CIP-2021 : C23C 16/50 : por medio de descargas eléctricas.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/50 · · por medio de descargas eléctricas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
TECNOLOGIA DE PLASMA DE BAJA TEMPERATURA PARA PROTECCION DE ACERO CONTRA LA CORROSION.
(01/12/1997). Solicitante/s: E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Inventor/es: YANG, DUCK, JOO, YASUDA, HIROTSUGU.
ESTA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO DE PLASMA PARA LA PROTECCION MEJORADA CONTRA LA CORROSION DE UNA SUPERFICIE DE ACERO CONVERTIDA EN UN CATODO , UTILIZANDO POTENCIA DE CA , EN UNA CAMARA AL VACIO QUE CONTIENE ANODOS DE MAGNETRON PARA UNA ACTIVACION MAGNETICA. EL GAS DE PLASMA SE ALIMENTA A TRAVES DE UNA TUBERIA PARA LA DEPOSICION DE UN REVESTIMIENTO UNIFORME, DE PELICULA SIN POROS, ORGANICO DENSO.
APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO CON PLASMA EN EL CUAL SE INDUCE UN CAMPO ELECTRICO UNIFORME A TRAVES DE UNA VENTANA DIELECTRICA.
(16/10/1997) UN APARATO PARA GRABAR CON PLASMA O PARA UNA DEPOSICION DE PLASMA QUE INCLUYE UN RECEPTACULO QUE TIENE UNA CAMARA EN LA QUE SE PUEDE TRATAR UNA PLAQUITA (W) CON PLASMA. EL RECEPTACULO INCLUYE AL MENOS UN ORIFICIO DE ENTRADA CONECTADO AL INTERIOR DE LA CAMARA A TRAVES DEL CUAL SE PUEDE SUMINISTRAR EL GAS DE PROCESO A LA CAMARA. HAY UNA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA DISPUESTA PARA HACER PASAR UNA ENERGIA RADIOELECTRICA A LA CAMARA Y PARA INDUCIR EL PLASMA QUE SE ENCUENTRA EN EL INTERIOR DE LA CAMARA A BASE DE ACTIVAR, CON UN CAMPO ELECTRICO INDUCIDO POR LA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA, EL GAS DE PROCESO SUMINISTRADO A LA CAMARA A TRAVES DEL ORIFICIO DE ENTRADA. HAY UNA VENTANA DIELECTRICA EN DONDE UNA SUPERFICIE INTERIOR DE LA…
PROCEDIMIENTO DE REVESTIMIENTO DE UN SUSTRATO DE ACERO UTILIZANDO TECNOLOGIA DE PLASMA A BAJA TEMPERATURA Y UNA IMPRIMACION.
(01/05/1997). Solicitante/s: E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY (A DELAWARE CORPORATION). Inventor/es: ANTONELLI, JOSEPH ALBERT, YANG, DUCK, JOO, YASUDA, HIROTSUGU, LIN, TYAU-JEEN.
ESTA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO DE PLASMA PARA LA PROTECCION CONTRA CORROSION MEJORADA DEL ACERO. EL PROCESO INCLUYE EL PRETRATAMIENTO DE UN CATODO DE SUPERFICIE DE ACERO EN UNA CAMARA AL VACIO QUE CONTIENE ANODOS DE MAGNETRON . EL GAS DE PLASMA SE ALIMENTA A TRAVES DE UNA TUBERIA , TANTO PARA EL PRETRATAMIENTO DEL CATODO DE SUPERFICIE DE ACERO COMO PARA LA DEPOSICION DE UNA PELICULA DELGADA DE ORGANOSILANO, SOBRE LA QUE SE APLICA UN REACTIVO DE REVESTIMIENTO DE IMPRIMACION CON ORGANOSILANO.
BARRAS DE PLASMA INTERFACIALES PARA APARATO DE DEPOSICION FOTOVOLTAICO.
(01/02/1997) EN UN APARATO CONTINUO PARA LA DEPOSICION POR DESCARGAS LUMINISCENTES DE PILAS SOLARES DE UNA ALEACION DE SILICIO AMORFO CON UNA CONFIGURACION TIPO P-I-N EN UNA PLURALIDAD DE CAMARAS DE DEPOSICION DEDICADAS, INTERCONECTADAS , UNA BARRA DE PLASMA (80A-D) COLOCADA DE MANERA OPERATIVA ENTRE AL MENOS LAS REGIONES DE PLASMA EN QUE SE DEPOSITAN LOS PARES DE CAPAS DEL MATERIAL DE ALEACION DE SILICIO AMORFO QUE DEFINEN LA UNION ENTRE SEMICONDUCTORES PRINCIPAL DE LA PILA SOLAR. LA BARRA DE PLASMA (80A-D) SE ENCUENTRA ADAPTADA PARA INICIAR UN PLASMA PARA ASI PREVENIR QUE LOS CONTAMINANTES QUIMICAMENTE ABSORBIDOS AFECTEN DE MANERA PERJUDICIAL A LA SUPERFICIE…
PROCESO PARA EL RECUBRIMIENTO O TRATAMIENTO SUPERFICIAL DE PARTICULAS DE MATERIAL SOLIDO POR MEDIO DE UN LECHO FLUIDIZADO DE PLASMA.
