRATO A RECUBRIR, SE MANTIENE CONSTANTE EL TAMAÑO DE LAS SUPERFICIES DE PASO DE GAS Y LA MASA DE GAS PASA A TRAVES DE ESTAS SUPERFICIES, MIENTRAS QUE SE MODIFICAN GRADUALMENTE LOS INTERVALOS ENTRE CADA IMPULSO, EMPEZANDO POR UN VALOR INICIAL T{SUB,A} HASTA ALCANZAR UN VALOR OPTIMO T{SUB,EFF} Y HASTA QUE LA UNIFORMIDAD DEL GROSOR DE LAS CAPAS FORMADAS SOBRE EL SUSTRATO NO AUMENTE. OPCIONALMENTE, DURANTE UNA SEGUNDA SERIE…
PROCEDIMIENTO Y APARATO DE FORMACION DE GAS EXCITADO.
(01/07/1999). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE. Inventor/es: SINDZINGRE, THIERRY, RABIA, STEPHANE, 14 RESIDENCE DU PARC DU CHATEAU.
LA INVENCION SE REFIERE A LA UTILIZACION, PARA FORMAR UN DEPOSITO DE UNA PELICULA QUE CONTIENE SILICIO SOBRE UN SUBSTRATO METALICO , DE AL MENOS UN APARATO DE FORMACION DE ESPECIES GASEOSAS EXCITADAS O INESTABLES, EN EL QUE SE TRANSFORMA UNA MEZCLA GASEOSA INICIAL , SIENDO EL APARATO EL ASIENTO DE UNA DESCARGA ELECTRICA CREADA ENTRE UN PRIMER ELECTRODO Y UN SEGUNDO ELECTRODO , QUE SE EXTIENDEN SEGUN UNA DIRECCION PRINCIPAL ALARGADA, ATRAVESANDO LA MEZCLA GASEOSA INICIAL LA DESCARGA TRANSVERSALMENTE A LOS ELECTRODOS Y A ESTA DIRECCION PRINCIPAL, LA MEZCLA GASEOSA PRIMARIA OBTENIDA A LA SALIDA DE GASES DE DICHO APARATO, QUE COMPRENDE ESPECIES GASEOSAS EXCITADAS O INESTABLES Y QUE ESTA SUSTANCIALMENTE DESPROVISTO DE ESPECIES ELECTRICAMENTE CARGADAS, FORMANDO CON UNA MEZCLA GASEOSA ADYACENTE QUE COMPRENDE AL MENOS UN PRECURSOR GASEOSO DE SILICIO Y QUE NO HA TRANSITADO POR DICHO APARATO, LA ATMOSFERA GASEOSA DE TRATAMIENTO QUE SE PONE EN CONTACTO CON EL SUBSTRATO PARA REALIZAR EL DEPOSITO.
PROCEDIMIENTO Y APARATO DE FORMACION DE UN GAS EXCITADO.
(01/07/1999) LA INVENCION SE REFIERE A LA UTILIZACION, PARA FORMAR UN DEPOSITO DE UNA PELICULA QUE CONTIENE SILICIO SOBRE UN SUBSTRATO NO METALICO , DE AL MENOS UN APARATO CORRIENTE ABAJO DE FORMACION DE ESPECIES GASEOSAS EXCITADAS O INESTABLES, EN EL QUE SE TRANSFORMA UNA MEZCLA GASEOSA INICIAL DE TRATAMIENTO , SIENDO EL APARATO EL ASIENTO DE UNA DESCARGA ELECTRICA CREADA ENTRE UN PRIMER ELECTRODO Y UN SEGUNDO ELECTRODO , QUE SE EXTIENDEN SEGUN UNA DIRECCION PRINCIPAL ALARGADA, ATRAVESANDO LA MEZCLA GASEOSA INICIAL DE TRATAMIENTO LA DESCARGA TRANSVERSALMENTE A LOS ELECTRODOS Y A ESTA DIRECCION PRINCIPAL, LA MEZCLA GASEOSA PRIMARIA DE TRATAMIENTO…
PROCESO Y APARATO PARA FORMAR UNA CAPA DEPOSITADA PARA UN MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ , EL MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ PRODUCIDO POR EL PROCESO, APARATO DE CONFORMADO DE LA PELICULA DEPOSITADA, Y METODO PARA LIMPIAR EL APARATO DE CONFORMADO DE LA PELICULA DEPOSITADA.
