CIP-2021 : H01L 27/10 : con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).

H01L 27/10 · · · con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

ARQUITECTURA DE INTERCONEXIONES PROGRAMABLE.

(16/11/2002) UNA ARQUITECTURA DE CIRCUITO CONFIGURABLE POR EL USUARIO INCLUYE UNA RED BIDIMENSIONAL DE MODULOS DE CIRCUITO FUNCIONALES DISPUESTO DENTRO DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR. UNA PRIMERA CAPA INTERCONECTADA DISPUESTA ENCIMA Y AISLADA DEL SUSTRATO SEMICONDUCTOR CONTIENE UNA PLURALIDAD DE CONDUCTORES Y ES UTILIZADA PARA CONEXIONES INTERNAS DENTRO DE LOS MODULOS DE CIRCUITO FUNCIONALES. UNA SEGUNDA CAPA DE INTERCONEXION DISPUESTA ENCIMA Y AISLADA DE LA PRIMERA CAPA INTERCONECTADA CONTIENE UNA PLURALIDAD DE CAMINOS SEGMENTADOS DE CONDUCTORES YENDO EN UNA PRIMERA DIRECCION Y ES USADA PARA INTERCONECTAR ENTRADAS Y SALIDAS DE MODULO DE CIRCUITO FUNCIONAL. UNA TERCERA CAPA DE INTERCONEXION…

MEMORIA CON CELULA DE MEMORIA EEPROM DE EFECTO CAPACITIVO Y PROCESO DE LECTURA DE TAL CELULA DE MEMORIA.

(16/04/1999). Solicitante/s: GEMPLUS. Inventor/es: KOWALSKI, JACEK.

EN UNA CELULA DE MEMORIA DE UNA MEMORIA EEPROM O FLASH-EEPROM, SE CONECTAN JUNTOS LA FUENTE Y EL DRENAJE DE UN TRANSISTOR DE REJILLA FLOTANTE FORMANDO EL DISPOSITIVO DE MEMORIZACION NO VOLATIL. SE MUESTRA QUE ENTONCES EL COMPORTAMIENTO CAPACITIVO DE LA CELULA SE DIFERENCIA EN EL MOMENTO DE LA LECTURA SEGUN ESTE EN UN ESTADO PROGRAMADO O BORRADO. ESTA DIFERENCIA DE COMPORTAMIENTO SIRVE PARA DIFERENCIAR LOS ESTADOS LOGICOS.

MEMORIA DE SEMICONDUCTOR.

(16/01/1994). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: GARNACHE, RICHARD RAYMOND, KENNEY, DONALD MACALPINE.

UNA MEMORIA INCLUYE UN SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR QUE TIENE UNA SUPERFICIE PRINCIPAL Y UNA ZANJA DISPUESTA EN SU INTERIOR, QUE TIENE UN EJE LONGITUDINAL, MEDIOS DE ALMACENAMIENTO (16,16') DISPUESTOS SOBRE UNA DETERMINADA PARED LATERAL DE LA ZANJA, MEDIOS DE INTERRUPCION (12,12') QUE TIENEN UN ELEMENTO DE CONTROL Y UN ELEMENTO DE TRANSPORTE DE CORRIENTE DISPUESTO SOBRE LA PARED LATERAL DE DICHA ZANJA ENTRE LOS MEDIOS DE ALMACENAMIENTO Y LA SUPERFICIE PRINCIPAL DEL SUSTRATO, Y ACOPLADOS A LOS MEDIOS DE ALMACENAMIENTO UNA PRIMERA LINEA ELECTRICA CONDUCTORA (40,40') DISPUESTA SOBRE DICHA PARED LATERAL EN CONTACTO CON EL ELEMENTO DE CONTROL Y TIENE UN EJE LONITUDINAL DISPUESTO PARALELAMENTE AL EJE DE LA ZANJA, Y UNA SEGUNDA LINEA CONDUCTORA (22,22') DISPUESTA SOBRE LA SUPERFICIE PRINCIPAL DEL SUSTRATO CONDUCTOR EN CONTACTO CON EL ELECTRODO QUE TRANSPORTA LA CORRIENTE DESDE LOS MEDIOS DE INTERRUPCION Y TIENE UN EJE LONGITUDINAL DISPUESTO ORTOGONALMENTE AL EJE LONGITUDINAL DE LA ZANJA.