(01/02/1997). Solicitante/s: BASF AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: HARTH, KLAUS, HIBST, HARTMUT, MATTMANN, WOLFGANG, DR.
RECUBRIMIENTO DE PARTICULAS DE MATERIAL SOLIDO EN UN LECHO FLUIDIZADO POR MEDIO DE APLICACION DE UN AGENTE DE RECUBRIMIENTO EN FORMA GASEOSA A PARTIR DE UN PLASMA, DONDE EL PLASMA SE GENERA FUERA DEL LECHO FLUIDIZADO EN UNA PRESION DESDE 0,01 HASTA 500 MBAR Y EL GAS ACTIVO DE PLASMA SE INDUCE EN EL LECHO FLUIDIZADO, QUE SE OPERA CON UNA PRESION DESDE 0,1 HASTA 500 MBAR, DONDE A, EL PLASMA SE GENERA A PARTIR DE LA CANTIDAD COMPLETA DEL MEDIO DE RECUBRIMIENTO GASEOSO Y EVENTUALMENTE A PARTIR DE UN OTRO GAS O B. EL PLASMA SE GENERA A PARTIR DE UNA CANTIDAD PARCIAL DEL MEDIO DE RECUBRIMIENTO GASEOSO Y EVENTUALMENTE A PARTIR DE UN OTRO GAS Y SE INTRODUCE LA CANTIDAD RESTANTE DE FORMA INMEDIATA EN EL LECHO FLUIDIZADO O C. EL PLASMA SE GENERA A PARTIR DE UN OTRO GAS Y LA CANTIDAD COMPLETA DEL MEDIO DE RECUBRIMIENTO GASEOSO SE INTRODUCE DE FORMA INMEDIATA EN EL LECHO FLUIDIZADO.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FABRICACION DE CAPAS SOBRE SUPERFICIES DE MATERIALES.
(16/10/1996). Solicitante/s: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: JUNG, MICHAEL, GEISLER, MICHAEL, KOTTER-FAULHABER, RUDOLF, WUERZ, SUSANNE.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO Y A UN DISPOSITIVO PARA LA FABRICACION DE CAPAS SOBRE LAS SUPERFICIES DE MATERIALES, EN PARTICULAR DE PIEZAS FORMADAS DE MATERIAL SINTETICO, CON UNA CAPA DE METAL Y OTRA CAPA MAS COMO MINIMO QUE CONTENGA C Y/O O, Y/O SI, EN UNA CAMARA DE VACIO QUE SE ACCIONE COMO UNA INSTALACION CONTINUA O COMO UNA INSTALACION BATCH , SEGUN EL PROCEDIMIENTO DE RECUBRIMIENTO CON CAPAS-PCVD. SOBRE LA SUPERFICIE DE SUBSTRATO SE APLICA, CON ESTE PROCEDIMIENTO, PRIMERO UNA CAPA PREVIA, ES DECIR, UNA CAPA INTERMEDIA , DESPUES LA CAPA DE METAL , Y A CONTINUACION UNA CAPA PROTECTORA BAJO PLASMA AL COMPRIMIR POR DEBAJO DE 5 X 10 ELEVADO -2 MBAR. CON ESTE RECUBRIMIENTO A CAPAS CON TECNICA DE PROCESO EN VACIO, POR EJEMPLO EN SOPORTES DE DATOS ELECTROTECNICOS O EN ESPEJOS DE CARA DELANTERA DE ALUMINIO, SE OBTIENE UNA SUPERFICIE IMPECALBE RESISTENTE AL LAVADO Y AL FREGADO.
TUBO PARA LA RECOGIDA DE SANGRE.
(01/07/1996). Solicitante/s: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Inventor/es: WILLIAMS, JOEL L.
LA INVENCION INCLUYE UN ENVASE DE PLASTICO EN EL QUE SE HA DEPOSITADO UNA PELICULA BASADA EN OXIDO DE SILICIO Y UN METODO PARA DEPOSITAR UNA PELICULA BASADA EN OXIDO DE SILICIO COMO BARRERA. LA PELICULA ES UTIL PARA SUMINISTRAR UNA BARRERA EFECTIVA PARA LA PERMEABILIDAD DEL GAS EN LOS ENVASES Y PARA EXTENDER LA VIDA MEDIA DE LOS ENVASES, ESPECIALMENTE DISPOSITIVOS DE RECOLECCION DE SANGRE VACIOS HECHOS DE PLASTICO.
