CIP-2021 : H01L 41/20 : para los elementos magnetoestrictivos.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 41/20 · · para los elementos magnetoestrictivos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Composiciones de aleación amorfa para un resonador magnetomecánico y marcador EAS que las contiene.
(28/08/2019) Un marcador para uso en un sistema magnetomecánico de vigilancia electrónica de artículos (EAS), que comprende:
un elemento resonador activo magnetomecánico formado por una tira plana de aleación magnetoestrictiva amorfa que tiene la composición FeaNibMc en donde a+b+c = 100, en donde a está en un intervalo del 40-70 por ciento atómico, b está en un intervalo del 10 a menos del 25 por ciento atómico, y c está en un intervalo del 10- 50 por ciento atómico, y donde M es el resto compensador de los elementos restantes; en donde M comprende uno o más seleccionados del grupo que consiste en Si, B, C y P;
un elemento de polarización ubicado adyacente a dicho elemento resonador;
una carcasa configurada para contener dicho elemento resonador activo …
Material magnético de aleación con memoria de forma.
(18/02/2015) Material magnético de aleación con memoria de forma, con una temperatura de Curie (TC), así como con una temperatura de cambio de fase (TA) desde una fase martensítica a una fase austenítica, presentando Ni, Mn y Ga en su composición, así como al menos Co:
NiaMnbGacCodFeeCuf, estando indicados los valores a, b, c, d, e y f en atom-%, y cumpliendo las siguientes condiciones:
44 ≤ a ≤ 51;
19 ≤ b ≤ 30;
18 ≤ c ≤ 24;
0,1 ≤ d< 3;
0 ≤ e ≤ 14,9;
0 ≤ f ≤ 14,9;
d+e+f ≤ 3;
a+b+c+d+e+f ≥ 100;
HILOS FERROMAGNETICOS CON MEMORIA DE FORMA, SU PROCEDIMIENTO DE OBTENCION Y SUS APLICACIONES.
(26/11/2010) Hilos ferromagnéticos con memoria de forma, su procedimiento de obtención y sus aplicaciones.La presente invención se refiere a la fabricación de hilos ferromagnéticos con memoria de forma, con composiciones caracterizadas por presentar la transformación martensítica y el efecto magnetostrictivo asociado con la reorientación de variantes bajo campo magnético. Estos hilos ferromagnéticos pueden presentar una estructura cristalográfica de tipo Heusler, con composición estequiométrica X{sub,2}YZ o próximas a ésta, como por ejemplo, Ni{sub,2.10}Mn{sub,0.98}Ga{sub,0.92}. Estos hilos ferromagnéticos con efecto de memoria de forma se pueden usar en dispositivos que bajo la aplicación…
PROCEDIMIENTO PARA AUMENTAR LA TEMPERATURA DE CURIE EN OXIDOS MAGNETORESISTIVOS CON ESTRUCTURA DE DOBLE PEROVSKITA.
(16/03/2005). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: FONTCUBERTA GRIO,JOSEP, MARTINEZ PEREA,BENJAMIN, NAVARRO HERNANDEZ,JOSE, BAL CELLS,LLUIS.
Procedimiento para aumentar la temperatura de Curie en óxidos magnetoresistivos con estructura de doble perovskita. Esta invención se refiere a un procedimiento para aumentar la temperatura de orden ferromagnético (temperatura de Curie, T{sub,C} en óxidos ferromagnéticos tipo doble perovskita A{sub,2}BB'O{sub,6} donde B y B' son iones metálicos (B=Cr,Fe,Co,... y B'=Mo, Re, W,...). Algunos de estos óxidos son metálicos y ferromagnéticos y presentan una magnetoresistencia (cambio de su resistencia eléctrica al ser sometidos a un campo magnético) importante, por lo que pueden ser usados en dispositivos y sensores magnetoresistivos. La presente invención incluye los materiales tipo A{sub,2}BB'O{sub,6} preparados con la composición y procedimiento que se describirán así como los dispositivos magnetoresistivos (por ejemplo, sensores magnéticos, memorias magnéticas, cabezales de lectura magnéticos, etc.) que en base a ellos se pudieran fabricar.
DISPOSITIVO PARA LA DEFORMACION DE UNA ESTRUCTURA PORTADORA MEDIANTE EFECTOS ELECTRICOS O MAGNETICOS.
(16/09/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: EUROCOPTER DEUTSCHLAND GMBH. Inventor/es: BANSEMIR, HORST.
LA INVENCION CONSISTE EN UN DISPOSITIVO PARA CONFORMAR UNA ESTRUCTURA PORTANTE MEDIANTE EFECTOS ELECTRICOS O MAGNETICOS. DICHA ESTRUCTURA PORTANTE SE COMPONE DE UN COMPUESTO DE FIBRAS COMBINADO CON UN MATERIAL DE BALASTO, Y DE CERAMICAS O POLIMEROS PIEZOELECTRICOS, CERAMICAS ELECTROESTRICTIVAS O MATERIALES MAGNETOESTRICTIVOS, COMO POR EJEMPLO LA ALEACION TERFENOL-D, DISPUESTOS EN EL COMPUESTO DE FIBRAS. DICHO COMPUESTO DE FIBRAS SE COMPONE DE UN GRAN NUMERO DE FIBRAS DISPUESTAS EN UN ANGULO (MAS MENOS) AL} CON RESPECTO A LA DIRECCION TRANSVERSAL X DE LA ESTRUCTURA PORTANTE, DE MANERA QUE LAS CERAMICAS O POLIMEROS PIEZOELECTRICOS, CERAMICAS ELECTROESTRICTIVAS O MATERIALES MAGNETOESTRICTIVOS, COMO POR EJEMPLO LA ALEACION TERFENOL-D, SE HAN APLICADO SOBRE LA ESTRUCTURA EN FORMA DE TIRAS DISPUESTAS EN LA DIRECCION TRANSVERSAL X.
