CIP-2021 : G01R 31/30 : Ensayos marginales, p. ej. haciendo variar la tensión de alimentación (ensayo de computadores durante las operaciones de espera "standby" o los tiempos muertos G06F 11/22).
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G FISICA.
G01 METROLOGIA; ENSAYOS.
G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12).
G01R 31/00 Dispositivos para ensayo de propiedades eléctricas; Dispositivos para la localización de fallos eléctricos; Disposiciones para el ensayo eléctrico caracterizadas por lo que se está ensayando, no previstos en otro lugar (ensayo o medida de dispositivos semiconductores o de estado sólido, durante la fabricación H01L 21/66; ensayo de los sistemas de transmisión por líneas H04B 3/46).
G01R 31/30 · · Ensayos marginales, p. ej. haciendo variar la tensión de alimentación (ensayo de computadores durante las operaciones de espera "standby" o los tiempos muertos G06F 11/22).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método y dispositivo de detección de corriente de fuga.
(08/05/2019) Un método de detección de corriente de fuga, aplicado a la detección de corriente de fuga, para un componente montado en placa, en una placa PCBA, en donde el método comprende:
el aislamiento del componente montado en placa bajo detección, con respecto a uno o más otros componentes a los que está conectado el componente montado en placa bajo detección, en donde el aislamiento comprende:
hacer que uno o más de los otros componentes que están conectados a un extremo de entrada de corriente de fuga del componente montado en placa bajo detección, sea equivalente a una primera resistencia, hacer que uno o más de los…
Registro de alta velocidad con línea de retardo por derivación.
(09/10/2013) Un método de determinación de una distancia a un objeto, incluyendo el método emitir un pulso láser dirigido hacia el objeto y recibir una reflexión de retorno desde el objeto, estando dicho método caracterizado por:
propagar una versión enclavada de un pulso de inicio (START) a través de una línea de retardo por derivación que comprende una cadena conectada en serie de búferes digitales que contribuyen cada uno con un retardo de tiempo incremental al pulso de inicio enclavado y emiten una correspondiente señal de muestreo, estando dicho pulso de inicio asociado con la salida del pulso láser;
acoplar una señal de datos analógica (DATA) a uno o más comparadores que emiten cada uno una señal de comparador basándose en comparar la señal de datos analógica con un respectivo…
Procedimiento de caracterización de la sensibilidad a las interacciones energéticas de un componente electrónico.
(13/09/2012) Procedimiento de caracterización de la sensibilidad a las interacciones energéticas en un componenteelectrónico , en el cual,
- se pone en servicio el componente electrónico,
- se excita el componente electrónico puesto así en servicio con la ayuda de un rayo de láser,
- se mide un defecto de funcionamiento del componente electrónico puesto en servicio, correspondientea un valor de esta excitación,
caracterizado porque
- se cambian condiciones de utilización del componente, dicho de otro modo, de polarización drenajefuente del componente, y/o de señales de entrada y/o de señales de mando y/o de frecuencia y/o de temperatura y/ode carga en la salida,
-…
DISPOSICION PARA LA COMPROBACION DE GALLETAS DE SEMICONDUCTORES O SIMILARES.
(01/08/1998). Solicitante/s: REITINGER, ERICH. Inventor/es: REITINGER, ERICH.
DISPOSICION PARA LA COMPROBACION DE GALLETAS DE SEMICONDUCTORES O SIMILARES. UNA DISPOSICION PARA LA COMPROBACION DE GALLETAS DE SEMICONDUCTORES O SIMILARES PRESENTA UNA MESA DE PRUEBA PARA EL ALOJAMIENTO DE LAS GALLETAS DE SEMICONDUCTORES O SIMILARES A COMPROBAR, ASI COMO UN SOPORTE PARA EL ALOJAMIENTO DE APOYOS DE SONDAS O SIMILARES; LA MESA DE PRUEBA ESTA DISPUESTA DENTRO DE UN RECEPTACULO, QUE ESTA CONFIGURADO ABIERTO HACIA ARRIBA; EL RECEPTACULO ESTA CUBIERTO POR UNA PLACA, QUE CONTIENE UN ORIFICIO PARA EL PASO DE LAS ONDAS O SIMILARES Y DENTRO DEL RECEPTACULO HAY PREVISTOS LOS ELEMENTOS DE SALIDA QUE ESTAN CONECTADOS A TRAVES DE UNA ACOMETIDA A UNA FUENTE PARA AIRE, GAS, O SIMILAR.