PROCEDIMIENTO DE AUTOLIMPIEZA DE CAMARA DE REACTOR.
(16/03/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: LAW, KAM SHING, LEUNG, CISSY, TANG, CHING CHEONG, COLLINS, KENNETH STUART, CHANG, MEI, WONG, JERRY YUEN KUI, WANG, DAVID NIN-KOU.
EL INVENTO SE REFIERE A UN PROCESO PARA LIMPIAR UNA CAMARA DE REACTOR TANTO JUNTO A LOS ELECTRODOS DE RADIOFRECUENCIA COMO A TRAVES DE LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA HASTA, E INCLUYENDO, COMPONENTES COMO LA VALVULA DE ESTRANGULACION. PREFERENTEMENTE, SE EMPLEA UNA SECUENCIA DE ATAQUE QUIMICO DE DOS FASES, LA PRIMERA DE LAS CUALES UTILIZA UNA PRESION RELATIVAMENTE ALTA Y GAS DE FLUOROCARBONO PARA LIMPIAR LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA. LAS FASES LOCAL Y EXTENDIDA DE ATAQUE PUEDEN EMPLEARSE TANTO SEPARADA COMO CONJUNTAMENTE.
PROCESO PARA LA FABRICACION DE UNA GUIA DE ONDAS DE CAPA DELGADA OPTICA A PARTIR DE TIO2.
(16/11/1995). Solicitante/s: SCHOTT GLASWERKE CARL-ZEISS-STIFTUNG. Inventor/es: OTTO, JURGEN, HEMING, MARTIN, DR., PAQUET, VOLKER, HOCHHAUS, ROLAND.
SE DESCRIBE UN PROCESO PARA LA FABRICACION DE UNA GUIA DE ONDAS DE CAPA DELGADA OPTICA A PARTIR DE TIO2 CON UNA AMORTIGUACION MENOR DE 5 DB SOBRE UN SUBSTRATO ANORGANICO PLANO, EN DONDE LA GUIA DE ONDAS DE CAPA DELGADA SE GENERA POR MEDIO DE UN PROCESO MICROONDAS - PLASMA - CVD (PCVD).
DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO DE SUBSTRATOS EN UN PLASMA APOYADO POR GAS, GENERADO POR MEDIO DE MICROONDAS.
(01/11/1995). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: SCHNEIDER, GUENTER, BENZ, GERHARD.
SE PROPONE UN DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO DE SUBSTRATOS, ESPECIALMENTE PARA APLICAR UNA CAPA DE PROTECCION SOBRE LA SUPERFICIE DE REFLECTORES OPTICOS EN UN PLASMA A BASE DE GAS, GENERADO POR MICROONDAS, CON UN RECIPIENTE DE VACIO QUE PRESENTA UNA ENTRADA DE GAS , CONFIGURADO PREFERENTE EN FORMA DE TAMBOR, PARA EL ALOJAMIENTO DE LOS SUBSTRATOS A TRATAR , EL CUAL UNA VENTANA DE PASO CERRADA POR UN CRISTAL DE CUARZO O SIMILAR PARA LA ENERGIA DE MICROONDAS GENERADA POR UN GENERADOR DISPUESTO FUERA DEL RECIPIENTE . LA ENERGIA DE MICROONDAS SE ALIMENTA AL INTERIOR DEL RECIPIENTE A TRAVES DE UNA ANTENA DE MICROONDAS QUE SE CONECTA A LA VENTANA.
PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITO DE CAPAS DELGADAS.
(16/06/1995). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN VITRAGE INTERNATIONAL. Inventor/es: BALIAN, PIERRE, ROUSSEAU, JEAN-PAUL.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR CAPAS DELGADAS POR PLASMA CVD. SE CARACTERIZA POR UTILIZAR COMO ELECTRODO PARA CREAR LA DESCARGA, EL SUBSTRATO MISMO QUE PREVIAMENTE SE HA HECHO CONDUCTOR POR EL DEPOSITO DE CAPAS CONDUCTORAS , LA TECNICA ES APLICABLE EN ESPECIAL AL DEPOSITO DE CAPAS ORGANO-SILICICAS SOBRE PLCAS DE VIDRIO DE GRANDES DIMENSIONES.
PROCEDIMIENTO PARA RECUBRIR UN CUERPO DE BASE METALICO CON UN MATERIAL DE REVESTIMIENTO NO CONDUCTOR.
(16/05/1995). Solicitante/s: WIDIA GMBH. Inventor/es: VAN DEN BERG, HENDRIKUS, KONIG, UDO, REITER, NORBERT, TABERSKY, RALF.
