CIP-2021 : H01L 33/10 : con una estructura reflectante, p. ej. reflector de Bragg de semiconductor.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

H01L 33/10 · · con una estructura reflectante, p. ej. reflector de Bragg de semiconductor.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Elemento emisor de luz semiconductor.

(20/12/2017) Un elemento emisor de luz semiconductor que comprende; una parte de pila de semiconductores que incluye una capa emisora de luz; una cara de difracción (2a) en un lado de superficie principal al que incide la luz emitida desde la capa emisora de luz, en el que en dicha cara de difracción (2a) las porciones convexas (2c) se forman en un período que es más largo que una longitud de onda óptica de la luz y es más corto que una longitud coherente de la luz, en el que la cara de difracción refleja la luz incidente en multimodo de acuerdo con la condición de difracción de Bragg y transmite la luz incidente en multimodo de acuerdo con la condición de difracción de Bragg; y una cara de reflexión que refleja la luz multimodo difractada en la cara de difracción (2a) y deja que esta luz…

Diodo de emisión de luz mejorado.

(10/09/2014) Ventana transparente adecuada para un montaje de diodo de emisión de luz (LED) semiconductor de AlGaInP, que comprende: una primera capa compuesta por un primer material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP; una segunda capa formada sobre dicha primera capa y que consiste en un segundo material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP y diferente del material semiconductor dopado p de dicha primera capa; una tercera capa formada sobre dicha segunda capa y que consiste en un material conductor amorfo; y un contacto metálico que pasa a través de una abertura en dichas segunda y tercera capas hasta dicha primera capa para formar conexiones óhmicas con dichas segunda y tercera capas y una conexión de diodo Schottky con dicha primera capa .