ESTRUCTURA DE TEST PARA LA MEDIDA DEL DESALINEAMIENTO ENTRE NIVELES EN TECNOLOGIAS MICROELECTRONICAS, BASADA EN TRANSISTORES MOS CON PUERTA TRIANGULAR.
(01/04/1996). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: LOZANO, M., CANE, C., PERELLO, C., LORA-TAMAYO, E.
LA ESTRUCTURA DE TEST PARA LA MEDIDA DEL DESALINEAMIENTO ENTRE NIVELES DE TECNOLOGIAS MICROELECTRICAS, BASADA EN TRANSISTORES MOS CON PUERTA TRIANGULAR, ES UN DISPOSITIVO MICROELECTRONICO COMPUESTO DE CUATRO TRANSISTORES MOS CON LA PUERTA TRIANGULAR, DISPUESTOS FORMANDO 90 ENTRE SI, CON LOS TERMINALES DE FUENTE UNIDOS, SENSIBLE AL DESALINEAMIENTO ENTRE LOS NIVELES DE PUERTA Y AREAS ACTIVAS EN TECNOLOGIAS AUTOALINEADAS. EL DESALINEAMIENTO SE OBTIENE A PARTIR DE LA MEDIDA DE LA CORRIENTE DE CANAL EN CADA UNO DE LOS TRANSISTORES, POLARIZANDO LOS MISMOS EN LA ZONA LINEAL O EN LA DE SATURACION.
ESTRUCTURA DE TEST PARA LA MEDIDA DE LA DIFUSION LATERAL EN TECNOLOGIAS CON DOPADO A PARTIR DE POLISICILIO, CON CORRECCION DEL DESALINEAMIENTO.
(16/12/1995). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: LOZANO, M., CANE, C., PERELLO, M., ANGUITA, J.
LA ESTRUCTURA DE TEST PARA LA MEDIDA DE LA DIFUSION LATERAL EN TECNOLOGIAS CON DOPADO A PARTIR DE POLISICILIO, CON CORRECCION DEL DESALINEAMIENTO ES UN DISPOSITIVO COMPUESTO DE VARIOS TRANSISTORES MOS DE VACIAMIENTO, DE DISTINTAS DIMENSIONES, CON CONTACTOS ENTERRADOS DISPUESTOS ALTERNATIVAMENTE A DERECHA E IZQUIERDA. LA ESTRUCTURA DEBE CONTENER CUATRO TRANSISTORES COMO MINIMO A PESAR DE QUE LA IMPLEMENTACION PRACTICA QUE SE PRESENTA CONTIENE NUEVE. LA MEDIDA QUE SE REALIZA ES DE TIPO ELECTRICO MEDIANTE AJUSTES LINEALES DE LA INVERSA DE LA CORRIENTE DE DRENADOR RESPECTO A LAS LONGITUDES DE LOS TRANSISTORES. SU APLICACION CONSISTE EN LA OBTENCION AUTOMATICA MEDIANTE MEDIDAS ELECTRICAS DE LA LONGITUD DE DIFUSION LATERAL EN PROCESOS DE AUTODOPADO A PARTIR DE MATERIAL POLICRISTALINO.
METODO Y DISPOSITIVO PARA DETERMINACION ACELERADA DEL ENVEJECIMIENTO DE UNO O MAS ELEMENTOS CON UN PARAMETRO DE ENVEJECIMIENTO ELECTROMAGNETICO.
(01/09/1995). Solicitante/s: INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW LIMBURGS UNIVERSITAIR CENTRUM. Inventor/es: STALS, LAMBERT MATHIAS MARIA, ROGGEN, JEAN JOSEPH MARIE, DE SCHEPPER, LUC IRENA, DE CEUNINCK, WARD AIME STEFAN.
UN METODO PARA DETERMINAR EL CAMBIO DE IMPEDANCIA DE UN PARAMETRO DE ENVEJECIMIENTO ELECTROMAGNETICO SOBRE UNO O MAS ELEMENTOS QUE TIENEN DICHO PARAMETRO, EN EL QUE EL ELEMENTO SE COLOCA EN UN HORNO A UNA TEMPERATURA PREDETERMINADA Y EN EL QUE SE REALIZA UNA MEDIDA DE LA RESISTENCIA A ESTA TEMPERATURA.