UN CUERPO METALICO BASICO ESTA REVESTIDO CON UN MATERIAL NO CONDUCTOR, TAL COMO AL O, POR PLASMA ACTIVADO CVD EN EL QUE SE APLICA UNA TENSION DE CORRIENTE CONTINUA IMPULSADA AL CUERPO BASICO QUE FUNCIONA COMO CATODO.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO REACTIVO DEL MATERIAL CON APOYO DE UN PROCESO DE DESCARGA POR ARCO VOLTAICO DE CORRIENTE CONTINUA.
(16/03/1995) LA INVENCION TRATA DE UN PROCEDIMIENTO QUE SE UTILIZA PARA EL TRATAMIENTO REACTIVO DE SUPERFICIES DE UNAS PIEZAS HERRAMIENTAS Y CONSISTE EN: APLICAR UN GAS EN UN RECIPIENTE; PRODUCIR EN EL RECIPIENTE UNA DESCARGA DE CORRIENTE CONTINUA POR ARCO VOLTAICO Y; MANTENER LA DESCARGA MEDIANTE UN ACOPLAMIENTO DE UNA CORRIENTE DE PARTICULAS CARGADAS, Y SE CARACTERIZA PORQUE: PARA EVITAR EL PROBLEMA DE LA DISTRIBUCION NO HOMOGENEA DEL PLASMA ORIGINADO EN EL ARCO VOLTAICO DE CORRIENTE CONTINUA POR EL ESPACIO INTERIOR, Y PARA AMPLIAR LA ZONA QUE CONTIENE AL PLASMA NECESARIO PARA EL TRATAMIENTO SUPERFICIAL, LA DISTRIBUCION ACTIVA DEL PLASMA DE TRATAMIENTO POR EL RECIPIENTE, SE AFIANZA A LO LARGO DE UNA SUPERFICIE PRECALCULADA, Y A TRAVES DE UNA DETERMINADA DISTRIBUCION SUPERFICIAL DE ADMISION DE GAS Y A TRAVES…
PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UNA CAPA DE DIAMANTE E INSTALACION.
(16/03/1995). Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: BERGMANN, ERICH, DR., KARNER, JOHANN, DR., DAXINGER, HELMUT.
LA INVENCION TRATA DE UN PROCEDIMIENTO PARA SEPARAR UNA CAPA DE DIAMANTE DE UNA PIEZA DE TRABAJO COMO UNA MATRIZ DE EMBUTICION O UN TROQUEL DE HERRAMIENTA, Y DESCRIBE UNA INSTALACION PARA LA REALIZACION DEL PROCEDIMIENTO, Y SE CARACTERIZA PORQUE SE EMPLEA UN PROCEDIMIENTO DE RECUBRIMIENTO REACTIVO DE APOYO DE PLASMA. LA PRODUCCION DE PLASMA SE EFECTUA MEDIANTE DESCARGA POR ARCO VOLTAICO DE TENSION CONTINUA; SE APLICA UNA CORRIENTE DE PARTICULAS CARGADAS EN LA EXTENSION DE DESCARGA, Y LA PIEZA DE TRABAJO A RECUBRIR SE DISPONE EN UNA EXTENSION DE DESCARGA. A CONSECUENCIA DE LA CONFIGURACION DEL DISPOSITIVO, SE EMPLEA UNA EXTENSION DE DESCARGA CON LONGITUD VARIABLE, SE RECUBREN GRANDES ZONAS SUPERFICIALES EN UNA ZONA DE GRAN HOMOGENEIDAD Y HERMETICIDAD DE PLASMA. EL PROCEDIMIENTO CONFORME A LA INVENCION SE REALIZA CON PEQUEÑOS COSTOS Y DE FORMA SEGURA Y DA LUGAR A RECUBRIMIENTOS DE GRAN SUPERFICIE.
COMPOSICION Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.
(16/03/1995). Solicitante/s: LUX, BENNO, PROF.DR. Inventor/es: MATTHEWS, BRIAN L.
SE DESCRIBE UN COMPOOND A BASE DE PARTICULAS EN POLVO CONSISTENTE EN UN NUCLEO Y UNA ENVUELTA QUE ES DIFERENTE A LA MATERIA DEL NUCLEO Y ESTA FORMADA POR MATERIA SUPERDURA. EL PROCEDIMIENTO CONSISTE EN FORMAR LA MATERIA SUPERDURA EN UNA FASE GASEOSA A BAJA PRESION Y A UNA TEMPERATURA POR DEBAJO DE LOS 1200 C.
CAMPO MAGNETICO MEJORADO CON UN REACTOR DE PLASMA.
