Composiciones de aleación amorfa para un resonador magnetomecánico y marcador EAS que las contiene.

Un marcador (100) para uso en un sistema magnetomecánico de vigilancia electrónica de artículos (EAS),

que comprende:

un elemento resonador activo magnetomecánico (104) formado por una tira plana de aleación magnetoestrictiva amorfa que tiene la composición FeaNibMc en donde a+b+c = 100, en donde a está en un intervalo del 40-70 por ciento atómico, b está en un intervalo del 10 a menos del 25 por ciento atómico, y c está en un intervalo del 10- 50 por ciento atómico, y donde M es el resto compensador de los elementos restantes; en donde M comprende uno o más seleccionados del grupo que consiste en Si, B, C y P;

un elemento de polarización (108) ubicado adyacente a dicho elemento resonador;

una carcasa configurada para contener dicho elemento resonador activo (104) y dicho elemento de polarización (108); y

en donde dicho elemento resonador magnetomecánico activo (104) se somete a recocido por lotes en presencia de un campo magnético que es sustancialmente transversal al plano de dicho elemento y a una temperatura de menos de 300 °C en un tiempo de más de una hora; en donde

la pendiente de frecuencia del elemento resonador activo (104) en Hz/A.m-1 en el punto de funcionamiento es menor que la pendiente máxima para la curva característica de frecuencia; en donde una amplitud A1 en el punto de funcionamiento es mayor que la amplitud mínima para la curva característica de amplitud.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2007/070557.

Solicitante: SENSORMATIC ELECTRONICS, LLC.

Inventor/es: LIU, NEN-CHIN, LIAN, MING-REN, CHINA,CHAITALI, COFFEY,KEVIN R.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G08B13/24 SECCION G — FISICA.G08 SEÑALIZACION.G08B SISTEMAS DE SEÑALIZACION O DE LLAMADA; TRANSMISORES DE ORDENES; SISTEMAS DE ALARMA.G08B 13/00 Alarmas contra ladrones, los atracadores o cualquier intruso. › por una interferencia con la distribución de un campo electromagnético.
  • H01F10/13 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS.H01F 10/00 Películas magnéticas delgadas, p. ej. de estructura de un dominio. › Aleaciones metálicas amorfas, p. ej. metales vítreos.
  • H01L41/20 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › para los elementos magnetoestrictivos.

PDF original: ES-2758479_T3.pdf

 

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