CIP-2021 : H01L 23/485 : formadas por estructuras laminares que comprenden capas conductoras y aislantes, p. ej. contactos planares.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
H01L 23/485 · · · formadas por estructuras laminares que comprenden capas conductoras y aislantes, p. ej. contactos planares.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento para producir una metalización con capas de metalización de Ni y Au de alternancia múltiple sobre al menos una almohadilla de contacto sobre una oblea semiconductora.
(15/07/2020). Solicitante/s: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Inventor/es: SIDOROV,VICTOR, ZHYTNYTSKA,RIMMA, WUERFL,JOACHIM.
Procedimiento para la producción de una metalización para al menos una almohadilla de contacto con las siguientes etapas de procedimiento:
- aplicar al menos una almohadilla de contacto a una oblea semiconductora ,
- aplicar una capa de barrera al lado superior de la al menos una almohadilla de contacto ,
- aplicar una metalización al lado superior de la capa de barrera , configurándose la metalización como estructura de capas de dos capas de metalización de alternancia múltiple , configurándose la primera capa de metalización de níquel con un grosor de capa de menos de 100 nm y la segunda capa de metalización con un espesor de capa de entre 30 nm y 50 nm;
caracterizado porque
la capa de barrera y la metalización se aplican por medio de deposición física en fase de vapor, la segunda capa de metalización se configura de oro y la suma de los grosores de capa de las primeras capas de metalización es de más de 1 μm.
PDF original: ES-2818349_T3.pdf
Aparato de conmutación eléctrica con un dispositivo de interconexión eléctrica mejorado.
(01/01/2020) Aparato (1, 1') de conmutación eléctrica, que comprende:
- al menos dos componentes de potencia , cada uno de los cuales incluye primeros transistores y segundos transistores de potencia ,
- un dispositivo de control de encendido de los transistores, configurado para emitir una primera señal de control a cada uno de los primeros transistores y una segunda señal de control a cada uno de los segundos transistores ,
- un dispositivo de interconexión eléctrica que conecta el dispositivo de control de encendido a los componentes de potencia para transmitir la primera y la segunda señales de control al primer y al segundo transistor,
el dispositivo de interconexión que…
Conjuntos de chips semiconductores, procedimientos de fabricación de los mismos y componentes para los mismos.
(03/08/2016) Un conjunto de chip semiconductor, que comprende: un chip semiconductor que tiene una pluralidad de caras ; una pluralidad de contactos en una superficie de dicha pluralidad de superficies de dicho chip semiconductor; una capa separadora que se apoya en una superficie de dicha pluralidad de superficies de dicho chip semiconductor; una pluralidad de terminales para su conexión a una pluralidad de zonas terminales de contacto de un sustrato al cual el conjunto va a ser montado, estando dispuestos dichos terminales separados sobre la capa separadora y al menos parte de dichos terminales recubriendo una superficie de dicha pluralidad de superficies del chip semiconductor, de forma que dichos terminales yacen dentro de la periferia de…
TERMINAL PARA SOLDAR Y METODO DE FABRICARLO.
(01/04/2002). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: ATKINSON NYE , HENRI, III, ROEDER, JEFFREY FREDERICK, TONG, HO-MING, TOTTA, PAUL ANTHONY.
SE PRESENTA UN METODO Y UNA ESTRUCTURA PARA UN TERMINAL DE SOLDADURA MEJORADO. EL TERMINAL DE SOLDADURA MEJORADO ESTA HECHO DE UNA CAPA DE ADHESION METALICA DE FONDO, UNA CAPA INTERMEDIA DE CRCU SOBRE LA PARTE SUPERIOR DE LA CAPA DE ADHESION, UNA CAPA DE UNION DE SOLDADURA ENCIMA DE LA CAPA DE CRCU Y UNA CAPA SUPERIOR DE SOLDADURA. LA CAPA DE ADHESION PUEDE SER TANTO TIW O TIN. UN PROCESO PARA FABRICAR UN METAL DE TERMINAL MEJORADO CONSTA DE LA DEPOSICION DE UNA CAPA METALICA ADHESIVA, UNA CAPA DE CRCU SOBRE LA CAPA ADHESIVA Y UNA CAPA DE MATERIAL DE UNION DE SOLDADURA, SOBRE LA CUAL SE FORMA LA CAPA DE SOLDADURA EN REGIONES SELECTIVAS Y LAS CAPAS SUBYACENTES SON QUIMICAMENTE ATACADAS UTILIZANDO LAS REGIONES DE SOLDADURA COMO MASCARA.
TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION QUE UTILIZA ELECTRODOS DE ZONA TERMINAL DE CONEXION DE TERMINACION DE CAMPO.