(01/11/1994) SE DESCRIBE UN REACTOR DE GRABACION POR PLASMA DE UNA SOLA OBLEA CON CAMPO MAGNETICO AUMENTADO. LAS PRESTACIONES DEL REACTOR INCLUYEN UN CAMPO MAGNETICO CONTROLADO ELECTRICAMENTE DEL TIPO PASO A PASO PARA PROPORCIONAR UNA VELOCIDAD UNIFORME DE GRABACION EN ALTAS PRESIONES. LAS SUPERFICIES CUYA TEMPERATURA ESTA CONTROLADA INCLUYE SUPERFICIES DE ANODO CALENTADAS (PAREDES Y GASES) Y UNA OBLEA ENFRIADA QUE SOPORTA EL CATODO/PEDESTAL ; Y UNA MECANISMO DE INTERCAMBIO DE OBLEAS UNICO QUE CONSTA DE PASADORES PARA SUSTENTACION DE LA MISMAS QUE ATRAVIESAS EL PEDESTAL Y UN ANILLO DE APRIETE DE LA OBLEAS . LOS PASADORES DE SUSTENTACION Y EL ANILLO DE APRIETE SE MUEVEN VERTICALMENTE POR UN MECANISMO DE UN EJE PARA ACEPTAR LA OBLEA A PARTIR DE UNA LAMINA EXTERNA COOPERANTE , UNA FIJACION AL PEDESTAL Y…
REACTOR TERMICO CVD/PECVD Y SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE OXIDOS DE SILICIO Y PROCEDIMIENTO MULTIETAPA DE PLANARIZACION IN-SITU.
(01/05/1994) SE PRESENTA UN REACTOR DE PROCESO SEMICONDUCTOR, DE PASTILLA SIMPLE, DE ALTO RENDIMIENTO, Y ELEVADA PRESION EL CUAL ES CAPAZ DE CVD TERMICO, CVD AUMENTADO POR PLASMA, RETROGRABADO ASISTIDO POR PLASMA, AUTOLIMPIEZA POR PLASMA, Y MODIFICACION TOPOGRAFICA DE DEPOSICION MEDIANTE DESINTEGRACION, SEA SEPARADAMENTE O COMO PARTE DE UN PROCESO DE MULTIPLES ETAPAS IN-SITU. EL REACTOR INCLUYE DISPOSITIVOS DE COOPERACION DE SUSCEPTORES ENTRELAZADOS Y DEDOS DE PATILLAS QUE EXTRAEN COLECTIVAMENTE LA PASTILLA DESDE UNA PALETA DE TRANSFERENCIA ROBOT Y COLOCAN LA PASTILLA CON UNA SEPARACION PARALELA Y CERCANA, CONTROLADA Y VARIABLE ENTRE LA PASTILLA Y EL COLECTOR DE ENTRADA DE GAS A LA CAMARA VOLVIENDOLA DESPUES LA PASTILLA A LA PALETA. UN DISPOSITIVO DE ALIMENTACION COMBINADO RF/GAS PROTEGE CONTRA EL PROCESO DE PERDIDAS…
RECUBRIMIENTO PVD. PROCEDIMIENTO PARA SU APLICACION.
(16/01/1994). Solicitante/s: LEYENDECKER, TONI, DR.-ING. Inventor/es: ESSER, STEFAN, LEYENDECKER, TONI, DR. ING., LEMMER, OLIVER.
EL INVENTO SE REFIERE A UN RECUBRIMIENTO PVBD O RECUBRIMIENTO -CVD-PLASMA ASI COMO UN PROCEDIMIENTO EN SU APLICACION EN UNA HERRAMIENTA. EN UN SISTEMA DE SUSTANCIAS ENDURECEDORAS CON DOS COMPONENTES METALICOS SE ORIGINA EN LA ZONA DE LOS CANTOS DE LAS HERRAMIENTAS UNA DIFERENCIA DE HOMOGENEIDAD DE LA COMPOSICION PARA MEJORAR LA ADHERENCIA QUE REPERCUTE VENTAJOSAMENTE SOBRE EL TIEMPO DE PARADA DE UNA HERRAMIENTA, AUNQUE NO SE PRESENTE LA COMPOSICION IDEAL EN LA ZONA DEL CANTO.
UTIL DE CORTE Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
(01/01/1994). Solicitante/s: KRUPP WIDIA GMBH. Inventor/es: KONIG, UDO.
PARA AUMENTAR LA RESISTENCIA AL IMPACTO Y A LA FRACTURA DE LOS ENCASTRES CORTANTES DEL METODO ANTERIOR SE PROPONE QUE SUS SUPERFICIES DE CORTE, EN PARTICULAR LAS SUPERFICIES PRINCIPALES, QUE ESTAN SUJETAS AL MAYOR TENSOR Y A TENSIONES DE COMPRESION DURANTE EL CORTE NO DEBERIAN ESTAR REVESTIDOS. EL REVESTIMIENTO SE APLICA SOLO EN LA REGION DEL CORTE CORTANTE EFECTIVO, PREFERENTEMENTE POR PLASMA CVD.
PROCESO Y DISPOSITIVO PARA OBTENCION DE CAPAS SEMICONDUCTORAS DE ALEACIONES AMORFAS DE SILICIO Y GERMANIO POR TECNICA DE DESCARGA DE EFLUVIOS, ESPECIALMENTE PARA CELULAS SOLARES.