METODO PARA LA OBTENCION DE UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA Y UNA CONEXION EN UNA CAPA EPITAXIAL, Y ESTRUCTURAS EN LAS QUE SE UTILIZA EL METODO.

(01/12/1992). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: LU, NICKY CHAU-CHUN, MACHESNEY, BRIAN JOHN.

PROCESO PARA COLOCAR UNA CAPA EPITAXIAL EN UN SUBSTRATO DE SILICIO Y SOBRE ISLETAS PREDEFINIDAS CORONADAS POR UN AISLANTE, QUE FORMA UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA EN LA CAPA EPITAXIAL. SE DESCRIBE LA APLICACION DEL METODO A UNA ESTRUCTURA DE MEMORIA RAM DINAMICA, CON UN TRANSISTOR DE ACCESO EN SILICIO MONOCRISTALINO COLOCADO ENCIMA DE UN CAPACITOR DE CANAL. SE DESCRIBE UN METODO DE FABRICACION SEGUN EL CUAL LA VENTANA DE CONTACTO PARA LA CONEXION FUENTE-CANAL ESTA FORMADA POR CRECIMIENTO LATERAL EPITAXIAL AUTOALINEADO, SEGUIDO DE LA FORMACION DE UNA CONEXION DE CONTACTO UTILIZANDO UN SEGUNDO CRECIMIENTO EPITAXIAL O UN PROCESO (CVD) DE LLENADO Y ZUNCHAMIENTO. EL INVENTO PUEDE APLICARSE TAMBIEN A OTRAS ESTRUCTURAS QUE UTILIZAN LOS PRINCIPIOS DESCRITOS, MAS CONCRETAMENTE A UN INVERSOR CUYO ACCIONADOR VA SOBRE EL RESISTOR DE CARGA, QUE PUEDE UTILIZARSE COMO UN CIRCUITO BASICO PARA CIRCUITOS LOGICOS Y CELDAS DE MEMORIA RAM ESTATICA.

MEMORIA DINAMICA VERTICAL DE ALTA DENSIDAD.

(16/03/1992). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: FITZGERALD, BRIAN F., NGUYEN, KIMM YEN T., NGUYEN, VAN S.

MEMORIA DINAMICA RAM, CADA UNA DE CUYAS CELDAS , TIENE UN CAPACITOR DE ALMACENAMIENTO E INTERRUPTOR Y UN BIT DE COMPROBACION DE LINEA O PLACA SITUADO EN UNA PARED LATERAL DE UN CANAL QUE SE HALLA EN UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR . EL ANCHO DEL CANAL DEFINE LA LONGITUD DEL CONMUTADOR, TENIENDO EL CAPACITOR DE ALMACENAMIENTO Y UN BIT DE COMPROBACION DE LINEA ALTAMENTE CONDUCTOR SITUADOS EN PAREDES LATERALES OPUESTAS DEL CANAL. EN UN SISTEMA DE TALES CELDAS, EL BIT DE COMPROBACION DE LINEA O PLACA QUE CONECTA UN GRAN NUMERO DE CELDAS DEL SISTEMA SE EXTIENDE CONTINUAMENTE DE CELDA A CELDA EN UNA PARED LATERAL DEL CANAL. DE FORMA SIMILAR, LOS CAPACITORES DE ALMACENAMIENTO DE ESTAS CELDAS TIENEN UNA PLACA COMUN ALTAMENTE CONDUCTORA QUE SE EXTIENDE CONTINUAMENTE EN LA PARED OPUESTA DEL CANAL.

PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE NUEVOS DERIVADOS DE NITROMETILENO CON ACTIVIDAD INSECTICIDA.

(01/12/1987). Solicitante/s: NIHON TOKUSHU NOYAKU SEIZO K.K..

PROCEDIMIENTO DE SINTESIS DE DERIVADOS DE NITROMETILENO. CONSISTENTE EN HACER REACCIONAR UN COMPUESTO DE FORMULA (II) CON UN COMPUESTO DE FORMULA (III) O (IV) O (V), PRESENTE UN DISOLVENTE INERTE Y ACEPTORES DE ACIDO, ENTRE C20JC Y LA TEMPERATURA DE EBULLICION, PARA OBTENER UN COMPUESTO DE FORMULA (I). SIENDO: R1, R2, R5 Y R6, H O ALQUILO; R3 Y R4, HI, HIDROXI Y OTROS; R9, FORMADOR DE FORMA BIS A TRAVES DE GRUPO METILENO EN (I), O H; R, H O ALQUILO; X1, ATOMO DE S2 U O2 Y OTROS; RK, ALQUILO INFERIOR Y OTROS; RL, H O HAL; Z, GRUPO HETEROCICLICO DE C 5 A 6. SE USAN COMO INSECTICIDAS.

PERFECCIONAMIENTOS EN APARATOS DE CONTROL REMOTO DEL RECEPTOR DE TELEVISION.

(16/05/1981). Solicitante/s: SHARP KABUSHIKI KAISHA.

SISTEMA DE TELEVISION DE MULTIPLES IMAGENES EN UNA PANTALLA DIVIDIDA CON CONTROL REMOTO. COMPRENDE UN RECEPTOR DE TELEVISION CON UN TUBO DE RAYOS CATODICOS DIVIDIDO EN NUEVE PARTES (A A I). LA DISPOSICION DE LOS CANALES EN EL LADO DEL SELECTOR ESTA EN CORRESPONDENCIA SIMPLE CON LA DISPOSICION EN LA PANTALLA DE LAS IMAGENES. LOS SELECTORES DE CANALES SE DISPONEN EN EL PANEL DE UN TRANSMISOR DE CONTROL REMOTO.

PERFECCIONAMIENTOS EN APARATOS PARA EL TRATAMIENTO DE SEÑALES ELECTRONICAS.

(01/03/1980). Solicitante/s: RCA CORPORATION.

Perfeccionamientos en aparatos para el tratamiento de señales electrónicas, del tipo de aparato de filtro de peine para el tratamiento de una señal de video que contiene componentes de luminancia y crominancia representativos de la imagen dispuestos dentro de un espectro de frecuencias de la señal de video en relación de intercalación de frecuencias.

UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA CONVERTIR EN DIGITAL UNA SEÑAL ELECTRICA DE ENTRADA ANALOGICA.

(16/01/1977). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.

PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN CUERPOS UNITARIOS ESTRUCTURALES PARA USO EN PAREDES, SUELOS Y SIMILARES.

(16/06/1976). Solicitante/s: TOKYO PLYWOOD KABUSHIKI KAISHA Y NAOMITSU MEGUMI.

Resumen no disponible.

APARATO DE TRANSFERENCIA DE CARGA PARA LA FORMACION DE IMAGENES.

(01/12/1975) Aparato de transferencia de carga para la formación de imágenes , que comprende una oblea fotosensible provista de un par de superficies substancialmente paralelas en las caras opuestas de la misma adecuadas para el funcionamiento del dispositivo de transferencia de carga; una primera capa dieléctrica transparente dispuesta sobre y contigua a una primera a una primera de dichas superficies, una lámina conductiva transparente dispuesta substancialmente sobre dicha primera capa dieléctricas, medios en combinación con dichas oblea, capa y lámina para formar una matriz de pozos de potencial adyacentes a dicha primera superficie de la oblea en respuesta a un voltaje suficiente aplicado a dicha lámina conductiva, una segunda capa dieléctrica…
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