ESTRATIFICADO MULTICAPA MAGNETOESTRICTIVO.
(01/09/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM KARLSRUHE GMBH CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE, LABORATOIRE DE MAGNETISME LOUIS NEEL. Inventor/es: QUANDT, ECKHARD, DR., LUDWIG, ALFRED, GIVORD, DOMINIQUE, MACKAY, KEN, BETZ, JOCHEN.
LA INVENCION SE REFIERE A UNA CAPA ESTRATIFICADA MAGNETOESTRICTIVA. EL PROPOSITO DE LA INVENCION CONSISTE EN PROPONER ESTA CAPA MAGNETOSTRICTIVA CON CUYA AYUDA PUEDEN ALCANZARSE MAYORES VALORES DE MAGNETOSTRICCION. EL PROPOSITO SE LOGRA MEDIANTE UNA MULTICAPA CON UNA SECUENCIA ALTERNANTE DE UNA CAPA ALTAMENTE MAGNETOSTRICTIVA A TEMPERATURA AMBIENTE Y UNA CAPA DE BAJA COERCIVIDAD, EN LA QUE PRESENTA UNA MAGNETOSTRICCION DE SATURACION DE MAS DE 200 X 10{SUP,-6} Y SE COMPONE DE UNA ALEACION QUE CONTIENE COMO MINIMO UN METAL DE TIERRAS RARAS Y HIERRO Y/O COBALTO, APA ES DE BAJA COERCIVIDAD CON UN MAGNETISMO DE SATURACION DE {MI} X H{SUB,S} DE MAS DE 1 TESLA Y UNA FUERZA DE CAMPO COERCITIVO H{SUB,C} DE MENOS DE 5 X 10{SUP,3} AMPERIOS/METRO.
MATERIAL MAGNETOSTRICTIVO.
(16/12/1998). Solicitante/s: BRITISH TECHNOLOGY GROUP LIMITED. Inventor/es: GIBBS, MICHAEL RICHARD JOHN.
SE PRESENTA UN MATERIAL MAGNETICO DE AL MENOS DOS PARTES COMPONENTES DISPUESTAS PARA TENER UNAS ESTRUCTURAS RESPECTIVAS QUE NO SEAN MUTUAMENTE HOMOGENEAS, LA ESTRUCTURA DE UNA PARTE COOPERA CON LA ESTRUCTURA DE LA OTRA PARA AYUDAR (FIG. 3) AL COMPORTAMIENTO MAGNETOESTRICTIVO DEL MATERIAL. LA COOPERACION PUEDE SER LA ESTRUCTURA DE UNA PARTE QUE ALTERA LA SEPARACION ATOMICA DE LA OTRA PARTE (FIG. 1, FIG. 2). LA ALTERACION PUEDE INCREMENTARSE A PARTIR DE LA SEPARACION ATOMICA USUAL. PUEDE HABER PARTES COMPONENTES CONTIGUAS Y LA COOPERACION PUEDE SER UNA SUPERFICIE SEUDOLIBRE SOBRE AL MENOS UNA DE DICHAS PARTES O UNA RESTRICCION REDUCIDA DEL MOMENTO LOCAL QUE DE OTRA FORMA SE CONSEGUIRIA MEDIANTE LAS PARTES COMPONENTES CONTIGUAS (FIG. 5). UN COMPONENTE PUEDE SER AL MENOS PARCIALMENTE UNA ALEACION Y LA ALEACION PUEDE TENER UNA PROPORCION DIFERENTE A LA USUAL PARA DICHA ALEACION. UNO DE LOS COMPONENTES PUEDE SER NO MAGNETICO.
MODULO MOTRIZ MAGNETOESTRICTIVO.
(01/10/1993) LOS MODULOS MOTRICES DE UN TRANSDUCTOR MAGNETOESTRICTIVO SE FABRICAN DE DISCOS MAGNETICOS PERMANENTES (COBALTO DE SAMARIO) Y DE DISCOS DE ALEACION DE LANTANIDO MAGNETOESTRICTIVO DE BAJA PERMEBILIDAD Y ALTA TENSION PARA FORMAR UNA PILA DE DECHOS MATERIALES ENTRELAZADOS CON UNA DISTRIBUCION DE CAMPO MAGNETICO SUSTANCIALMENTE UNIFORME EN LA PILA. DOS DE TALES PILAS COLOCADAS UNA AL LADO DE LA OTRA SUMINISTRAN UN CIRCUITO MAGNETICO COMPLETADO A TRAVES DE LAS PIEZAS DE POLO DE RETORNO DE FLUJO DE ALTA PERMEABILIDAD EN SUS EXTREMOS, MEDIANTE LO CUAL SE SUMINISTRA UNA DISTRIBUCION DE CAMPO MAGNETICO SUSTANCIALMENTE UNIFORME EN LA PILA . CADA PILA TIENE UNOS CORTES PLANOS QUE SE EXTIENDEN LONGITUDINALMENTE Y QUE NO ESTAN AISLADOS ELECTRICAMENTE Y CADA PIEZA DE POLO DE RETORNO DE FLUJO…