(01/11/1993). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: KAUSCHE, HELMOLD, DIPL.-PHYS., PLATTNER, ROLF, DR.
LA SEPARACION A PARTIR DE LA FASE GASEOSA EN LA QUE SE EXCITA EL COMPUESTO CON EL MATERIAL A SEPARAR COMO GAS DE PROCESO EN UN REACTOR ENTRE ELECTRODOS EN UN PLASMA DE DESCARGA DE GAS Y SE APLICAN COMO CAPAS SOLIDAS SOBRE LOS ELECTRODOS O SOBRE LOS SUSTRATOS SITUADOS ALLI , TIENE LUGAR DE FORMA QUE EL GAS DE PROCESO SE EXCITA POR EXCITACION INDUCTIVA DE ALTA FRECUENCIA CON UN CAMPO MAGNETICO DEBIL CONSTANTE SUPERPUESTO , DE FORMA QUE SURJA UNA RESONANCIA DE ONDA ELECTRON-CICLOTRON Y SE IONIZE ALTAMENTE EL GAS DE PROCESO. SE OBTIENEN EN ESPECIAL CAPAS AMORFAS DE SILICIO-GERMANIO CON HIDROGENO Y/O FLUOR, CARACTERIZADAS POR UN REDUCIDO GROSOR DE ESTADO Y RESULTAN ESPECIALMENTE ADECUADAS PARA CELULAS SOLARES TANDEM DE CAPAS FINAS.
VAPORIZADOR DE FLUJO CONTROLADO.
(01/07/1993). Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Inventor/es: FELTS, JOHN T., HOFFMAN, ROBERT R., HOFMAN, JAMES J.
UN APARATO DE VAPORIZACION PORPORCIONA FLUJO DE VAPOR CONTROLADO CON PRECISION, PRACTICAMENTE CONTINUO, PARA USOS TALES COMO DEPOSICION DE VAPOR MEJORADA POR PLASMA. EL APARATO DE VAPORIZACION COMPRENDE UN PASADIZO A LO LARGO DEL CUAL HAY UN MEDIO DE BOMBEO , MEDIO DE VAPORIZACION Y MEDIO DE FLUJO , TODOS EN COMUNICACION FLUIDA CON EL PASADIZO. EL MEDIO DE VAPORIZACION VAPORIZA EL LIQUIDO BOMBEADO DEL MEDIO DE BOMBEO Y INCLUYE UNA CAPA SUMIDERO DE CALOR , UNA CAPA CALIENTE , Y UNA PARTE (212A) DEL PASADIZO CONECTADA ENTRE ELLAS. EL APARATO DE VAPORIZACION PUEDE SOSTENER UN TEMPANO DE VAPOR DE ORGANOSILICIO A UNA VELOCIDAD DE FLUJO DE 1-100 SCCM APROXIMADAMENTE DURANTE TANTO TIEMPO COMO SE DESEE.
METODO PARA TRATAMIENTO DE SUPERFICIES DE SUBSTRATOS, CON AYUDA DE UN PLASMA Y UN REACTOR PARA LLEVAR A CABO EL METODO.
(16/05/1993). Solicitante/s: TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN. Inventor/es: SCHRAM, DANIEL CORNELIS, KROESEN, GERARDUS MARIA WILHELMUS.
UN METODO PARA TRATAR SUPERFICIES DE SUBSTRATOS (POR EJEMPLO GRABADO Y DEPOSICION), UTILIZANDO UN PLASMA. EN LA PRACTICA EL PLASMA FLUYE DE SU FUENTE A UNA CAMARA DE TRATAMIENTO. LA FUENTE DE PLASMA SE FLUYE PRIMERO CON UN GAS FLUYENTE, Y CUANDO ESTE HA ALCANZADO LOS CATODOS SE ALIMENTA EL GAS REACTIVO AL GENERADOR DE PLASMA. TAMBIEN SE DESCRIBE EL REACTOR UTILIZADO EN ESTE PROCEDIMIENTO.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA FORMACION DE UNA CAPA MEDIANTE PROCESO PLASMAQUIMICO.
(01/12/1992). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: SCHUM, BERTHOLD, VON CAMPE, HILMAR, DR., WORNER, JORG, DR., LIEDTKE, DIETMAR.
SE PROPONE UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA FORMACION DE UNA CAPA DE UNA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO MEDIANTE PROCESO PLASMAQUIMICO. CON ELLO SE DIRIGE LA SUPERFICIE PARALELAMENTE AL CAMPO ELECTRICO QUE SE NECESITA PARA EL PROCESO PLASMAQUIMICO. ADEMAS EL GAS NECESARIO CORRE INMEDIATAMENTE SOBRE LA SUPERFICIE.
