CIP-2021 : H01L 21/31 : para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas (capas de encapsulamiento H01L 21/56 );
Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/31 · · · · · para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas (capas de encapsulamiento H01L 21/56 ); Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Fuente de plasma para un aparato de CVD de plasma y un procedimiento de fabricación de un artículo por el uso de la fuente de plasma.
(19/02/2020) Una fuente de plasma para un aparato de CVD de plasma, que comprende: un grupo de electrodos que incluye cuatro electrodos, que son un primer electrodo (10A), un segundo electrodo (10B), un tercer electrodo (10C) y un cuarto electrodo (10D) que están dispuestos en una fila en ese orden, en la que
dicho grupo de electrodos está conectado a al menos una fuente de alimentación de CA ; configurada para que cuando esté en operación una tensión suministrada a dos de dichos cuatro electrodos sea desplazada de fase de una tensión suministrada a los dos electrodos restantes;
espacios (850A, 850B, 850C) a los que es suministrada una fuente de gas son proporcionados entre los electrodos adyacentes, dicho grupo de electrodos está constituido por electrodos huecos…
AISLANTE DE PAREDES LATERALES ACANALADAS POR OXIDACION DE POLISILICIO.
(16/05/1996) SE DESCUBRE UN PROCESO PARA HACER CRECER UN DIOXIDO DE SILICIO RESISTENTE AL ACIDO SOBRE UNA SUPERFICIE MEDIANTE LA FORMACION DE UNA CAPA DE POLISILICIO Y EXPONIENDO ESTE POLISILICIO A LA OXIDACION TERMICA, PARA CONVERTIR COMPLETAMENTE EL POLISILICIO EN OXIDO DE (POLI)SILICIO. TAMBIEN SE PRESENTA UN METODO PARA FORMAR UNA ACANALADURA AISLANTE EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR QUE TIENE UNA PARED LATERAL CON ALTA INTEGRACION DE OXIDO. DESPUES DE FORMAR LA ACANALADURA EN LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO MEDIANTE EL USO DE UNA MASCARA ADECUADA, UN OXIDO TERMICO SIMPLE O UN OXIDO TERMICO DUAL Y UN LINEAL NITRIDO (CVD) SE FORMA SOBRE TODAS LAS SUPERFICIES DE ACANALADURA. UNA CAPA DE CONFORMACION DE POLISILICIO DESENGRASADO SE FORMA ENTONCES SOBRE EL FORRO.…
PROCESO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE CIRCUITO INTEGRADO UTILIZANDO UNA ESTRUCTURA DE SOPORTE MULTINIVEL.
(16/03/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: KORNBLIT, AVINOAM.
ESTE INVENTO ES UN METODO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO DE CIRCUITO INTEGRADO MEDIANTE LA UTILIZACION DE UNA ESTRUCTURA MULTINIVEL QUE INCLUYE UNA CAPA DE PLANERIZACION (EJEMPLO 22). LA EXPOSICION AL ACIDO DE IONES REACTIVOS DE LA CAPA DE UNA ESTRUCTURA DE SOPORTE MULTINIVEL UTILIZADA PARA HACER DISPOSITIVOS DE CIRCUITO INTEGRADO SE LLEVA A CABO EMPLEANDO UN PLASMA DERIVADO DEL DIOXIDO DE CARBONO. LA EXPOSICION AL ACIDO SE CARACTERIZA POR UN BUEN CONTROL DEL ANCHO DE LINEA, UN DAÑO DE RADIACION INSIGNIFICANTE Y UNA BAJA SENSIBILIDAD A LAS VARIACIONES DE PARAMETROS DEL PROCESO.
UN METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DE FOSFORO-NITROGENO-OXIGENO.
(01/10/1978). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINES MACHINES CORPORATION..
Resumen no disponible.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN RECUBRIMIENTO ESTABILIZANTE Y/O AISLANTE SOBRE SUPERFICIES DE SEMICONDUCTORES.
(16/10/1975). Solicitante/s: SEMIKRON GESELLSCHAFT FUR GLEICHRICHTERBAU UND EL.
Resumen no disponible.