CIP-2021 : H01L 21/3213 : Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/3213 · · · · · · · · Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Composición de microdecapado y método para usar la misma.
(18/12/2019). Solicitante/s: MACDERMID, INCORPORATED. Inventor/es: FENG,Kesheng, CASTALDI,Steven A, KAPADIA,NILESH.
Una composición de microdecapado para tratar superficies metálicas que comprenden:
a) una fuente de iones cúpricos;
b) ácido, en donde el ácido comprende un ácido seleccionado del grupo que consiste en ácido clorhídrico, ácido sulfúrico, ácido fosfórico, ácido nítrico, ácido fórmico, ácido acético, ácido sulfámico y ácido toluenosulfónico;
c) un compuesto de nitrilo; y
d) una fuente de iones de haluro.
PDF original: ES-2774149_T3.pdf
Aparato y método para el procesamiento de texturizado.
(13/11/2019) Aparato para el procesamiento de texturizado que comprende:
- una fuente de gas de entrada ;
- una fuente de energía adecuada para excitar el gas de entrada y para generar un plasma en una región de plasma; y
- un portamuestras configurado para recibir una muestra sólida , y dispuesto de tal modo que, en uso, esté puesto a tierra;
en el que el aparato comprende:
- una máscara dispuesta entre la región de plasma y el portamuestras , teniendo la máscara una primera cara orientada hacia la región de plasma y una segunda cara orientada hacia una superficie de la muestra sólida que se va a procesar, comprendiendo, en uso, la máscara al menos una abertura de máscara que se extiende a través de la máscara…
Selectividad mejorada en un proceso de ataque químico de difluoruro xenón.
(01/05/2019). Solicitante/s: Memsstar Limited. Inventor/es: O\'HARA,Anthony.
Un método de ataque químico de silicio (Si) en una cámara de proceso para producir una o más microestructuras, comprendiendo el método las etapas de:
(a) producir un vapor de material de ataque químico que comprende difluoruro de xenón (XeF2) a partir de una fuente de material de ataque químico;
(b) transportar vapor de material de ataque químico a la cámara de proceso suministrando un gas portador a la fuente de material de ataque químico, transportando a continuación el gas portador el vapor de material de ataque químico a la cámara de proceso; y
(c) introducir un gas secundario que consiste en hidrógeno en la cámara de proceso, en donde el gas secundario reacciona con subproductos de ataque químico de silicio (Si).
PDF original: ES-2732128_T3.pdf
PROCEDIMIENTOS PARA GRABAR UNA CAPA QUE CONTIENE ALUMINIO.
(01/06/2005) Un procedimiento para el grabado de porciones seleccionadas de una capa que contiene aluminio de un apilamiento de capas, estando dicho apilamiento de capas dispuesto sobre un substrato, estando dicha capa que contiene aluminio dispuesta debajo de una máscara de fotoresist que tiene un esquema sobre la misma, el cual comprende: proporcionar una cámara de tratamiento con plasma; posicionar dicho substrato que tiene sobre él dicho apilamiento de capas, incluyendo dicha capa que contiene aluminio y dicha máscara de fotoresist, dentro de dicha cámara de tratamiento con plasma; hacer fluir una fuente gaseosa grabadora que comprende HCl, una fuente gaseosa que contiene cloro y una fuente gaseosa que contiene oxígeno,…
FORMACION DE PUERTAS EN TRANSISTORES.
(16/06/2001). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, YU, CHEN-HUA DOUGLAS.
SE PRESENTA UN METODO PARA LA FORMACION DE TRANSISTORES QUE TENGAN ELEMENTOS SUBLITOGRAFICOS, POR EJEMPLO, COMPUERTAS. SE CREA UNA MASCARA DURA MODELADA (FORMADA, POR EJEMPLO, A PARTIR DE PETEOS) DE MODO QUE QUEDE SUPERPUESTA A UNAS CAPAS DE OXIDO Y DE POLISILICIO. LAS DIMENSIONES DE LA MASCARA DURA SE REDUCEN MEDIANTE ATAQUE ISOTROPICO. LA MASCARA DURA DE DIMENSIONES REDUCIDAS SE UTILIZA EN UN PROCESO DE ATAQUE ANISOTROPICO PARA DEFINIR UN ELEMENTO DE DIMENSIONES REDUCIDAS TAL COMO UNA COMPUERTA.