PROCEDIMIENTO PARA LA DEPOSICION VIA PLASMA DE ESTRATOS MULTIPLES DE MATERIAL AMORFO DE COMPOSICION VARIABLE.
(16/05/1991). Solicitante/s: ENIRICERCHE S.P.A. AGIP S.P.A.. Inventor/es: DELLA SALA, DARIO, OSTRIFASTE, CIRO.
SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE ESTRUCTURAS DE MATERIALES AMORFOS CONSTITUIDAS POR VARIOS ESTRATOS DELGADOS DE DIVERSA COMPOSICION, CONSISTENTES EN UNA DESCARGA POR DESLUMBRAMIENTO EN UN UNICO REACTOR CONTENIENDO UNA MEZCLA GASEOSA Y SIN VARIAS, DURANTE LA DEPOSICION, LA MEZCLA DE LOS GASES REACTIVOS. UNICAMENTE ES VARIADA, DE FORMA CONTROLADA, LA TENSION EN LOS ELECTRODOS DEL REACTOR. LOS MULTIESTRATOS ASI OBTENIDOS ENCUENTRAN APLICACION EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y EN LA ELECTRONICA.
PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UN APARATO ADAPTADO PARA DEPOSITAR UN MATERIAL SEMICONDUCTOR EN UN SUBSTRATO.
(01/08/1987). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
APARATO PARA DEPOSITAR MATERIAL SEMICONDUCTOR SOBRE UN SUSTRATO AVANZANDO CONTINUAMENTE. POR UN TUBO CON ORIFICIOS (36A) SE ALIMENTA UNA MEZCLA GASEOSA, PREFERENTEMENTE SILANO E HIDROGENO, A UNA CAMARA , LIMITADA POR UN CATODO SUPERIORMENTE Y UNA PLACA INFERIORMENTE, ENTRE LAS CUALES SE ESTABLECE UN PLASMA DE DESCARGA LUMINISCENTE CUANDO SE ENERGIZA LA PLACA A UN VOLTAJE SUFICIENTE. LA ENVOLTURA SE ENCUENTRA CONECTADA A TIERRA. EN OTRA VARIANTE SE DISPONE UN PRECATODO ENERGIZADO POR MICROONDAS.
PROCEDIMIENTO PARA REVESTIR SUSTRATOS EN UNA CAMARA DE VACIO.
(16/07/1987). Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT.
PROCEIDMIENTO PARA REVESTIR SUSTRATOS DE UNA CAMARA DE VACIO. COMPRENDE: PRODUCIR MEDIANTE UNA DESCARGA DE ARCO ELECTRICO A BAJO VOLTAJE DE AL MENOS 30 A Y CON TENSIONES DEL ARCO DE A LO SUMO 150 V, LA ACTIVACION E IONIZACION DE LOS REACTIVOS; ACELERAR HACIA LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO LOS IONES GENERADOS POR MEDIO DE UN CAMPO ELECTRICO; EFECTUAR LA CARGA DE ARCO ELECTRICO A BAJO VOLTAJE POR MEDIO DE UN CATODO INCANDESCENTE; Y A LA PRESION DE GAS EN LA ZONA DE REACCION ES INFERIOR A 1 PASCAL.
UN PROCEDIMIENTO DE DEPOSITAR UNA PELICULA DE ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA SOBRE UN SUSTRATO.
(01/12/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
PROCEDIMIENTO DE DEPOSITAR UNA PELICULA DE ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA SOBRE UN SUSTRATO. CONSISTE EN ACOPLAR UNA ENERGIA DE MICROONDAS DENTRO DE UN RECIPIENTE DE REACCION MATERIALMENTE ENCERRADO, QUE CONTIENE UN SUSTRATO, Y EN INTRODUCIR EN EL RECIPIENTE UN GAS DE REACCION PARA ESTABLECER UN PLASMA DE DESCARGA DENTRO DEL MISMO, QUE CONTIENE UNA ESPECIE DE GAS DE REACCION DERIVADO, Y ESTANDO CARACTERIZADO EL PROCEDIMIENTO PORQUE EL RECIPIENTE DE REACCION SE MANTIENE A UNA PRESION NO MAYOR DE 13 PASCALES DURANTE LA DEPOSICION DE LA PELICULA DE ALEACION SEMICONDUCTORA.
APARATO PERFECCIONADO DE DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE, UTILIZABLE PARTICULARMENTE EN LA PRODUCCION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS, Y METODO CORRESPONDIENTE.
(01/12/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
METODO Y APARATO DE DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE, UTILIZABLE EN PARTICULAR EN LA PRODUCCION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS. EL METODO COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE INTRODUCEN LOS GASES DE PROCESAMIENTO CORRIENTE ARRIBA DE LA REGION DE DESCOMPOSICION; SEGUNDA SE SEPARAN LAS IMPUREZAS DE LOS GASES DE PROCESAMIENTO Y CONTAMINANTES DE LAS PAREDES DE LA CAMARA DE DEPOSICION; TERCERA, SE INICIA LA DISOCIACION Y RECOMBINACION DE LOS GASES DE PROCESAMIENTO EN UNA REGION DE DESCOMPOSICION DE PREDEPOSICION CORRIENTE ARRIBA.
