CIP-2021 : C23C 16/50 : por medio de descargas eléctricas.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/50 · · por medio de descargas eléctricas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
APARATO DE CAMARAS MULTIPLES PARA PRODUCIR DE MANERA CONTINUA CELULAS VOLTAICAS AMORFAS EN TANDEM.
(01/03/1984). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA PRODUCIR DE FORMA CONTINUA CELULAS FOTOVOLTAICAS AMORFAS EN TANDEM.EL APARATO COMPRENDE: UNA TRIADA DE CAMARAS DE DEPOSICION PARA CADA UNIDAD DE TRES CAPAS DE LAS CELULAS EN TANDEM; UN DISPOSITIVO PARA DESPLAZAR CONTINUAMENTE EL MATERIAL DEL SUBSTRATO DE TRAVES DE CADA TRIADA DE CAMARAS EN DEPOSICION; UN DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR LAS SUCESIVAS CAPAS DE LAS UNIDADES; UN DISPOSITIVO ASOCIADO ACTIVAMENTE CON CADA CAMARA DE CADA TRIADA, PARA INTRODUCIR UNA MEZCLA GASEOSA DE REACCION PREDETERMINADA ENELLA; UN DISPOSITIVO PARA IMPEDIR LA CONTAMINACION MUTUA DE LA MEZCLA GASEOSA CONTENIDA EN LA TERCERA CAMARA DE CADA TRIADA CON LA MEZCLA GASEOSA CONTENIDA EN LA PRIMERA CAMARA ; Y UN DISPOSITIVO (58D, 58E, 58H, 58I) PARA AISLAR LA MEZCLA GASEOSA CONTENIDA EN LA SEGUNDA CAMARA DE CADA TRIADA DE LAS MEZCLAS GASEOSAS CONTENIDAS EN LA PRIMERA Y TERCERA CAMARA.
UN METODO DE FABRICACION DE UN PANEL FOTOVOLTAICO.
(01/06/1983). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
METODO DE FABRICACION DE UN PANEL FOTOVOLTAICO. SE FORMA UN ROLLO DE UNA HOJA DE SUSTRATO FLEXIBLE, DESENROLLANDOSE DICHO ROLLO DE SUSTRATO DE FORMA CONTINUA EN UN ESPACIO PARCIALMENTE EVACUADO QUE CONTIENE AL MENOS UNA REGION DE DEPOSICION DE SILICIO DONDE SE DEPOSITAN SOBRE UNA PORCION DEL SUSTRATO AL MENOS DOS ALEACIONES DE SILICIO FLEXIBLES Y DELGADAS QUE SON DE TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO, FORMANDO UNA O MAS DE LAS CITADAS ALEACIONES UNA O VARIAS REGIONES DE AGOTAMIENTO FOTOVOLTAICOS, Y CADA UNA DE LAS ALEACIONES DE SILICONA SE DEPOSITA EN UNA REGION DE DESCARGA LUMINISCENTE DISTINTA, PASADA LA CUAL DICHA BOBINA SE LLEVA A FORMAR UN PROCESO DE DEPOSICION SUSTANCIALMENTE CONTINUO Y POSTERIORMENTE SE APLICA SOBRE DICHAS ALEACIONES DE SILICIO UNA CAPA FORMADORA DE ELECTRODO FLEXIBLE Y DELGADA, SOBRE POR LO MENOS ALGUNA DE LAS CITADAS REGIONES DE AGOTAMIENTO FOTOVOLTAICO.
UN DISPOSITIVO DE UNION P-N O P-I-N PARA CELULAS SOLARES.
(01/06/1983). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
DISPOSITIVO DE UNION P-N O P-I-N PARA CELULAS SOLARES. EL DISPOSITIVO ESTA CONSTITUIDO POR UN SUBSTRATO QUE INCLUYE UN ELECTRODO METALICO, UN MATERIAL QUE CONTIENE POR LO MENOS UN ELEMENTO QUE INCLUYE SILICIO, TAL COMO UNA MEZCLA DE SIF Y H , DEPOSITADO SOBRE DICHO ELECTRODO CALENTADO A UNA TEMPERATURA ENTRE 500 Y 800 C MEDIANTE DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE CONSECUTIVA DE POR LO MENOS DOS ALEACIONES DE TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO, P Y N, SIENDO POR LO MENOS UNA DE ELLAS UNA ALEACION SUSTANCIALMENTE AMORFA. LA ALEACION QUE CONTIENE SILICIO DE TIPO P INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO METALICO P-IMPURIFICADOR, TAL COMO BORO, EVAPORADOR Y ES DEPOSITADA HASTA UN ESPESOR INFERIOR A 1000 A, Y LA ALEACION QUE CONTIENE SILICIO DE TIPO N INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO N-IMPURIFICADOR DURANTE SU DEPOSICION.
UN METODO DE FABRICACION DE UNA ALEACION SEMICONDUCTORA.
(01/10/1982). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
METODO DE FABRICACION DE UNA ALEACION SEMICONDUCTORA DE TIPO P. SE DEPOSITA SOBRE UN SUSTRATO UN MATERIAL QUE CONTENGA COMO MINIMO SILICIO, MEDIANTE DESCARGA LUMINISCENTE DE UN COMPUESTO QUE CONTIENE POR LO MENOS SILICIO,EN UNA ATMOSFERA A VACIO PARCIAL. DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE DEL MATERIAL SE INTRODUCE UN METAL EVAPORADO COMO ELEMENTO P-IMPURIFICADOR EN LA REGION DE DESCARGA LUMINISCENTE DONDE SE DEPOSITA EL SILICIO,CUYO ELEMENTO METALICO P-IMPURIFICADOR SE DEPOSITA CON EL MATERIAL DE SILICIO DEPOSITADO POR DESCARGA LUMINISCENTE PARA PRODUCIR UNA ALECAION DEL TIPO P.
PROCEDIMIENTO DE RECUBRIMIENTO DE SUSTRATOS POR DEPOSICION DE PLASMA.
(16/04/1978). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Procedimiento de recubrimiento de substratos por deposición de plasma, en un tipo de reactor de flujo radial, sin sublimación catódica, activado por radiofrecuencia que comprende las etapas de introducir los gases de reacción en un reactor rarificado que contiene los substratos que se desean recubrir; establecer un flujo laminar de gases por los sustratos; y producir una reacción de descarga luminosa de plasma en el reactor en un punto adyacente a los substratos; caracterizado porque la etapa de introducción de gases comprende introducir silano, amoniaco y un gas vehículo inerte en dicho reactor pero evitando prácticamente la introducción de otros gases reactivos con los mismos.