(01/03/1999). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OKAMURA, RYUJI, AKIYAMA, KAZUYOSHI, MURAYAMA, HITOSHI, HITSUISHI, KOJI, KOJIMA, SATOSHI, OHTOSHI, HIROKAZU, YAMAMURA, MASAAKI.
SE DESCRIBE UN PROCESO PARA PRODUCIR UN MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ QUE COMPRENDE UN SUSTRATO Y UNA CAPA RECEPTORA DE LUZ NO-MONOCRISTALINA SOBRE EL SUSTRATO; QUE COMPRENDE FORMAR AL MENOS UNA PARTE DE LA CAPA POR DESCOMPOSICION DE UN GAS DE MATERIAL INICIADOR QUE SE INTRODUCE EN UNA CAMARA DE REACCION POR MEDIO DE UNA ONDA ELECTROMAGNETICA CON UNA FRECUENCIA DE 20 A 450 MHZ.
REACTOR PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA.
(01/03/1999). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: COLLINS, KENNETH S., RODERICK, CRAIG A., YANG, CHAN-LON, WANG, DAVID N.K., MAYDAN, DAN.
SE DESCRIBE UN REACTOR PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA QUE INCORPORA UNA ESTRUCTURA INTEGRADA DE LINEA DE TRANSMISION COAXIAL QUE EFECTUA UN ACOPLAMIENTO DE LINEA DE TRANSMISION MUY CORTO Y CON POCA PERDIDA DE UNA ENERGIA ELECTRICA DE CA A LA CAMARA DE PLASMA Y ASI PERMITE EL USO EFECTIVO DE FRECUENCIAS VHF/UHF PARA GENERAR UN PLASMA. EL USO DE FRECUENCIAS DE VHF/UHF DENTRO DEL MARGEN DE 50 Y 800 MEGAHERZIOS PROPORCIONA INDICES DE PROCESAMIENTO COMERCIALMENTE VIABLES (CORROSION Y DEPOSICION SEPARADA O SIMULTANEA) Y UNA REDUCCION SUSTANCIAL EN VOLTAJES DE VAINA COMPARADO CON LAS FRECUENCIAS CONVENCIONALES COMO 13.56 MHZ. COMO RESULTADO, LA PROBABILIDAD DE DAÑAR LOS DISPOSITIVOS DE TAMAÑO PEQUEÑO SENSIBLES A LA ELECTRICIDAD QUEDA REDUCIDA.
PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UNA CAPA DE GRADIENTE.
(16/03/1998). Solicitante/s: SCHOTT GLAS CARL-ZEISS-STIFTUNG TRADING AS SCHOTT GLAS. Inventor/es: OTTO, JURGEN, SEGNER, JOHANNES, DR., PAQUET, VOLKER.
LA INVENCION DE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PLASMA CVD PARA ELABORACION DE CAPA DE GRADIENTE, DONDE EL GRADIENTE DE CAPA SE GENERA EN UNA DIRECCION DE CRECIMIENTO DE CAPA MEDIANTE MODIFICACION DE AL MENOS UN PARAMETRO DE POTENCIA DE PLACA DURANTE EL PROCESO DE RECUBRIMIENTO. DE ACUERDO CON LA INVENCION SE GENERAN CAPAS DE GRADIENTES DELGADAS CON ALTA DISOLUCION LOCALIZADA, QUE SE GUIAN DE MANERA PULSADA EN LA POTENCIA DE PLASMA Y EL GRADIENTE DE CAPA SE AJUSTA MEDIANTE MODIFICACION DE LOS PARAMETROS DE POTENCIA DE PLASMA SEGUN LA ALTURA DE IMPULSO, DURACION DE IMPULSO Y/O PAUSA DE IMPULSO.