UN APARATO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DEL TIPO QUE INCLUYEN UNA PLURALIDAD DE PELICULAS.
(01/10/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
UN APARATO PARA DEPOSITAR UN MATERIAL SOBRE UN SUSTRATO DE UN PLASMA EXCITADO CON ENERGIA DE MICROONDAS.INCLUYE UNA CAMARA DE DEPOSICION, UNA FUENTE DE ENERGIA DE MICROONDAS Y UNA ANTENA QUE SE EXTIENDE HACIA LA CAMARA Y QUE SE ACOPLA CON LA FUENTE DE ENERGIA DE MICROONDAS. LA ANTENA INCLUYE UN FORRO EXTERNO FORMADO DE UN MATERIAL CONDUCTOR, UN CONDUCTOR INTERNO QUE SE EXTIENDE DENTRO Y AISLADO ELECTRICAMENTE DEL FORRO EXTERNO, Y UNA RANURA DENTRO DEL FORRO EXTERNO. EL APARATO INCLUYE TAMBIEN UN CONDUCTO DE ALIMENTACION PASANTE NUEVO Y MEJORADO PARA LA ANTENA QUE PERMITE QUE LA ANTENA SE EXTIENDA HACIA LA CAMARA MIENTRAS QUE ESTABLECE UN SELLO DE VACIO ENTRE LA CAMARA Y LA ANTENA.
PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR UN MATERIAL TRANSPARENTE ELECTRICAMENTE AISLANTE SOBRE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.
(01/03/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR UN MATERIAL TRANSPARENTE ELECTRICAMENTE AISLANTE SOBRE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.CONSISTE EN: A) FACILITAR UNA FUENTE DE ENERGIA DE MICROONDAS ; B) ACOPLAR LA ENERGIA DE MICROONDAS A UN RECIPIENTE DE REACCION CERRADO QUE CONTIENE EL SUSTRATO SOBRE EL QUE HA DE DEPOSITARSE LA PELICULA SEMICONDUCTORA AMORFA ; Y C) INTRODUCIR EN EL RECIPIENTE GASES DE REACCION INCLUYENDO SILICIO Y NITROGENO U OXIGENO. LA ENERGIA DE MICROONDAS Y LOS GASES DE REACCION FORMAN UN PLASMA DE DESCARGA LUMINOSA EN EL INTERIOR DEL RECIPIENTE PARA DEPOSITAR SOBRE EL SUSTRATO UNA PELICULA SEMICONDUCTORA AMORFA A PARTIR DE LOS GASES DE REACCION.
UN PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR PELICULAS DE ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA SOBRE UN SUSTRATO.
(16/02/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR PELICULAS DE ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA SOBRE UN SUSTRATO.COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE PREVEE UNA FUENTE DE ENERGIA DE MICROONDAS; SEGUNDA, SE ACOPLA DICHA FUENTE DE ENERGIA DE MICROONDAS A UN RECIPIENTE DE REACCION SUSTANCIALMENTE CERRADO QUE CONTIENE EL SUSTRATO; Y POR ULTIMO, SE INTRODUCEN EN EL RECIPIENTE GASES DE REACCION, INCLUYENDO DICHOS GASES AL MENOS UN COMPUESTO QUE ES SEMICONDUCTOR, PARA FORMAR UN PLASMA DE DESCARGA LUMINOSA EN EL INTERIOR DE DICHO RECIPIENTE Y PARA DEPOSITAR UNA PELICULA SEMICONDUCTORA AMORFA.
PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UN APARATO DE DEPOSICION POR DESCARGA INCANDESCENTE.
(01/11/1984). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
SISTEMA DE CATODO DE CORRIENTE ARRIBA O DE PREDEPOSICION PARA SER USADO CON UN APARATO DE DEPOSICION DE DESCARGA LUMINISCENTE, ESTANDO DICHO APARATO ADAPTADO PARA LA PRODUCCION CONTINUA DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DE GRAN AREA.CONSISTE EN UN MEDIO DE DESCARGA LUMINISCENTE SITUADO CORRIENTE ARRIBA DE LA REGION DE PLASMA DE DEPOSICION, EL CUAL ESTA ADAPTADO PARA DESARROLLAR UNA REGION DE PLASMA CORRIENTE ARRIBA, SIENDO LA PELICULA SEMICONDUCTORA DEPOSITADA SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE UNA COMPOSICION QUIMICA ESENCIALMENTE HOMOGENEA Y UNIFORME A TRAVES DE TODA LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE AREA GRANDE.