(01/06/2001). Solicitante/s: RAYTHEON COMPANY. Inventor/es: HOOPER, WILLIAM W., CASE, MICHAEL G., NGUYEN, CHANH N.
UN TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION (10'') Y UN METODO DE FABRICACION SE REVELA QUE COMPRENDE UN ELECTRODO DE BLINDAJE (O ELECTRODO DE TERMINACION DE CAMPO) LOCALIZADO ENTRE LOS ATENUADORES DE ADHERENCIA Y EL MATERIAL SEMICONDUCTOR SBYACENTE. EL ELECTRODO DE BLINDAJE ESTA INSERTADO ENTRE DOS CAPAS DIELECTRICAS AISLANTES . LA ALTA TENSION APLICADA AL ATENUADOR DE ADHERENCIA ESTABLECE UN CAMPO ELECTRICO ENTRE EL ATENUADOR DE ADHERENCIA Y EL ELECTRODO DE BLINDAJE , QUE PREVIENE LA PENETRACION DE CAMPO E INVERSION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR SUBYACENTE. USANDO ESTA ESTRUCTURA DE TERMINACION DE CAMPO SOLAPADA, UNA CORRIENTE DE FUGA BAJA Y UNA TENSION DE RUPTURA ALTA SE MANTIENE EN EL TRANSISTOR (10''). LA PRESENTE ESTRUCTURA DE TERMINACION DE CAMPO SOLAPADA SUMINISTRA UNA TERMINACION DE CAMPO EFECTIVA INFERIOR AL ATENUADOR DE ADHERENCIA , Y SU DISEÑO DE SOLAPAMIENTO, SUMINISTRA PARA UN TRANSISTOR MAS COMPACTO (10").
METODO DE DEPOSICION DE MATERIAL QUE CONTIENE SI O GE SOBRE UNA SUPERFICIE DE CU O NI.
(16/07/1999). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: BRADY, MICHAEL JOHN, FARRELL, CURTIS EDWARD, KANG, SUNG KWON, MARINO, JEFFREY ROBERT.
SE DESCRIBEN CIERTOS MATERIALES QUE CONTIENEN SILICIO Y GERMANIO,UTILES EN LA SUPERFICIE DE CONDUCTORES DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.LA SOLDADURA PUEDE SER LLEVADA A CABO DE FORMA DESAGREGADA Y LOS HILOS PUEDEN ENLAZARSE EN TALES SUPERFICIES.ESTOS MATERIALES SE UTILIZAN COMO REVESTIMIENTOS SUPERFICIALES DE ARMAZONES DE PLOMO PARA PAQUETES DE CHIPS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.ESTOS MATERIALES PUEDEN SER TRANSFERIDOS SOBRE SUPERFICIES CONDUCTORAS O DISPUESTOS SOBRE ELLAS ELECTRONICA Y ELECTROLITICAMENTE.
DISPOSITIVO DE CIRCUITO INTEGRADO.
(01/03/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.
ESTRUCTURAS DE METALIZACION UTILIZADAS EN DISPOSITIVOS DE TIPO SEMICONDUCTOR DE OXIDO METALICO. CONSTAN DE UN CUERPO DE SILICIO QUE INCLUYE UNA REGION DE SILICIO DE TIPO P QUE TIENE UNA REGION DE ALIMENTACION DE TIPO NB CONVENCIONAL FORMADA EN LA MISMA; DE UNA CAPA DE SILICIURO METALICO REFRACTARIO SUPERYACENTE SOBRE LA REGION DE ALIMENTACION ; DE UNA CAPA DIELECTRICA MODELADA DE DIOXIDO DE SILICIO, DOPADO CON FOSFORO, QUE COMPRENDE DOS REGIONES ; Y DE UNA CAPA DE BARRERA DE CARBONITRURO DE TITANIO QUE COMPRENDE UN MATERIAL DE BAJA RESISTENCIA, TERMICAMENTE ESTABLE, QUE ESTA INTERPUESTA ENTRE UNA CAPA DE ALUMINIO Y LA CAPA DE SILICIURO . DE APLICACION EN DISPOSITIVOS MOS.-.
PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DESTINADOS A MONTARSE POR SOLDADURA SOBRE ZONAS METALIZADAS DE SUSTRATOS AISLANTES.
(01/11/1975). Solicitante/s: RCA CORP..
Resumen no disponible.
UN METODO PARA CONECTAR UNA PASTILLA DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y UNA PORCION GENERADORA DE CALOR.
(16/09/1975). Solicitante/s: RCA CORP..
Resumen no disponible.
PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
(16/04/1965). Ver ilustración. Solicitante/s: FAIRCHILD CAMERA & INSTRUMENT CORPORATION.
Resumen no disponible.
